2、靶材在钙钛矿成本中占比高

目前靶材占比超过35%。靶材在钙钛矿各功能层中应用广泛，按照目前头部企业中试线情况测算，钙钛矿单瓦总成本约2元/W，其中靶材占比35%，价值量排序为：TCO背电极>TCO玻璃导电层>电子传输层材料≈空穴传输层材料。

以目前中试线2元/W成本为基准，远期钙钛矿极限成本有望降至0.6元/W上下，后续降本手段主要围绕几个方向：

Ø 效率提升：效率提升单位面积组件功率，带动单瓦成本下降。目前头部企业中试线效率约14-15%，远期极限效率有望提升至25%，有效摊薄各项成本；

Ø 产能利用率提升：目前中试线以实验性生产为主，产能闲置率较高。后续中试线跑通后，产能利用率提升，将有效降低设备折旧、人工等成本；

Ø 良率提升：组件工艺、材料配方体系等尚未定型，实验性生产中，整体良率较低。后续GW产线中，工艺及材料配方确定，良率目标约95%+；

Ø 规模化设备降本：当前百兆瓦产线设备投资额在1.2亿左右。后续GW产线中，可以通过扩大单台设备腔体等方式，实现产能提升，预计GW产线设备台数约为百兆瓦产线7倍，GW设备投资额约8亿左右。同时，考虑到目前设备定制化程度及进口比例较高，后续仍有较大降本空间，预计远期极限投资额约5亿上下；

Ø 材料降本：工艺及材料路线尚未定型，在提升效率阶段，性能优异的高价材料使用广泛。随着后续工艺路线明确，材料降本可能成为厂商的重点方向。同时，目前钙钛矿产业对于上游材料需求量小，议价能力较弱，后续大规模量产拉动材料需求，可能为厂商带来更多议价空间。

未来靶材更迭降本后仍会维持较高占比。靶材目前在钙钛矿成本中占比高，针对靶材的降本也会成为未来钙钛矿产业重点攻关方向之一。尤其是对于目前单一占最高的TCO背电极（ITO）来说，其替代方案是目前产业界具有共识的降本手段，如AZO、碳电极替代等。根据我们估算，在极限成本下，考虑AZO替换ITO，靶材（AZO、TCO玻璃导电层及电子/空穴传输层）成本有望降低到25%左右。如果钙钛矿产业发展成功，将给靶材行业带来大增量需求，钙钛矿行业规模达到100GW时，预计靶材对应市场规模有望超过150亿。

靶材的纯度和质量直接影响膜层质量。靶材的纯度一般在4N-6N，其纯度和质量直接决定了钙钛矿膜层的导电性和透光率等性能，进而影响组件成本和效率。靶材的关键指标包括纯度、密度、粒径及分布、结晶取向和结构均匀性，具体如下：

Ø 纯度：气孔夹杂和杂质元素是主要污染源，气孔会影响薄膜质量，杂质元素会影响薄膜纯度。光伏靶材纯度一般为4N-6N。

Ø 密度：靶材密度越高，孔隙越少，薄膜性能越高；密度越高，可以更好承受镀膜过程中的热应力；

Ø 晶体粒径及分布：溅射靶是多晶结构，晶粒越小，溅射速度越快；晶粒粒径差异越小，薄膜厚度均匀度越高；

Ø 结晶取向：靶材原子易沿密排方向发生溅射，可以改变靶材结晶结构来增加溅射速率；

Ø 结构均匀度：结构均匀度：靶材沿溅射平面方向和法向方向的成分、晶粒取向和平均晶粒度均匀性都应保持一致。

溅射靶材还考验工艺控制。蒸镀材料控制纯度在4N级别以上即可，而溅射靶材在满足纯度要求（＞4N）的基础上，需控制成型与烧结工艺。溅射靶材的成型工艺分为干法成型工艺和湿法成型工艺，当前已有国产厂商采用“模压成型+冷等静压工艺”的干法成型工艺实现高质量靶材的制备。溅射靶材的烧结工艺主要包括热压法、热等压法、常压烧结等，国内厂商的烧结工艺已经转向常压烧结。