HJT产业链会议纪要
柴尔德
满仓搞的剁手专业户
2023-03-08 23:37:00
技术路线，目前全都是三代，都是双面微晶，25.3%；一代大规模量产24.3%，二代平均25%；
良率：一代98%，二代97-98%之间；
目前不同技术路线的转换效率，很多标准不一样，比较大的问题，topcon也说能到25.2%，异质结也到25%，但是这两个25%不在一个基础上，更重要的是看组件的功率，异质结华晟166和210，166是一代技术，目前到475-480w，比perc高30w，后面都不用166了，三代用双面微晶166很容易到500w；210用二代技术690-700w之间，如果是3.0，今年启动到710w，比perc高40-50w之间，HJT3.0要高60w；182的topcon，无论是电池的25还是25.2%，组件功率在570w，如果异质结三期的182到600w，比topcon搞30w；
从下面几个实际粒子看组件功率更关键：
1、从实际的组件，比如一道电池平均效率25.1%，但是182的72片组件功率就是570w，CTM其实下降很多，CTM反推就是在24%。
产业链的匹配：
-电极技术，降低银耗，低温银奖的价格，8000降低到5000，电镀铜，银包铜，0BB
-钢网印刷到18mg/w,银包铜能够继续降低
-银包铜已经批量上线，但是主要是银包铜，粉料国产化，浆料国产化
-电镀铜，不仅降低成本，还可以提效，致密性更细，更密，能提高0.2-0.3%，目前在做简化过程
-我们倾向于水平电镀，
-封装技术，光转胶膜帮助很大,不仅解决问题，还提高了组件效率
-异质结相比perc和topcon在硅片上是很有成本优势的，hjt都是低温环节，topcon有kuopeng和kuolin都需要高温，会激发氧原子，HJT只有200度以下，同心圆（降低效率会）的几率出现很低，还能用gaoyang含量的硅片
-吸杂也能提高效率
-硅片薄片化，
333333333333333333333333333.0
Q&A
√G2上做双面微晶，功率是否更高，相比182竞争优势？G12所有的组件CTM都要下降，182版型的CTM可以到100%，166和182差不多，166 1.0 24.3%就能到25w，cTM双玻99%，单玻99%；210电池，切了一半后，8-9安培，ctm就会下降到98%，无法到100%，及时3.0 25.3%效率，到组件710w，CTM就是96.4%，和小电池99%是没办法比，可以和同比perc相比，异质结在大尺寸硅片和perc比，大尺寸硅片做电站的时候效率是会提升的；单纯只看G2和182在异质结增益没那么强，但是到电站，G2会更好；
√182的版型：只看异质结比perc高50，210也能高50-60w，异质结3.0所有的尺寸都比同版型的高50w，但是210和182比就不太一样了；
√topcon的标准是虚的，如果效率24.2%，CTM就是99.1%，所以电池侧的转换效率其实是虚的，因为到组件端的功率是没那么高的；如果要比较hjt和topcon，按照同样的ctm，比如都是100%，然后这样的电池效率，才可比；
√为什么CTM topcon低？先做电池后切片，对薄膜钝化，切的损失比较大；镀膜在一个片上不均匀，topcon高温烧结银奖有的好有的不好；在刚开始设置的时候标准
√异质结还需要什么突破可以超越topcon？看3.0技术，3.0提高0.2-0.4就可以，3.0的技术的是大批量企业上的技术，第一个观察点就是3.0走向成熟，25.2-25.5%，今年下半年，会看到3.0技术会得到高效率的产品；拉高效率的过程中，就会有下降成本的不断导入；
√铜电镀：开始有企业开始试了，四期下单了，引入300mw的电镀线，
√HJT双面微晶目前瓶颈：第一是设备，这个技术还没量产，23年底；
√电池和组件必须匹配
- 王文静 20230307
作者利益披露：转载，不作为证券推荐或投资建议，旨在提供更多信息，作者不保证其内容准确性。
声明：文章观点来自网友，仅为作者个人研究意见，不代表韭研公社观点及立场，站内所有文章均不构成投资建议，请投资者注意风险，独立审慎决策。
S
东方日升
工分
11.00
转发
收藏
投诉
复制链接
分享到微信
有用 7
打赏作者
无用
真知无价，用钱说话
0个人打赏
同时转发
评论（3）
只看楼主
热度排序
最新发布
最新互动
- 1