国庆电子行业新闻一览(9.29-10.7)
(1)半导体
9.29:英特尔宣布在爱尔兰工厂Fab34使用EUV光刻机,大批量生产Intel4(对应TSMC5nm)制程芯片。这是英特尔首次采用ASMLEUV光刻机,也是首次将EUV4nm投产至欧洲。(集微网)
9.30:英特尔宣布将在美国俄亥俄州投资逾200亿美元,建设两座世界上最先进的芯片制造厂。部分业界人士表明此举或是希望获得美国半导体补贴资金。(全球半导体观察)
10.2:台积电预期Q3合并营收以美元计价,可望季成长近一成,毛利率有望优于预期中位数52.5%。公司7-8月合并营收达3,663.02亿元新台币,Q3合并营收可望达167-175亿美元。(集微网)
10.6:BIS在实体名单上新增42家中国公司,称这些实体涉嫌为俄罗斯军事和/或国防工业提供美国原产集成电路。在俄乌冲突中,俄罗斯将这些微电子技术用于导弹和无人机的精确制导系统。(BIS官网)
(2)AI
10.4:英伟达在日本的销售合作公司GDEPAdvance9月把英伟达H100价格调涨16%至544万日元。(集微网)
10.7:2023年三星系统LSI技术日活动上,三星展示了其最新高端SoC芯片Exynos2400。该芯片配备基于最新AMDRDNA3架构的Xclipse940GPU,CPU性能达到1.7倍,AI性能显著提高至14.7倍。(科创板日报)
(3)存储
10.3:日本将为美光广岛工厂的存储器芯片计划提供1920亿日元的财政支持,补贴将帮助美光安装ASML的EUV设备。该计划涵盖了美光在日本近40%的投资。(集微网)
10.6:三星计划23Q4起调涨NANDFlash产品合约价格,涨幅10%以上,最快本月新合约便将采用新价格,期望24Q2实现NAND盈亏平衡点。(科创板日报)
10.6:美光于美国爱达荷州的新内存制造工厂正式建设。该工厂和美光位于博伊西的研发中心地处一处,博伊西为美光总部、新扩建的卓越技术创新中心以及北美唯一DRAM研发制造工厂所在地。(全球半导体观察)
10.7:据内存模块制造商称,主要半导体制造商正在增加DDR5内存的可用容量,预计将在2024年成为主流,预计2023年底其DDR5内存bit销售额合计将占bit销售额总额的30-40%。(台湾电子时报)
(4)智能驾驶
10.6:余承东表示,9月12日问界新M7发布至今,首销超过5万台大定;10月5日大定达到3500台,10月6日达到7000台,两天超过1万台。(集微网)
(5)消费电子
10.6:富士康表示,由于9月新品推出,包括智能手机在内的智能消费电子产品的收入环比强劲增长。9月公司收入6607亿元新台币,YoY-19.7%,MoM+60.1%;Q3收入YoY-11.7%,QoQ+18.4%。(集微网)
安信电子团队:马良/吕众/朱思/郭旺/程宇婷/盛晓君/王知恬
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