中金发布研报称，随着下游手机、PC、服务器等行业需求的逐步复苏以及存储原厂削减产能逐步落地，从3Q23开始，部分大类存储的价格开始触底反转步入上行通道，相关国内外厂商股价均有所表现。站在当前时点，依旧看好行业整体有望维持景气向上趋势，同时建议积极关注各细分产业链赛道。1)大类存储受益于HBM供不应求，供需格局有望持续优化。2)利基存储有望跟随大类存储步入上行通道。3)服务器去库存接近尾声，叠加DDR5渗透率提升利好内存接口芯片赛道。

建议关注：澜起科技、兆易创新、江波龙等产业链龙头厂商。

中金主要观点如下：

周期复盘：1)根据市场规模变化情况，可以看到存储芯片的波动周期大概是3至4年为一个周期。历史上周期上行主要驱动因素有终端销量爆发、新技术投入应用、晶圆厂合并/减产/产能不足等因素。周期下行的因素包括产能过剩、国际经济形势影响及需求疲软等。2)股价相较于公司的基本面具有一定的领先性，时间在1~2个季度不等。3)利基存储与大类存储趋势同步性较高，从供给和下游需求结构来看有一定的重合度。

存储芯片：大类存储供给端产能去化初见成效，需求端景气度逐渐修复，价格有望持续上行。DDR4因产能受HBM及DDR5挤压形成缺货，中金预计，DDR4系列产品1Q24景气持续;客户补库需求推动NAND淡季不淡；HBM系产品及DDR5乘AI算力东风，供不应求，价格维持高位。利基存储厂商营收环比向好，行业回暖趋势已较为明朗。

存储模组：上游存储芯片价格起涨带动模组价格同涨，下游服务器等产品需求修复抬高供给价格。当前存储芯片价格反弹提升模组厂商备货意愿+台、陆模组厂商于3Q23开始战略性备货，中金认为，模组端库存有望于2024年逐步释放。

内存接口芯片：1)服务器出货量增加、AI服务器出货占比扩大带动内存接口芯片需求上涨。2)DDR5渗透率提升+子代迭代速度快对配套内存接口芯片及套片存在强需求。

HBM：HBM的应用缓解了“内存墙”的问题。根据SK海力士估算，HBM的需求在2022至2025年之间的CAGR增速将达到109%。SK海力士、三星电子、美光科技三大家竞争进入白热化，各自发力HBM3E产品。

风险

AI应用推进不及预期，各大原厂减产幅度不及预期。