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半导体行业:存力渐为AI芯片竞争焦点,现货市场行业备货热度升温
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2023-11-23 08:25:09

  存力渐为AI芯片竞争焦点,24年AI服务器出货量或增至百万台

   2023年11月13日,英伟达发布最新AI芯片H200。相比于H100,H200性能提升60%-90%;以700亿参数模型Llama2为例,H200推理速度比H100快近一倍,同时功耗降低50%。然而,H200与H100算力基本相同,性能飞跃的关键在于存力的大幅提升。H100内存容量为80GB,带宽为3.35TB/s;作为全球首款搭载HBM3e的GPU,H200内存容量高达141GB,带宽为4.8TB/s,内存配置明显提升。我们认为存力逐渐成为AI芯片竞争焦点。

  华邦电表示2023年DRAM市场规模约430亿美元;在AI驱动下DRAM市场快速成长,2026年DRAM市场规模有望突破千亿美元。同时,华邦电表示2023年服务器出货量将降至1200万台,其中AI服务器出货量低于20万台;2024年AI服务器出货量有望大幅反弹至100万台,或将导致HBM供不应求。铠侠认为宏观经济的不确定性导致企业IT支出下降是2023年通用服务器需求疲软的主要原因,预计数据中心和企业级SSD需求将在24H1后复苏,并长期看好NAND市场增长潜力和长期需求。全球HBM龙头SK海力士2024年将扩大设备投资以增加HBM产能,并预计2030年HBM出货量将达到每年1亿颗。

  存储价格处于低位刺激备货需求,台湾存储厂商预计Q4延续季增态势

  得益于上游减产效应,以及存储价格处于低位刺激市场备货需求,中国台湾存储厂商10月营收环比延续增长趋势,并表示随着需求逐渐复苏,预计Q4仍有望延续季增态势。

  群联:10月营收51.59亿新台币,同比增长23%,环比增长3%,为历年同期次高。展望后市,公司表示随着NAND原厂自22Q2开始减产,并自23Q2扩大减产以及系统厂商库存经历数个季度的消化后,NAND存储市场已逐渐因为回补库存等需求缓步回温,进而带动价格回稳甚至涨价,部分NAND原物料已出现供货吃紧情况。

  十铨科技:10月营收16.01亿新台币,同比增长221%,环比增长8%,主要受惠于原厂减产效应,DRAM和NAND价格开始上涨。此外,由于存储价格处于底部,公司加大采购力度,存货由Q2末的45亿新台币升至Q3末的62亿新台币。公司表示AI浪潮掀起大量的数据存储需求,看好SSD的成长大于DRAM,且所需NAND容量也愈大,加之原厂减产,预计缺货情况短期不变,24H2或将出现缺货潮。

  威刚:10月营收37.91亿新台币,同比增长40%,环比增长13%,创下2010年4月以来单月营收高点。公司表示当前价格反弹动力主要来自于上游减产效应及渠道回补安全库存,伴随手机需求渐入佳境,PC出货逐步回归常态,上游原厂对价格态度强势,存储价格难以下降,持续看好11月业绩表现。展望未来,公司预计2024年农历年后存储产业将春燕归来,届时NAND与DRAM价格仍将持续上涨,产业正向趋势至少维持到24Q3,24H2上游原厂有望扭亏为盈。

  存储现货市场行业备货热度升温,渠道SSD出现倒挂行情

  CFM指出,存储现货市场行业备货热度升温。由于原厂制程迭代产能调动,部分Flash Wafer资源持续紧俏,稀缺NAND资源涨价令供应端控货惜售。同时,部分终端因库存水位下降产生补货需求,加之明年涨价预期下,部分行业客户释放提前备货的需求。

  具体看本周存储价格(截至11月21日11:00),根据CFM数据,1)Flash Wafer:1Tb QLC/1Tb TLC/512Gb TLCFlash Wafer本周价格均有所上涨。2)DDR:DDR416Gb/8Gb 3200价格持平,DDR416Gb eTT微涨,DDR48Gb/4Gb eTT价格出现一定程度下滑。3)渠道市场:随着国内电商促销结束以及海外备货旺季过去,近期渠道备货需求出现季节性降温,本周渠道SSD和内存价格环比持平。消费复苏力度不足而Flash Wafer仍有上涨空间,渠道SSD出现倒挂行情,或将加速推动QLCNAND的应用,以缓解渠道SSD倒挂并满足部分市场需求。4)行业市场:good die供应持续紧张促使价格上涨,同时部分行业客户因库存水位下降,备货意愿增强,行业客户出现提前锁货动作,加之部分行业需求回暖,本周行业SSD和行业内存条价格全面上涨。5)嵌入式:运营商机顶盒标案需求刺激小容量eMMC价格调涨;手机终端整体需求变化不大,本周LPDDR4X价格维持不变。

  投资建议:建议关注存储产业链相关标的:东芯股份,兆易创新,北京君正,江波龙,普冉股份等。

  风险提示:下游需求复苏低于预期,终端去库存效果低于预期,相关厂商研发进程不及预期,系统性风险等。

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