最新消息面:IT之家 3 月 4 日消息,据 TheElec,三星正在考虑在其下一代 DRAM 中应用模压填充(MUF)技术。三星最近测试了一种用于 3D 堆栈 (3DS) 内存的 MR MUF 工艺,与 TC NCF 相其吞吐量有所提升,但物理特性却出现了一定恶化。
经过测试,该公司得出结论,MUF 不适用于高带宽内存 (HBM),但非常适合 3DS RDIMM,而目前 3DS RDIMM 使用硅通孔 (TSV) 技术制造,主要用于服务器。
MUF 是一种在半导体上打上数千个微小的孔,然后将上下层半导体连接的 TSV 工艺后,注入到半导体之间的材料,它的作用是将垂直堆叠的多个半导体牢固地固定并连接起来。
300686智动力:公司现有的散热产品主要应用于三星。
有媒体报道:根据拆解显示,Galaxy S24 Ultra内部采用了更大面积均热板散热技术,使得在散热和性能释放上相比上一代更出色。