关于长鑫向美国商务部申请许可点评
夜长梦山
2023-01-11 12:55:21
招商电子】关于长鑫向美国商务部申请许可点评
事件：2022年10月美国商务部规定，限制长鑫生产18纳米以下DRAM扩产。长鑫合肥一期产线主要扩产19nm DRAM，合肥17nm在陆续推进中，北京Fab 17-15nm也在陆续建设中，因此美国商务部的限制对长鑫17nm的扩产有重大影响。近期有消息传长鑫向美国商务部申请许可，主要系长鑫投产的17nm只是三星镁光等竞争对手的19-20nm制程，属于美国18nm制程限制之外，因此获得批准。
首先，我们认为制程的命名方式有差别是行业常态，可以参考台积电16nm/三星14nm/英特尔22/14nm的命名差别，制程的定义本质上是【线宽】，就是金属氧化物半导体场效电晶体(MOSFET)的闸极长度(Gate Length)。随着制程的推进，尤其是到了28纳米以下，代工厂号称的制程数字其实并没有真实线宽那么小，而且每一家晶圆厂的线宽测量基准也有所差异，同时为了宣传有时候晶圆厂也会采用某基准使得对外宣传的线宽和制程尽量变小。在实际应用中，制程并非衡量芯片先进程度的唯一标准，同时散热、功耗、效能也是主要考量因素。因此我们认为长鑫对DRAM制程的命名与三星镁光等大厂定义有差别是一种正常的行业现象，因此美国商务部对长鑫技术做核查后是有望逃离美国之前设置的18nm扩产限制，我们目前了解到长鑫内部的情况也有积极的复苏。
无论后续长鑫的事情如何演绎，总体上还是有边际超预期。建议关注二级市场对长鑫扩产边际弹性大的标的，例如某EDA公司、设计公司兆易、封测公司深科技以及相应设备材料公司（建议关注长存占比低，长鑫有0-1突破或者1-N放量的设备材料
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