核心逻辑：存储板块有望在2023年上半年达到库存顶点，下半年迎来供需结构改善，23Q2-3价格有望止跌，其中NAND Flash或先于DRAM好转。

大陆存储大市场&低自给率，国产替代空间广阔，标的：

兆易创新（大陆存储龙头，DRAM、NAND Flash、Nor Flash）

东芯股份（大陆SLC NAND龙头、DRAM、NAND Flash、Nor Flash）

北京君正（大陆车载存储龙头、DRAM、NAND Flash、Nor Flash、SRAM）

普冉股份（从小容量到大容量，打开成长空间，EEPROM）

聚辰股份（大陆EEPROM龙头、Nor Flash、EEPROM）

澜起科技（内存接口芯片龙头）

复旦微电（Nor Flash、EEPROM）

恒烁股份（Nor Flash）

江波龙、佰维存储、国科微

海外：美光科技

(一)   大陆目前发力利基，重点关注

兆易创新：2021年量产19nm 4Gb DDR4, 23年9月兆易创新发布17nm 2Gb/4Gb DDR3，北京君正(ISSI)目前在大陆利基DRAM领域料号数量最为全面、营收体量最大，DRAM中出货量最大的是DDR3，东芯股份在DDR3方面有所布局。

利基DRAM：Specialty DRAM，按照Dramexchange现在的划分，包括DDR2、DDR3及部分DDR4颗粒。主流DRAM：Commodity DRAM，代表产品包括8Gb以上的DDR4、DDR5颗粒和DDR4、DDR5模组。

(二)   存储的周期特征明显，抓住高波动高弹性

规模占比：存储是半导体第二大细分市场。2021/2020/2019年全球存储市场规模为1534/1175/1064亿美金，占半导体规模的比例为28%/27%/26%，

存储的周期性与全球半导体整体周期性走势一致，但波动性远大于其他细分品类。

(三)   存储是半导体细分产品成长性最优赛道

2002-2021年、2011-2021年、2016-2021年存储CAGR分别为9.5%、9.7%、14.9%，均为半导体成长性最优细分产品， 且近5年增速显著高于近十年和近二十年增速，成长性显著提升。

(四)   DRAM周期波动幅度最大，成长性最优（DRAM和NAND合计占比97%，分别占61%/36%）

1.        周期波动：DRAM>NAND>Nor及其他，DRAM周期波动性大于存储平均水平，是存储细分市场中周期性波动最大细分市场；

2.        成长性：从2009-21年、2011-21年、2016-21年存储器各细分品类CAGR看，DRAM>NAND>Nor及其他，DRAM成长性大于存储平均水平，且近5年增速显著高于近十年增速，成长性显著提升。

(五)   存储分类：主流和利基，主流占主要份额

1.        利基产品：利基存储产品包括SLC NAND、容量小于等于4GB的MLC/TLC NAND、利基DRAM、Nor、SRAM等产品，在这些细分市场中主要是中国台湾的南亚、华邦、旺宏等厂商角逐，大陆长鑫、兆易等也是利基产品

2.        主流产品：主流产品包括容量大于4GB的MLC/TLC NAND产品、PC DRAM、Mobile DRAM、Server DRAM,这些是主要市场，国际一流大厂三星、美光、海力士、东芝是代表厂商。

(六)   大陆存储：聚焦利基市场，品类覆盖全

存储市场，大陆以利基产品为切入口。

大陆厂商聚焦利基产品，如利基DRAM、SLC NAND、Nor Flash、EEPROM等产品，我们重点跟踪利基DRAM和SLC NAND的价格

利基DRAM：大陆供应商如兆易创新（2021年推出4Gb DDR4）、北京君正、东芯股份

SLC NAND：大陆供应商如兆易创新、北京君正、东芯股份（注：长江存储做3D NAND，容量256Gb、512Gb、1.33Tb,产品不 属于利基型）

利基型DRAM的价格主要受供给影响，主要应用于液 晶电视、数字机顶盒、播放机等消费型电子与网络通讯等领域。

大陆发力利基DRAM：中国台湾厂商占据利基DRAM半壁江山，华邦、南亚合计市占率近60%，大陆厂商发力利基DRAM，兆易创新2021年量产19nm 4Gb DDR4,目前17nm 4Gb DDR3在研，北京君正(ISSI)的DRAM中出货量最大的是DDR3，东芯股份目前DRAM 产品是DDR3。