美国半导体设备限制速评
股海鱼
明天一定赚的公社达人
2023-10-18 09:13:50
美国半导体设备限制速评
事件：2023年10月17日，美国商务部BIS发布了新一版的暂行IFR文件。对SME部分新增限制解读如下：
1、光刻设备：限制光源波长＜193nm的光刻设备，对于光源波长≥193nm的设备需同时满足：1）MRF≤45nm；2）DCO＜1.5或1.5~2.4nm。若按照美国制裁则将进一步对NXT1980i及1970i进行限制，但文件中提到：若出口国已出台限制细则，BIS将不再进一步增加限制。仅根据法案条例目前无法判断对光刻设备是否仍有进一步制裁；
2 掩膜版：进一步限制EUV掩膜、空白掩膜、保护膜及相关生产设备；
3 外延设备：包含先进epi、ALE、MBE、MOCVD等设备；
4 离子注入设备：增加用于集成电路的离子注入设备，对部分氢离子注入及高能大束流进行限制；
5 刻蚀设备：增加对锗硅及硅刻蚀选择比＞100：1的设备及湿法设备进行限制；
6 薄膜设备：增加对钴的电镀、CVD、PVD设备的限制，增加对掺碳硬掩膜、低K的PECVD设备及钨的CVD/ALD设备的限制；
此次制裁除光刻机仍存争议外，其余基本围绕16/14nm设备工艺限制进行细化，未直接提及具体晶圆代工厂及芯片设计公司，关于光刻机是否进一步限制仍待观察Asml今日业绩说明会或官方表态。
❗关于此次限制具体点评以团队发布的详细解读为准，此文仅针对半导体设备涉及相关内容进行速评。
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