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无名小韭12210924
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无名小韭12210924
2025-07-30 23:34:20
【广发电子】半导体设备:4F2+CBA DRAM有望打开设备成长空间-250730
当前本土DRAM产业的技术制程和产品PPA仍有待突破。DRAM芯片1b-1c-1d制程微缩带来的改进幅度和速度存在一定瓶颈,且国内受到海外供应链出口管制。而4F2和CBA技术有望成为DRAM芯片进一步提升PPA的重要突破口。 4F2是提升存储密度的高效技术路线。4F2将DRAM的晶体管和电容器进行3D垂直布局,这是平面内DRAM Cell布局的最密排布,有望将DRAM Cell尺寸较6F2缩小约30%,代表了更好的面积表现和存储密度。 CBA技术是优化DRAM芯片系统级性能的关键。CBA技术将存
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无名小韭12210924
2021-10-01 11:29:23
【广发电新】天赐的棋局,永太的阳谋
9月28日天赐材料公告扩产2万吨VC,基于现有浙江天硕1000吨装置至2022年7月技改至5000吨,2023年初VC总产能大2.5万吨。本次公告的边际影响,依据可研测算是刻舟求剑,供需演变是次要因素,【类似于5月天赐材料与宁德时代低价长协落地宣告6F价格周期转向添加剂成长周期,本次天赐材料VC扩产意味着电解液大格局即将拉开序幕】。 2021年以来三氯化磷-五氯化磷-氯化法6F成本/价格快速涨价,天赐材料的多聚磷酸-五氟化磷-硫酸法6F成本优势大幅放大,因此天赐材料以极低6F长协价格提升电解液份
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当前本土DRAM产业的技术制程和产品PPA仍有待突破。DRAM芯片1b-1c-1d制程微缩带来的改进幅度和速度存在一定瓶颈,且国内受到海外供应链出口管制。而4F2和CBA技术有望成为DRAM芯片进一步提升PPA的重要突破口。 4F2是提升存储密度的高效技术路线。4F2将DRAM的晶体管和电容器进行3D垂直布局,这是平面内DRAM Cell布局的最密排布,有望将DRAM Cell尺寸较6F2缩小约30%,代表了更好的面积表现和存储密度。 CBA技术是优化DRAM芯片系统级性能的关键。CBA技术将存
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9月28日天赐材料公告扩产2万吨VC,基于现有浙江天硕1000吨装置至2022年7月技改至5000吨,2023年初VC总产能大2.5万吨。本次公告的边际影响,依据可研测算是刻舟求剑,供需演变是次要因素,【类似于5月天赐材料与宁德时代低价长协落地宣告6F价格周期转向添加剂成长周期,本次天赐材料VC扩产意味着电解液大格局即将拉开序幕】。 2021年以来三氯化磷-五氯化磷-氯化法6F成本/价格快速涨价,天赐材料的多聚磷酸-五氟化磷-硫酸法6F成本优势大幅放大,因此天赐材料以极低6F长协价格提升电解液份
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当前本土DRAM产业的技术制程和产品PPA仍有待突破。DRAM芯片1b-1c-1d制程微缩带来的改进幅度和速度存在一定瓶颈,且国内受到海外供应链出口管制。而4F2和CBA技术有望成为DRAM芯片进一步提升PPA的重要突破口。 4F2是提升存储密度的高效技术路线。4F2将DRAM的晶体管和电容器进行3D垂直布局,这是平面内DRAM Cell布局的最密排布,有望将DRAM Cell尺寸较6F2缩小约30%,代表了更好的面积表现和存储密度。 CBA技术是优化DRAM芯片系统级性能的关键。CBA技术将存
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【广发电新】天赐的棋局,永太的阳谋
9月28日天赐材料公告扩产2万吨VC,基于现有浙江天硕1000吨装置至2022年7月技改至5000吨,2023年初VC总产能大2.5万吨。本次公告的边际影响,依据可研测算是刻舟求剑,供需演变是次要因素,【类似于5月天赐材料与宁德时代低价长协落地宣告6F价格周期转向添加剂成长周期,本次天赐材料VC扩产意味着电解液大格局即将拉开序幕】。 2021年以来三氯化磷-五氯化磷-氯化法6F成本/价格快速涨价,天赐材料的多聚磷酸-五氟化磷-硫酸法6F成本优势大幅放大,因此天赐材料以极低6F长协价格提升电解液份
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