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只要锄头挥的好
2026-03-05 11:48:05
英伟达SRAM芯片传闻引发韩股震荡:一场关于存储技术认知的市场误读
英伟达新芯片传闻引发市场波动,SRAM架构误读揭示产业认知分歧 近日,受英伟达(NVIDIA)计划推出采用Groq片上SRAM架构的新型推理芯片的消息影响,韩国综合股价指数(KOSPI)出现剧烈震荡,其中内存相关股票显著走弱。市场担忧,SRAM技术的推广将削弱对高带宽内存(HBM)等主流存储产品的需求,从而冲击韩国半导体产业的核心利益。然而,随着行业分析机构的深入解读,这一恐慌被证实源于对存储技术特性的误读。事实上,SRAM并非HBM或DRAM的低成本替代品,而是一种面向特定高性能场景的差异化技
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只要锄头挥的好
2026-03-03 14:41:53
伊美冲突下的无人机工业:中国低速发动机产能的深度解析
战争需求重塑供应链:从“高端”到“海量” 在当前伊美冲突加剧的背景下,无人机已不再仅仅是侦察或高端打击平台,而是演变为一种大规模消耗型武器。特别是“自杀式无人机”(巡飞弹/FPV),因其成本低廉、操作简单、打击精准,成为冲突双方争夺战场主动权的关键。 这种战术转变对供应链提出了前所未有的要求:不是需要几台昂贵的涡轮发动机,而是需要几万台甚至几十万台能够“一次性”完成任务的低速活塞发动机。 工业实力的具象化:宗申动力的“订单排期” 正如近期社交媒体上流传的图片所示,位于重庆的宗申动力(中国通用动力
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宗申动力
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2026-03-02 19:57:30
从“买方市场”到“卖方市场”:存储行业500%涨幅带来的结构性失衡
NAND闪存市场正经历一场前所未有的剧烈动荡。自2025年下半年以来,合约价格累计飙升500%,这场由AI驱动的涨价狂潮已不再局限于上游晶圆厂,而是迅速向下游传导,直接引发了供应链付款模式的剧变。全球NAND主控大厂群联电子近日正式通知客户,将调整付款条款,要求协商预付款安排,这标志着存储市场已进入“现金为王”的白热化争夺阶段。 过去六个月,NAND闪存市场经历了堪称“疯狂”的涨价周期。自2025年下半年起,合约价格连续翻番,累计涨幅高达500%。这种指数级的增长直接推高了中游厂商的采购成本,导
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2026-03-01 21:58:27
3.5D封装引爆HBM“吞金”狂潮,存储江湖迎来立体革命
随着博通(Broadcom)宣布其3.5D XDSiP平台正式出货,以及SK海力士(SK Hynix)加速布局混合键合(Hybrid Bonding)试点产线,存储芯片行业正站上一场深刻变革的悬崖边。这场变革的核心,是从“平面扩展”向“立体堆叠”的全面转型。它不仅关乎技术工艺的演进,更将彻底重构存储芯片的性能极限、市场格局与商业模式。 过去,存储芯片的性能提升主要依赖制程微缩,即在平面上塞进更多晶体管。然而,当制程逼近物理极限,这种“平面扩展”的红利已近枯竭。新技术路线图清晰地指向了“立体集成”
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2026-02-28 17:46:11
博通“王炸”技术落地!3.5D封装引爆HBM需求,长电科技、雅克科技站上风口
博通(Broadcom)联手台积电(TSMC),率先将一种名为“3.5D XDSiP”的革命性封装技术推向了量产,并且首个客户就是富士通(Fujitsu)。 这不仅是博通自家的技术胜利,更是AI芯片架构和HBM(高带宽内存)市场需求的下一个重大驱动力。 博通“3.5D XDSiP”正式量产 2026年2月26日(当地时间),博通宣布开始出货。 业界首个3.5D XDSiP(eXtreme Dimension System in Package,极致维度系统级封装)平台。 这是2.5D(将芯片并排
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2026-02-26 12:33:59
内存价格翻倍、订单排到2030:这场“印钞机”盛宴还能持续多久?
在科技制造业的历史上,我们很少见到如此极端的利润率——根据韩国大信证券的最新预测,今年韩国半导体公司的DRAM营业利润率或将达到惊人的80%。这一数字不仅远超英伟达(约60%)和茅台(约50%),更标志着存储行业正式进入了“印钞机”级别的超级暴利时代。 然而,当上游巨头沉浸在狂欢中时,下游的抵制情绪正如野火般蔓延。这场由AI驱动的供需失衡,正在将整个科技产业链推向一个临界点。 这一轮涨价的逻辑看似简单:AI基础设施建设对HBM(高带宽内存)的需求井喷,导致产能被大量挤占,进而引发了通用DRAM和
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《自然》重磅:中国科学家“以氟代氧”突破电池极限!续航成倍、耐寒升级
(2026年2月26日)凌晨,国际顶级学术期刊《自然》(Nature)发表了由中国科学家取得的首创性成果。 简单来说,这次突破相当于给电池内部的“交通系统”做了一次彻底的升级,让电子跑得更快、更顺畅。 核心成就:续航与耐寒“双杀” 这次由南开大学和上海空间电源研究所组成的团队,主要解决了锂电池长期存在的两大“痛点”: 续航成倍提升:在电池体积和重量不变的情况下,续航能力有望实现成倍提升。这意味着未来的手机可能两天充一次电,电动车可能轻松突破1000公里续航。 耐低温性能增强:电池在极寒环境下的性
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大宗商品还是AI基石?——拆解香橼做空逻辑与AI存储“超级周期”的本质分歧
闪迪(SanDisk, SNDK.US)遭到香橼(Citron Research)做空 简单来说,香橼认为市场对闪迪的狂热是建立在“虚假的供应短缺”之上的,并警告投资者:存储芯片是周期性行业,好景不长,且面临巨头的直接绞杀。 以下是这份做空报告的详细分析: 繁荣是“供应幻象” 香橼将当前存储芯片市场的繁荣定义为“供应幻象”。 目前的供应紧张并非长期趋势,而仅仅是因为三星在另一条产品线上暂时遇到了良率问题。香橼认为这个瓶颈是有时限的。 一旦瓶颈解除,两倍于2018年峰值的产能将释放,所谓的“短缺”
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自主可控与价值跃升:中国存储芯片产业链的深度协同与未来图景
在半导体产业中,存储芯片不仅是数据的“仓库”,更是连接计算与感知的“桥梁”。而支撑这一庞大产业运转的,离不开从上游材料到下游封测的完整国产化链条。这条链条上的每一环,都已成为中国存储产业实现自主可控与全球突围不可或缺的支柱。 存储芯片的制造,本质上是一场对原子级精度的极致追求,其源头始于高纯度的材料。 神工股份是这条路上的“刻蚀环节核心耗材专家”。它不仅仅提供大尺寸硅材料,更具备从材料到精密硅零部件的垂直整合能力。在3D NAND制造中,用于刻蚀出深孔结构的硅零部件,其纯度、平整度和耐腐蚀性直接
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利扬芯片
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突围“存储墙”:AI驱动下的HBM爆发与国产先进封装新机遇
Counterpoint Research 预测的 DRAM 和 NAND 价格在 2026 年持续大幅上涨(DRAM 涨幅甚至可能超过 60%,NAND 超过 30%),这不仅仅是周期性的反弹,更是一场由结构性需求爆发引发的供给侧改革。 AI 算力的吞噬效应:AI 大模型训练和推理需要海量数据的实时吞吐。这直接导致了对高带宽内存(HBM)和服务器级 DRAM 的需求呈指数级增长。这种需求不是可有可无的,而是 AI 服务器的“标配”,具有极强的刚性。 PC 与手机的“换机潮”:随着生成式 AI
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8层堆叠+12寸碳化硅:深科技的技术野心,不止于封测
今天我们要聊的主角是深科技。在AI算力爆发的宏大叙事中,大家的目光往往聚焦在光鲜的GPU设计厂商身上,却容易忽视那些在幕后默默构筑算力地基的“封测巨头”。随着全球在建最大混合式抽水蓄能电站的建设推进,电网对算力的需求激增,深科技作为国内存储封测的隐形冠军,正迎来技术与产能的双重爆发期。 2026年,AI不再是虚无缥缈的概念,而是落地为实实在在的工业基础设施。在这个庞大的体系中,存储芯片就是算力的“血液”。没有高速、大容量的存储,再强大的逻辑芯片也如同巧妇难为无米之炊。 深科技敏锐地捕捉到了这一趋
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内存荒:AI抢走你的显存,未来五年我们或将退回“8GB时代”
由 AI 算力军备竞赛引发的一场全球性的“算力通货膨胀”。 根据最新的市场动态(截至 2026 年 2 月),GDDR7 显存暴涨、8GB 显卡回潮以及游戏画质受限,实际上是 AI 资本疯狂挤占消费电子产能的必然结果。这场由 AI 引发的“内存荒”正在重塑整个硬件和软件生态。 核心矛盾:AI 的“吞金兽” vs. 消费者的“紧箍咒” 这场危机的根源在于产能错配。 AI 的贪婪吞噬:一台用于训练的 AI 服务器内存需求高达 1TB 以上,是普通服务器的 8-10 倍。像 OpenAI 的“星际之门
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算力神话破灭?英特尔警告:AI真正的“断头台”不是芯片,是内存!
英特尔CEO陈立武(Lip-Bu Tan)的警告并非危言耸听,而是揭示了一个从芯片设计到全球产业链布局的系统性危机。 AI发展的瓶颈已从“算力”转移至“内存”及更广泛的基础设施系统。 过去我们担忧的是GPU数量不够,但现在的情况是,即便有了GPU,没有足够的“内存墙”支撑,算力也只能空转。陈立武指出,内存短缺问题在 2028年之前都不会缓解。 内存短缺导致算力“虚胖”与成本失控 现象:数据中心的GPU利用率低下,不是因为算力弱,而是因为“数据搬运”速度跟不上。AI模型训练时,数据在GPU和内存间
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铠侠业绩引爆存储板块:AI需求驱动下,谁在抢筹“算力底座”核心资产?
当思科因存储芯片成本上涨而股价大跌时,美光、西部数据与希捷正凭借AI算力“粮仓”的定位,在资本市场上演价值重估。 2026年2月12日,美股市场出现戏剧性分化。 网络设备巨头思科(CSCO)因存储芯片成本压力导致毛利率不及预期,股价盘前大跌近8%;而另一边的存储概念股却集体爆发,闪迪(SNDK)盘前涨超6%,美光科技(MU)涨近4%,西部数据(WDC)与希捷科技(STX)亦涨超2%。 这一“冰火两重天”的局面,核心逻辑在于AI算力军备竞赛正深刻重构存储行业的定价权。随着日本存储巨头铠侠(Kiox
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2026-02-11 19:32:40
你的电源准备好了吗?曝英特尔下代旗舰 CPU 满载功耗超过 700W
根据知名爆料人 kopite7kimi 的说法,Nova Lake-S 的旗舰型号(代号 NVL-K)在 PL4(Power Level 4) 状态下,功耗确实超过了 700W。 PL4 是英特尔处理器中最高级别的功耗限制等级,通常代表芯片在极短时间内能够承受的绝对峰值功耗。它不同于我们常说的 TDP(热设计功耗)或 PL2(短时睿频功耗),PL4 通常用于防止瞬时电流过载导致系统崩溃,持续时间极短(通常以毫秒计)。 这主要归因于 Nova Lake-S 的 双芯片(Dual-Tile)架构。爆
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英伟达SRAM芯片传闻引发韩股震荡:一场关于存储技术认知的市场误读
英伟达新芯片传闻引发市场波动,SRAM架构误读揭示产业认知分歧 近日,受英伟达(NVIDIA)计划推出采用Groq片上SRAM架构的新型推理芯片的消息影响,韩国综合股价指数(KOSPI)出现剧烈震荡,其中内存相关股票显著走弱。市场担忧,SRAM技术的推广将削弱对高带宽内存(HBM)等主流存储产品的需求,从而冲击韩国半导体产业的核心利益。然而,随着行业分析机构的深入解读,这一恐慌被证实源于对存储技术特性的误读。事实上,SRAM并非HBM或DRAM的低成本替代品,而是一种面向特定高性能场景的差异化技
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伊美冲突下的无人机工业:中国低速发动机产能的深度解析
战争需求重塑供应链:从“高端”到“海量” 在当前伊美冲突加剧的背景下,无人机已不再仅仅是侦察或高端打击平台,而是演变为一种大规模消耗型武器。特别是“自杀式无人机”(巡飞弹/FPV),因其成本低廉、操作简单、打击精准,成为冲突双方争夺战场主动权的关键。 这种战术转变对供应链提出了前所未有的要求:不是需要几台昂贵的涡轮发动机,而是需要几万台甚至几十万台能够“一次性”完成任务的低速活塞发动机。 工业实力的具象化:宗申动力的“订单排期” 正如近期社交媒体上流传的图片所示,位于重庆的宗申动力(中国通用动力
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从“买方市场”到“卖方市场”:存储行业500%涨幅带来的结构性失衡
NAND闪存市场正经历一场前所未有的剧烈动荡。自2025年下半年以来,合约价格累计飙升500%,这场由AI驱动的涨价狂潮已不再局限于上游晶圆厂,而是迅速向下游传导,直接引发了供应链付款模式的剧变。全球NAND主控大厂群联电子近日正式通知客户,将调整付款条款,要求协商预付款安排,这标志着存储市场已进入“现金为王”的白热化争夺阶段。 过去六个月,NAND闪存市场经历了堪称“疯狂”的涨价周期。自2025年下半年起,合约价格连续翻番,累计涨幅高达500%。这种指数级的增长直接推高了中游厂商的采购成本,导
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3.5D封装引爆HBM“吞金”狂潮,存储江湖迎来立体革命
随着博通(Broadcom)宣布其3.5D XDSiP平台正式出货,以及SK海力士(SK Hynix)加速布局混合键合(Hybrid Bonding)试点产线,存储芯片行业正站上一场深刻变革的悬崖边。这场变革的核心,是从“平面扩展”向“立体堆叠”的全面转型。它不仅关乎技术工艺的演进,更将彻底重构存储芯片的性能极限、市场格局与商业模式。 过去,存储芯片的性能提升主要依赖制程微缩,即在平面上塞进更多晶体管。然而,当制程逼近物理极限,这种“平面扩展”的红利已近枯竭。新技术路线图清晰地指向了“立体集成”
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博通“王炸”技术落地!3.5D封装引爆HBM需求,长电科技、雅克科技站上风口
博通(Broadcom)联手台积电(TSMC),率先将一种名为“3.5D XDSiP”的革命性封装技术推向了量产,并且首个客户就是富士通(Fujitsu)。 这不仅是博通自家的技术胜利,更是AI芯片架构和HBM(高带宽内存)市场需求的下一个重大驱动力。 博通“3.5D XDSiP”正式量产 2026年2月26日(当地时间),博通宣布开始出货。 业界首个3.5D XDSiP(eXtreme Dimension System in Package,极致维度系统级封装)平台。 这是2.5D(将芯片并排
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内存价格翻倍、订单排到2030:这场“印钞机”盛宴还能持续多久?
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《自然》重磅:中国科学家“以氟代氧”突破电池极限!续航成倍、耐寒升级
(2026年2月26日)凌晨,国际顶级学术期刊《自然》(Nature)发表了由中国科学家取得的首创性成果。 简单来说,这次突破相当于给电池内部的“交通系统”做了一次彻底的升级,让电子跑得更快、更顺畅。 核心成就:续航与耐寒“双杀” 这次由南开大学和上海空间电源研究所组成的团队,主要解决了锂电池长期存在的两大“痛点”: 续航成倍提升:在电池体积和重量不变的情况下,续航能力有望实现成倍提升。这意味着未来的手机可能两天充一次电,电动车可能轻松突破1000公里续航。 耐低温性能增强:电池在极寒环境下的性
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自主可控与价值跃升:中国存储芯片产业链的深度协同与未来图景
在半导体产业中,存储芯片不仅是数据的“仓库”,更是连接计算与感知的“桥梁”。而支撑这一庞大产业运转的,离不开从上游材料到下游封测的完整国产化链条。这条链条上的每一环,都已成为中国存储产业实现自主可控与全球突围不可或缺的支柱。 存储芯片的制造,本质上是一场对原子级精度的极致追求,其源头始于高纯度的材料。 神工股份是这条路上的“刻蚀环节核心耗材专家”。它不仅仅提供大尺寸硅材料,更具备从材料到精密硅零部件的垂直整合能力。在3D NAND制造中,用于刻蚀出深孔结构的硅零部件,其纯度、平整度和耐腐蚀性直接
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Counterpoint Research 预测的 DRAM 和 NAND 价格在 2026 年持续大幅上涨(DRAM 涨幅甚至可能超过 60%,NAND 超过 30%),这不仅仅是周期性的反弹,更是一场由结构性需求爆发引发的供给侧改革。 AI 算力的吞噬效应:AI 大模型训练和推理需要海量数据的实时吞吐。这直接导致了对高带宽内存(HBM)和服务器级 DRAM 的需求呈指数级增长。这种需求不是可有可无的,而是 AI 服务器的“标配”,具有极强的刚性。 PC 与手机的“换机潮”:随着生成式 AI
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算力神话破灭?英特尔警告:AI真正的“断头台”不是芯片,是内存!
英特尔CEO陈立武(Lip-Bu Tan)的警告并非危言耸听,而是揭示了一个从芯片设计到全球产业链布局的系统性危机。 AI发展的瓶颈已从“算力”转移至“内存”及更广泛的基础设施系统。 过去我们担忧的是GPU数量不够,但现在的情况是,即便有了GPU,没有足够的“内存墙”支撑,算力也只能空转。陈立武指出,内存短缺问题在 2028年之前都不会缓解。 内存短缺导致算力“虚胖”与成本失控 现象:数据中心的GPU利用率低下,不是因为算力弱,而是因为“数据搬运”速度跟不上。AI模型训练时,数据在GPU和内存间
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铠侠业绩引爆存储板块:AI需求驱动下,谁在抢筹“算力底座”核心资产?
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你的电源准备好了吗?曝英特尔下代旗舰 CPU 满载功耗超过 700W
根据知名爆料人 kopite7kimi 的说法,Nova Lake-S 的旗舰型号(代号 NVL-K)在 PL4(Power Level 4) 状态下,功耗确实超过了 700W。 PL4 是英特尔处理器中最高级别的功耗限制等级,通常代表芯片在极短时间内能够承受的绝对峰值功耗。它不同于我们常说的 TDP(热设计功耗)或 PL2(短时睿频功耗),PL4 通常用于防止瞬时电流过载导致系统崩溃,持续时间极短(通常以毫秒计)。 这主要归因于 Nova Lake-S 的 双芯片(Dual-Tile)架构。爆
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2026-03-05 11:48:05
英伟达SRAM芯片传闻引发韩股震荡:一场关于存储技术认知的市场误读
英伟达新芯片传闻引发市场波动,SRAM架构误读揭示产业认知分歧 近日,受英伟达(NVIDIA)计划推出采用Groq片上SRAM架构的新型推理芯片的消息影响,韩国综合股价指数(KOSPI)出现剧烈震荡,其中内存相关股票显著走弱。市场担忧,SRAM技术的推广将削弱对高带宽内存(HBM)等主流存储产品的需求,从而冲击韩国半导体产业的核心利益。然而,随着行业分析机构的深入解读,这一恐慌被证实源于对存储技术特性的误读。事实上,SRAM并非HBM或DRAM的低成本替代品,而是一种面向特定高性能场景的差异化技
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2026-03-03 14:41:53
伊美冲突下的无人机工业:中国低速发动机产能的深度解析
战争需求重塑供应链:从“高端”到“海量” 在当前伊美冲突加剧的背景下,无人机已不再仅仅是侦察或高端打击平台,而是演变为一种大规模消耗型武器。特别是“自杀式无人机”(巡飞弹/FPV),因其成本低廉、操作简单、打击精准,成为冲突双方争夺战场主动权的关键。 这种战术转变对供应链提出了前所未有的要求:不是需要几台昂贵的涡轮发动机,而是需要几万台甚至几十万台能够“一次性”完成任务的低速活塞发动机。 工业实力的具象化:宗申动力的“订单排期” 正如近期社交媒体上流传的图片所示,位于重庆的宗申动力(中国通用动力
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2026-03-02 19:57:30
从“买方市场”到“卖方市场”:存储行业500%涨幅带来的结构性失衡
NAND闪存市场正经历一场前所未有的剧烈动荡。自2025年下半年以来,合约价格累计飙升500%,这场由AI驱动的涨价狂潮已不再局限于上游晶圆厂,而是迅速向下游传导,直接引发了供应链付款模式的剧变。全球NAND主控大厂群联电子近日正式通知客户,将调整付款条款,要求协商预付款安排,这标志着存储市场已进入“现金为王”的白热化争夺阶段。 过去六个月,NAND闪存市场经历了堪称“疯狂”的涨价周期。自2025年下半年起,合约价格连续翻番,累计涨幅高达500%。这种指数级的增长直接推高了中游厂商的采购成本,导
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3.5D封装引爆HBM“吞金”狂潮,存储江湖迎来立体革命
随着博通(Broadcom)宣布其3.5D XDSiP平台正式出货,以及SK海力士(SK Hynix)加速布局混合键合(Hybrid Bonding)试点产线,存储芯片行业正站上一场深刻变革的悬崖边。这场变革的核心,是从“平面扩展”向“立体堆叠”的全面转型。它不仅关乎技术工艺的演进,更将彻底重构存储芯片的性能极限、市场格局与商业模式。 过去,存储芯片的性能提升主要依赖制程微缩,即在平面上塞进更多晶体管。然而,当制程逼近物理极限,这种“平面扩展”的红利已近枯竭。新技术路线图清晰地指向了“立体集成”
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博通“王炸”技术落地!3.5D封装引爆HBM需求,长电科技、雅克科技站上风口
博通(Broadcom)联手台积电(TSMC),率先将一种名为“3.5D XDSiP”的革命性封装技术推向了量产,并且首个客户就是富士通(Fujitsu)。 这不仅是博通自家的技术胜利,更是AI芯片架构和HBM(高带宽内存)市场需求的下一个重大驱动力。 博通“3.5D XDSiP”正式量产 2026年2月26日(当地时间),博通宣布开始出货。 业界首个3.5D XDSiP(eXtreme Dimension System in Package,极致维度系统级封装)平台。 这是2.5D(将芯片并排
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内存价格翻倍、订单排到2030:这场“印钞机”盛宴还能持续多久?
在科技制造业的历史上,我们很少见到如此极端的利润率——根据韩国大信证券的最新预测,今年韩国半导体公司的DRAM营业利润率或将达到惊人的80%。这一数字不仅远超英伟达(约60%)和茅台(约50%),更标志着存储行业正式进入了“印钞机”级别的超级暴利时代。 然而,当上游巨头沉浸在狂欢中时,下游的抵制情绪正如野火般蔓延。这场由AI驱动的供需失衡,正在将整个科技产业链推向一个临界点。 这一轮涨价的逻辑看似简单:AI基础设施建设对HBM(高带宽内存)的需求井喷,导致产能被大量挤占,进而引发了通用DRAM和
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《自然》重磅:中国科学家“以氟代氧”突破电池极限!续航成倍、耐寒升级
(2026年2月26日)凌晨,国际顶级学术期刊《自然》(Nature)发表了由中国科学家取得的首创性成果。 简单来说,这次突破相当于给电池内部的“交通系统”做了一次彻底的升级,让电子跑得更快、更顺畅。 核心成就:续航与耐寒“双杀” 这次由南开大学和上海空间电源研究所组成的团队,主要解决了锂电池长期存在的两大“痛点”: 续航成倍提升:在电池体积和重量不变的情况下,续航能力有望实现成倍提升。这意味着未来的手机可能两天充一次电,电动车可能轻松突破1000公里续航。 耐低温性能增强:电池在极寒环境下的性
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大宗商品还是AI基石?——拆解香橼做空逻辑与AI存储“超级周期”的本质分歧
闪迪(SanDisk, SNDK.US)遭到香橼(Citron Research)做空 简单来说,香橼认为市场对闪迪的狂热是建立在“虚假的供应短缺”之上的,并警告投资者:存储芯片是周期性行业,好景不长,且面临巨头的直接绞杀。 以下是这份做空报告的详细分析: 繁荣是“供应幻象” 香橼将当前存储芯片市场的繁荣定义为“供应幻象”。 目前的供应紧张并非长期趋势,而仅仅是因为三星在另一条产品线上暂时遇到了良率问题。香橼认为这个瓶颈是有时限的。 一旦瓶颈解除,两倍于2018年峰值的产能将释放,所谓的“短缺”
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自主可控与价值跃升:中国存储芯片产业链的深度协同与未来图景
在半导体产业中,存储芯片不仅是数据的“仓库”,更是连接计算与感知的“桥梁”。而支撑这一庞大产业运转的,离不开从上游材料到下游封测的完整国产化链条。这条链条上的每一环,都已成为中国存储产业实现自主可控与全球突围不可或缺的支柱。 存储芯片的制造,本质上是一场对原子级精度的极致追求,其源头始于高纯度的材料。 神工股份是这条路上的“刻蚀环节核心耗材专家”。它不仅仅提供大尺寸硅材料,更具备从材料到精密硅零部件的垂直整合能力。在3D NAND制造中,用于刻蚀出深孔结构的硅零部件,其纯度、平整度和耐腐蚀性直接
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突围“存储墙”:AI驱动下的HBM爆发与国产先进封装新机遇
Counterpoint Research 预测的 DRAM 和 NAND 价格在 2026 年持续大幅上涨(DRAM 涨幅甚至可能超过 60%,NAND 超过 30%),这不仅仅是周期性的反弹,更是一场由结构性需求爆发引发的供给侧改革。 AI 算力的吞噬效应:AI 大模型训练和推理需要海量数据的实时吞吐。这直接导致了对高带宽内存(HBM)和服务器级 DRAM 的需求呈指数级增长。这种需求不是可有可无的,而是 AI 服务器的“标配”,具有极强的刚性。 PC 与手机的“换机潮”:随着生成式 AI
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8层堆叠+12寸碳化硅:深科技的技术野心,不止于封测
今天我们要聊的主角是深科技。在AI算力爆发的宏大叙事中,大家的目光往往聚焦在光鲜的GPU设计厂商身上,却容易忽视那些在幕后默默构筑算力地基的“封测巨头”。随着全球在建最大混合式抽水蓄能电站的建设推进,电网对算力的需求激增,深科技作为国内存储封测的隐形冠军,正迎来技术与产能的双重爆发期。 2026年,AI不再是虚无缥缈的概念,而是落地为实实在在的工业基础设施。在这个庞大的体系中,存储芯片就是算力的“血液”。没有高速、大容量的存储,再强大的逻辑芯片也如同巧妇难为无米之炊。 深科技敏锐地捕捉到了这一趋
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内存荒:AI抢走你的显存,未来五年我们或将退回“8GB时代”
由 AI 算力军备竞赛引发的一场全球性的“算力通货膨胀”。 根据最新的市场动态(截至 2026 年 2 月),GDDR7 显存暴涨、8GB 显卡回潮以及游戏画质受限,实际上是 AI 资本疯狂挤占消费电子产能的必然结果。这场由 AI 引发的“内存荒”正在重塑整个硬件和软件生态。 核心矛盾:AI 的“吞金兽” vs. 消费者的“紧箍咒” 这场危机的根源在于产能错配。 AI 的贪婪吞噬:一台用于训练的 AI 服务器内存需求高达 1TB 以上,是普通服务器的 8-10 倍。像 OpenAI 的“星际之门
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算力神话破灭?英特尔警告:AI真正的“断头台”不是芯片,是内存!
英特尔CEO陈立武(Lip-Bu Tan)的警告并非危言耸听,而是揭示了一个从芯片设计到全球产业链布局的系统性危机。 AI发展的瓶颈已从“算力”转移至“内存”及更广泛的基础设施系统。 过去我们担忧的是GPU数量不够,但现在的情况是,即便有了GPU,没有足够的“内存墙”支撑,算力也只能空转。陈立武指出,内存短缺问题在 2028年之前都不会缓解。 内存短缺导致算力“虚胖”与成本失控 现象:数据中心的GPU利用率低下,不是因为算力弱,而是因为“数据搬运”速度跟不上。AI模型训练时,数据在GPU和内存间
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铠侠业绩引爆存储板块:AI需求驱动下,谁在抢筹“算力底座”核心资产?
当思科因存储芯片成本上涨而股价大跌时,美光、西部数据与希捷正凭借AI算力“粮仓”的定位,在资本市场上演价值重估。 2026年2月12日,美股市场出现戏剧性分化。 网络设备巨头思科(CSCO)因存储芯片成本压力导致毛利率不及预期,股价盘前大跌近8%;而另一边的存储概念股却集体爆发,闪迪(SNDK)盘前涨超6%,美光科技(MU)涨近4%,西部数据(WDC)与希捷科技(STX)亦涨超2%。 这一“冰火两重天”的局面,核心逻辑在于AI算力军备竞赛正深刻重构存储行业的定价权。随着日本存储巨头铠侠(Kiox
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你的电源准备好了吗?曝英特尔下代旗舰 CPU 满载功耗超过 700W
根据知名爆料人 kopite7kimi 的说法,Nova Lake-S 的旗舰型号(代号 NVL-K)在 PL4(Power Level 4) 状态下,功耗确实超过了 700W。 PL4 是英特尔处理器中最高级别的功耗限制等级,通常代表芯片在极短时间内能够承受的绝对峰值功耗。它不同于我们常说的 TDP(热设计功耗)或 PL2(短时睿频功耗),PL4 通常用于防止瞬时电流过载导致系统崩溃,持续时间极短(通常以毫秒计)。 这主要归因于 Nova Lake-S 的 双芯片(Dual-Tile)架构。爆
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英伟达SRAM芯片传闻引发韩股震荡:一场关于存储技术认知的市场误读
英伟达新芯片传闻引发市场波动,SRAM架构误读揭示产业认知分歧 近日,受英伟达(NVIDIA)计划推出采用Groq片上SRAM架构的新型推理芯片的消息影响,韩国综合股价指数(KOSPI)出现剧烈震荡,其中内存相关股票显著走弱。市场担忧,SRAM技术的推广将削弱对高带宽内存(HBM)等主流存储产品的需求,从而冲击韩国半导体产业的核心利益。然而,随着行业分析机构的深入解读,这一恐慌被证实源于对存储技术特性的误读。事实上,SRAM并非HBM或DRAM的低成本替代品,而是一种面向特定高性能场景的差异化技
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战争需求重塑供应链:从“高端”到“海量” 在当前伊美冲突加剧的背景下,无人机已不再仅仅是侦察或高端打击平台,而是演变为一种大规模消耗型武器。特别是“自杀式无人机”(巡飞弹/FPV),因其成本低廉、操作简单、打击精准,成为冲突双方争夺战场主动权的关键。 这种战术转变对供应链提出了前所未有的要求:不是需要几台昂贵的涡轮发动机,而是需要几万台甚至几十万台能够“一次性”完成任务的低速活塞发动机。 工业实力的具象化:宗申动力的“订单排期” 正如近期社交媒体上流传的图片所示,位于重庆的宗申动力(中国通用动力
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NAND闪存市场正经历一场前所未有的剧烈动荡。自2025年下半年以来,合约价格累计飙升500%,这场由AI驱动的涨价狂潮已不再局限于上游晶圆厂,而是迅速向下游传导,直接引发了供应链付款模式的剧变。全球NAND主控大厂群联电子近日正式通知客户,将调整付款条款,要求协商预付款安排,这标志着存储市场已进入“现金为王”的白热化争夺阶段。 过去六个月,NAND闪存市场经历了堪称“疯狂”的涨价周期。自2025年下半年起,合约价格连续翻番,累计涨幅高达500%。这种指数级的增长直接推高了中游厂商的采购成本,导
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3.5D封装引爆HBM“吞金”狂潮,存储江湖迎来立体革命
随着博通(Broadcom)宣布其3.5D XDSiP平台正式出货,以及SK海力士(SK Hynix)加速布局混合键合(Hybrid Bonding)试点产线,存储芯片行业正站上一场深刻变革的悬崖边。这场变革的核心,是从“平面扩展”向“立体堆叠”的全面转型。它不仅关乎技术工艺的演进,更将彻底重构存储芯片的性能极限、市场格局与商业模式。 过去,存储芯片的性能提升主要依赖制程微缩,即在平面上塞进更多晶体管。然而,当制程逼近物理极限,这种“平面扩展”的红利已近枯竭。新技术路线图清晰地指向了“立体集成”
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博通(Broadcom)联手台积电(TSMC),率先将一种名为“3.5D XDSiP”的革命性封装技术推向了量产,并且首个客户就是富士通(Fujitsu)。 这不仅是博通自家的技术胜利,更是AI芯片架构和HBM(高带宽内存)市场需求的下一个重大驱动力。 博通“3.5D XDSiP”正式量产 2026年2月26日(当地时间),博通宣布开始出货。 业界首个3.5D XDSiP(eXtreme Dimension System in Package,极致维度系统级封装)平台。 这是2.5D(将芯片并排
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内存价格翻倍、订单排到2030:这场“印钞机”盛宴还能持续多久?
在科技制造业的历史上,我们很少见到如此极端的利润率——根据韩国大信证券的最新预测,今年韩国半导体公司的DRAM营业利润率或将达到惊人的80%。这一数字不仅远超英伟达(约60%)和茅台(约50%),更标志着存储行业正式进入了“印钞机”级别的超级暴利时代。 然而,当上游巨头沉浸在狂欢中时,下游的抵制情绪正如野火般蔓延。这场由AI驱动的供需失衡,正在将整个科技产业链推向一个临界点。 这一轮涨价的逻辑看似简单:AI基础设施建设对HBM(高带宽内存)的需求井喷,导致产能被大量挤占,进而引发了通用DRAM和
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(2026年2月26日)凌晨,国际顶级学术期刊《自然》(Nature)发表了由中国科学家取得的首创性成果。 简单来说,这次突破相当于给电池内部的“交通系统”做了一次彻底的升级,让电子跑得更快、更顺畅。 核心成就:续航与耐寒“双杀” 这次由南开大学和上海空间电源研究所组成的团队,主要解决了锂电池长期存在的两大“痛点”: 续航成倍提升:在电池体积和重量不变的情况下,续航能力有望实现成倍提升。这意味着未来的手机可能两天充一次电,电动车可能轻松突破1000公里续航。 耐低温性能增强:电池在极寒环境下的性
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闪迪(SanDisk, SNDK.US)遭到香橼(Citron Research)做空 简单来说,香橼认为市场对闪迪的狂热是建立在“虚假的供应短缺”之上的,并警告投资者:存储芯片是周期性行业,好景不长,且面临巨头的直接绞杀。 以下是这份做空报告的详细分析: 繁荣是“供应幻象” 香橼将当前存储芯片市场的繁荣定义为“供应幻象”。 目前的供应紧张并非长期趋势,而仅仅是因为三星在另一条产品线上暂时遇到了良率问题。香橼认为这个瓶颈是有时限的。 一旦瓶颈解除,两倍于2018年峰值的产能将释放,所谓的“短缺”
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在半导体产业中,存储芯片不仅是数据的“仓库”,更是连接计算与感知的“桥梁”。而支撑这一庞大产业运转的,离不开从上游材料到下游封测的完整国产化链条。这条链条上的每一环,都已成为中国存储产业实现自主可控与全球突围不可或缺的支柱。 存储芯片的制造,本质上是一场对原子级精度的极致追求,其源头始于高纯度的材料。 神工股份是这条路上的“刻蚀环节核心耗材专家”。它不仅仅提供大尺寸硅材料,更具备从材料到精密硅零部件的垂直整合能力。在3D NAND制造中,用于刻蚀出深孔结构的硅零部件,其纯度、平整度和耐腐蚀性直接
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今天我们要聊的主角是深科技。在AI算力爆发的宏大叙事中,大家的目光往往聚焦在光鲜的GPU设计厂商身上,却容易忽视那些在幕后默默构筑算力地基的“封测巨头”。随着全球在建最大混合式抽水蓄能电站的建设推进,电网对算力的需求激增,深科技作为国内存储封测的隐形冠军,正迎来技术与产能的双重爆发期。 2026年,AI不再是虚无缥缈的概念,而是落地为实实在在的工业基础设施。在这个庞大的体系中,存储芯片就是算力的“血液”。没有高速、大容量的存储,再强大的逻辑芯片也如同巧妇难为无米之炊。 深科技敏锐地捕捉到了这一趋
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由 AI 算力军备竞赛引发的一场全球性的“算力通货膨胀”。 根据最新的市场动态(截至 2026 年 2 月),GDDR7 显存暴涨、8GB 显卡回潮以及游戏画质受限,实际上是 AI 资本疯狂挤占消费电子产能的必然结果。这场由 AI 引发的“内存荒”正在重塑整个硬件和软件生态。 核心矛盾:AI 的“吞金兽” vs. 消费者的“紧箍咒” 这场危机的根源在于产能错配。 AI 的贪婪吞噬:一台用于训练的 AI 服务器内存需求高达 1TB 以上,是普通服务器的 8-10 倍。像 OpenAI 的“星际之门
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算力神话破灭?英特尔警告:AI真正的“断头台”不是芯片,是内存!
英特尔CEO陈立武(Lip-Bu Tan)的警告并非危言耸听,而是揭示了一个从芯片设计到全球产业链布局的系统性危机。 AI发展的瓶颈已从“算力”转移至“内存”及更广泛的基础设施系统。 过去我们担忧的是GPU数量不够,但现在的情况是,即便有了GPU,没有足够的“内存墙”支撑,算力也只能空转。陈立武指出,内存短缺问题在 2028年之前都不会缓解。 内存短缺导致算力“虚胖”与成本失控 现象:数据中心的GPU利用率低下,不是因为算力弱,而是因为“数据搬运”速度跟不上。AI模型训练时,数据在GPU和内存间
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铠侠业绩引爆存储板块:AI需求驱动下,谁在抢筹“算力底座”核心资产?
当思科因存储芯片成本上涨而股价大跌时,美光、西部数据与希捷正凭借AI算力“粮仓”的定位,在资本市场上演价值重估。 2026年2月12日,美股市场出现戏剧性分化。 网络设备巨头思科(CSCO)因存储芯片成本压力导致毛利率不及预期,股价盘前大跌近8%;而另一边的存储概念股却集体爆发,闪迪(SNDK)盘前涨超6%,美光科技(MU)涨近4%,西部数据(WDC)与希捷科技(STX)亦涨超2%。 这一“冰火两重天”的局面,核心逻辑在于AI算力军备竞赛正深刻重构存储行业的定价权。随着日本存储巨头铠侠(Kiox
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2026-02-11 19:32:40
你的电源准备好了吗?曝英特尔下代旗舰 CPU 满载功耗超过 700W
根据知名爆料人 kopite7kimi 的说法,Nova Lake-S 的旗舰型号(代号 NVL-K)在 PL4(Power Level 4) 状态下,功耗确实超过了 700W。 PL4 是英特尔处理器中最高级别的功耗限制等级,通常代表芯片在极短时间内能够承受的绝对峰值功耗。它不同于我们常说的 TDP(热设计功耗)或 PL2(短时睿频功耗),PL4 通常用于防止瞬时电流过载导致系统崩溃,持续时间极短(通常以毫秒计)。 这主要归因于 Nova Lake-S 的 双芯片(Dual-Tile)架构。爆
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英伟达SRAM芯片传闻引发韩股震荡:一场关于存储技术认知的市场误读
英伟达新芯片传闻引发市场波动,SRAM架构误读揭示产业认知分歧 近日,受英伟达(NVIDIA)计划推出采用Groq片上SRAM架构的新型推理芯片的消息影响,韩国综合股价指数(KOSPI)出现剧烈震荡,其中内存相关股票显著走弱。市场担忧,SRAM技术的推广将削弱对高带宽内存(HBM)等主流存储产品的需求,从而冲击韩国半导体产业的核心利益。然而,随着行业分析机构的深入解读,这一恐慌被证实源于对存储技术特性的误读。事实上,SRAM并非HBM或DRAM的低成本替代品,而是一种面向特定高性能场景的差异化技
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伊美冲突下的无人机工业:中国低速发动机产能的深度解析
战争需求重塑供应链:从“高端”到“海量” 在当前伊美冲突加剧的背景下,无人机已不再仅仅是侦察或高端打击平台,而是演变为一种大规模消耗型武器。特别是“自杀式无人机”(巡飞弹/FPV),因其成本低廉、操作简单、打击精准,成为冲突双方争夺战场主动权的关键。 这种战术转变对供应链提出了前所未有的要求:不是需要几台昂贵的涡轮发动机,而是需要几万台甚至几十万台能够“一次性”完成任务的低速活塞发动机。 工业实力的具象化:宗申动力的“订单排期” 正如近期社交媒体上流传的图片所示,位于重庆的宗申动力(中国通用动力
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从“买方市场”到“卖方市场”:存储行业500%涨幅带来的结构性失衡
NAND闪存市场正经历一场前所未有的剧烈动荡。自2025年下半年以来,合约价格累计飙升500%,这场由AI驱动的涨价狂潮已不再局限于上游晶圆厂,而是迅速向下游传导,直接引发了供应链付款模式的剧变。全球NAND主控大厂群联电子近日正式通知客户,将调整付款条款,要求协商预付款安排,这标志着存储市场已进入“现金为王”的白热化争夺阶段。 过去六个月,NAND闪存市场经历了堪称“疯狂”的涨价周期。自2025年下半年起,合约价格连续翻番,累计涨幅高达500%。这种指数级的增长直接推高了中游厂商的采购成本,导
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3.5D封装引爆HBM“吞金”狂潮,存储江湖迎来立体革命
随着博通(Broadcom)宣布其3.5D XDSiP平台正式出货,以及SK海力士(SK Hynix)加速布局混合键合(Hybrid Bonding)试点产线,存储芯片行业正站上一场深刻变革的悬崖边。这场变革的核心,是从“平面扩展”向“立体堆叠”的全面转型。它不仅关乎技术工艺的演进,更将彻底重构存储芯片的性能极限、市场格局与商业模式。 过去,存储芯片的性能提升主要依赖制程微缩,即在平面上塞进更多晶体管。然而,当制程逼近物理极限,这种“平面扩展”的红利已近枯竭。新技术路线图清晰地指向了“立体集成”
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博通“王炸”技术落地!3.5D封装引爆HBM需求,长电科技、雅克科技站上风口
博通(Broadcom)联手台积电(TSMC),率先将一种名为“3.5D XDSiP”的革命性封装技术推向了量产,并且首个客户就是富士通(Fujitsu)。 这不仅是博通自家的技术胜利,更是AI芯片架构和HBM(高带宽内存)市场需求的下一个重大驱动力。 博通“3.5D XDSiP”正式量产 2026年2月26日(当地时间),博通宣布开始出货。 业界首个3.5D XDSiP(eXtreme Dimension System in Package,极致维度系统级封装)平台。 这是2.5D(将芯片并排
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内存价格翻倍、订单排到2030:这场“印钞机”盛宴还能持续多久?
在科技制造业的历史上,我们很少见到如此极端的利润率——根据韩国大信证券的最新预测,今年韩国半导体公司的DRAM营业利润率或将达到惊人的80%。这一数字不仅远超英伟达(约60%)和茅台(约50%),更标志着存储行业正式进入了“印钞机”级别的超级暴利时代。 然而,当上游巨头沉浸在狂欢中时,下游的抵制情绪正如野火般蔓延。这场由AI驱动的供需失衡,正在将整个科技产业链推向一个临界点。 这一轮涨价的逻辑看似简单:AI基础设施建设对HBM(高带宽内存)的需求井喷,导致产能被大量挤占,进而引发了通用DRAM和
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《自然》重磅:中国科学家“以氟代氧”突破电池极限!续航成倍、耐寒升级
(2026年2月26日)凌晨,国际顶级学术期刊《自然》(Nature)发表了由中国科学家取得的首创性成果。 简单来说,这次突破相当于给电池内部的“交通系统”做了一次彻底的升级,让电子跑得更快、更顺畅。 核心成就:续航与耐寒“双杀” 这次由南开大学和上海空间电源研究所组成的团队,主要解决了锂电池长期存在的两大“痛点”: 续航成倍提升:在电池体积和重量不变的情况下,续航能力有望实现成倍提升。这意味着未来的手机可能两天充一次电,电动车可能轻松突破1000公里续航。 耐低温性能增强:电池在极寒环境下的性
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大宗商品还是AI基石?——拆解香橼做空逻辑与AI存储“超级周期”的本质分歧
闪迪(SanDisk, SNDK.US)遭到香橼(Citron Research)做空 简单来说,香橼认为市场对闪迪的狂热是建立在“虚假的供应短缺”之上的,并警告投资者:存储芯片是周期性行业,好景不长,且面临巨头的直接绞杀。 以下是这份做空报告的详细分析: 繁荣是“供应幻象” 香橼将当前存储芯片市场的繁荣定义为“供应幻象”。 目前的供应紧张并非长期趋势,而仅仅是因为三星在另一条产品线上暂时遇到了良率问题。香橼认为这个瓶颈是有时限的。 一旦瓶颈解除,两倍于2018年峰值的产能将释放,所谓的“短缺”
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自主可控与价值跃升:中国存储芯片产业链的深度协同与未来图景
在半导体产业中,存储芯片不仅是数据的“仓库”,更是连接计算与感知的“桥梁”。而支撑这一庞大产业运转的,离不开从上游材料到下游封测的完整国产化链条。这条链条上的每一环,都已成为中国存储产业实现自主可控与全球突围不可或缺的支柱。 存储芯片的制造,本质上是一场对原子级精度的极致追求,其源头始于高纯度的材料。 神工股份是这条路上的“刻蚀环节核心耗材专家”。它不仅仅提供大尺寸硅材料,更具备从材料到精密硅零部件的垂直整合能力。在3D NAND制造中,用于刻蚀出深孔结构的硅零部件,其纯度、平整度和耐腐蚀性直接
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突围“存储墙”:AI驱动下的HBM爆发与国产先进封装新机遇
Counterpoint Research 预测的 DRAM 和 NAND 价格在 2026 年持续大幅上涨(DRAM 涨幅甚至可能超过 60%,NAND 超过 30%),这不仅仅是周期性的反弹,更是一场由结构性需求爆发引发的供给侧改革。 AI 算力的吞噬效应:AI 大模型训练和推理需要海量数据的实时吞吐。这直接导致了对高带宽内存(HBM)和服务器级 DRAM 的需求呈指数级增长。这种需求不是可有可无的,而是 AI 服务器的“标配”,具有极强的刚性。 PC 与手机的“换机潮”:随着生成式 AI
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8层堆叠+12寸碳化硅:深科技的技术野心,不止于封测
今天我们要聊的主角是深科技。在AI算力爆发的宏大叙事中,大家的目光往往聚焦在光鲜的GPU设计厂商身上,却容易忽视那些在幕后默默构筑算力地基的“封测巨头”。随着全球在建最大混合式抽水蓄能电站的建设推进,电网对算力的需求激增,深科技作为国内存储封测的隐形冠军,正迎来技术与产能的双重爆发期。 2026年,AI不再是虚无缥缈的概念,而是落地为实实在在的工业基础设施。在这个庞大的体系中,存储芯片就是算力的“血液”。没有高速、大容量的存储,再强大的逻辑芯片也如同巧妇难为无米之炊。 深科技敏锐地捕捉到了这一趋
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内存荒:AI抢走你的显存,未来五年我们或将退回“8GB时代”
由 AI 算力军备竞赛引发的一场全球性的“算力通货膨胀”。 根据最新的市场动态(截至 2026 年 2 月),GDDR7 显存暴涨、8GB 显卡回潮以及游戏画质受限,实际上是 AI 资本疯狂挤占消费电子产能的必然结果。这场由 AI 引发的“内存荒”正在重塑整个硬件和软件生态。 核心矛盾:AI 的“吞金兽” vs. 消费者的“紧箍咒” 这场危机的根源在于产能错配。 AI 的贪婪吞噬:一台用于训练的 AI 服务器内存需求高达 1TB 以上,是普通服务器的 8-10 倍。像 OpenAI 的“星际之门
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算力神话破灭?英特尔警告:AI真正的“断头台”不是芯片,是内存!
英特尔CEO陈立武(Lip-Bu Tan)的警告并非危言耸听,而是揭示了一个从芯片设计到全球产业链布局的系统性危机。 AI发展的瓶颈已从“算力”转移至“内存”及更广泛的基础设施系统。 过去我们担忧的是GPU数量不够,但现在的情况是,即便有了GPU,没有足够的“内存墙”支撑,算力也只能空转。陈立武指出,内存短缺问题在 2028年之前都不会缓解。 内存短缺导致算力“虚胖”与成本失控 现象:数据中心的GPU利用率低下,不是因为算力弱,而是因为“数据搬运”速度跟不上。AI模型训练时,数据在GPU和内存间
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铠侠业绩引爆存储板块:AI需求驱动下,谁在抢筹“算力底座”核心资产?
当思科因存储芯片成本上涨而股价大跌时,美光、西部数据与希捷正凭借AI算力“粮仓”的定位,在资本市场上演价值重估。 2026年2月12日,美股市场出现戏剧性分化。 网络设备巨头思科(CSCO)因存储芯片成本压力导致毛利率不及预期,股价盘前大跌近8%;而另一边的存储概念股却集体爆发,闪迪(SNDK)盘前涨超6%,美光科技(MU)涨近4%,西部数据(WDC)与希捷科技(STX)亦涨超2%。 这一“冰火两重天”的局面,核心逻辑在于AI算力军备竞赛正深刻重构存储行业的定价权。随着日本存储巨头铠侠(Kiox
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你的电源准备好了吗?曝英特尔下代旗舰 CPU 满载功耗超过 700W
根据知名爆料人 kopite7kimi 的说法,Nova Lake-S 的旗舰型号(代号 NVL-K)在 PL4(Power Level 4) 状态下,功耗确实超过了 700W。 PL4 是英特尔处理器中最高级别的功耗限制等级,通常代表芯片在极短时间内能够承受的绝对峰值功耗。它不同于我们常说的 TDP(热设计功耗)或 PL2(短时睿频功耗),PL4 通常用于防止瞬时电流过载导致系统崩溃,持续时间极短(通常以毫秒计)。 这主要归因于 Nova Lake-S 的 双芯片(Dual-Tile)架构。爆
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英伟达SRAM芯片传闻引发韩股震荡:一场关于存储技术认知的市场误读
英伟达新芯片传闻引发市场波动,SRAM架构误读揭示产业认知分歧 近日,受英伟达(NVIDIA)计划推出采用Groq片上SRAM架构的新型推理芯片的消息影响,韩国综合股价指数(KOSPI)出现剧烈震荡,其中内存相关股票显著走弱。市场担忧,SRAM技术的推广将削弱对高带宽内存(HBM)等主流存储产品的需求,从而冲击韩国半导体产业的核心利益。然而,随着行业分析机构的深入解读,这一恐慌被证实源于对存储技术特性的误读。事实上,SRAM并非HBM或DRAM的低成本替代品,而是一种面向特定高性能场景的差异化技
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战争需求重塑供应链:从“高端”到“海量” 在当前伊美冲突加剧的背景下,无人机已不再仅仅是侦察或高端打击平台,而是演变为一种大规模消耗型武器。特别是“自杀式无人机”(巡飞弹/FPV),因其成本低廉、操作简单、打击精准,成为冲突双方争夺战场主动权的关键。 这种战术转变对供应链提出了前所未有的要求:不是需要几台昂贵的涡轮发动机,而是需要几万台甚至几十万台能够“一次性”完成任务的低速活塞发动机。 工业实力的具象化:宗申动力的“订单排期” 正如近期社交媒体上流传的图片所示,位于重庆的宗申动力(中国通用动力
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NAND闪存市场正经历一场前所未有的剧烈动荡。自2025年下半年以来,合约价格累计飙升500%,这场由AI驱动的涨价狂潮已不再局限于上游晶圆厂,而是迅速向下游传导,直接引发了供应链付款模式的剧变。全球NAND主控大厂群联电子近日正式通知客户,将调整付款条款,要求协商预付款安排,这标志着存储市场已进入“现金为王”的白热化争夺阶段。 过去六个月,NAND闪存市场经历了堪称“疯狂”的涨价周期。自2025年下半年起,合约价格连续翻番,累计涨幅高达500%。这种指数级的增长直接推高了中游厂商的采购成本,导
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3.5D封装引爆HBM“吞金”狂潮,存储江湖迎来立体革命
随着博通(Broadcom)宣布其3.5D XDSiP平台正式出货,以及SK海力士(SK Hynix)加速布局混合键合(Hybrid Bonding)试点产线,存储芯片行业正站上一场深刻变革的悬崖边。这场变革的核心,是从“平面扩展”向“立体堆叠”的全面转型。它不仅关乎技术工艺的演进,更将彻底重构存储芯片的性能极限、市场格局与商业模式。 过去,存储芯片的性能提升主要依赖制程微缩,即在平面上塞进更多晶体管。然而,当制程逼近物理极限,这种“平面扩展”的红利已近枯竭。新技术路线图清晰地指向了“立体集成”
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博通(Broadcom)联手台积电(TSMC),率先将一种名为“3.5D XDSiP”的革命性封装技术推向了量产,并且首个客户就是富士通(Fujitsu)。 这不仅是博通自家的技术胜利,更是AI芯片架构和HBM(高带宽内存)市场需求的下一个重大驱动力。 博通“3.5D XDSiP”正式量产 2026年2月26日(当地时间),博通宣布开始出货。 业界首个3.5D XDSiP(eXtreme Dimension System in Package,极致维度系统级封装)平台。 这是2.5D(将芯片并排
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内存价格翻倍、订单排到2030:这场“印钞机”盛宴还能持续多久?
在科技制造业的历史上,我们很少见到如此极端的利润率——根据韩国大信证券的最新预测,今年韩国半导体公司的DRAM营业利润率或将达到惊人的80%。这一数字不仅远超英伟达(约60%)和茅台(约50%),更标志着存储行业正式进入了“印钞机”级别的超级暴利时代。 然而,当上游巨头沉浸在狂欢中时,下游的抵制情绪正如野火般蔓延。这场由AI驱动的供需失衡,正在将整个科技产业链推向一个临界点。 这一轮涨价的逻辑看似简单:AI基础设施建设对HBM(高带宽内存)的需求井喷,导致产能被大量挤占,进而引发了通用DRAM和
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《自然》重磅:中国科学家“以氟代氧”突破电池极限!续航成倍、耐寒升级
(2026年2月26日)凌晨,国际顶级学术期刊《自然》(Nature)发表了由中国科学家取得的首创性成果。 简单来说,这次突破相当于给电池内部的“交通系统”做了一次彻底的升级,让电子跑得更快、更顺畅。 核心成就:续航与耐寒“双杀” 这次由南开大学和上海空间电源研究所组成的团队,主要解决了锂电池长期存在的两大“痛点”: 续航成倍提升:在电池体积和重量不变的情况下,续航能力有望实现成倍提升。这意味着未来的手机可能两天充一次电,电动车可能轻松突破1000公里续航。 耐低温性能增强:电池在极寒环境下的性
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大宗商品还是AI基石?——拆解香橼做空逻辑与AI存储“超级周期”的本质分歧
闪迪(SanDisk, SNDK.US)遭到香橼(Citron Research)做空 简单来说,香橼认为市场对闪迪的狂热是建立在“虚假的供应短缺”之上的,并警告投资者:存储芯片是周期性行业,好景不长,且面临巨头的直接绞杀。 以下是这份做空报告的详细分析: 繁荣是“供应幻象” 香橼将当前存储芯片市场的繁荣定义为“供应幻象”。 目前的供应紧张并非长期趋势,而仅仅是因为三星在另一条产品线上暂时遇到了良率问题。香橼认为这个瓶颈是有时限的。 一旦瓶颈解除,两倍于2018年峰值的产能将释放,所谓的“短缺”
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自主可控与价值跃升:中国存储芯片产业链的深度协同与未来图景
在半导体产业中,存储芯片不仅是数据的“仓库”,更是连接计算与感知的“桥梁”。而支撑这一庞大产业运转的,离不开从上游材料到下游封测的完整国产化链条。这条链条上的每一环,都已成为中国存储产业实现自主可控与全球突围不可或缺的支柱。 存储芯片的制造,本质上是一场对原子级精度的极致追求,其源头始于高纯度的材料。 神工股份是这条路上的“刻蚀环节核心耗材专家”。它不仅仅提供大尺寸硅材料,更具备从材料到精密硅零部件的垂直整合能力。在3D NAND制造中,用于刻蚀出深孔结构的硅零部件,其纯度、平整度和耐腐蚀性直接
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Counterpoint Research 预测的 DRAM 和 NAND 价格在 2026 年持续大幅上涨(DRAM 涨幅甚至可能超过 60%,NAND 超过 30%),这不仅仅是周期性的反弹,更是一场由结构性需求爆发引发的供给侧改革。 AI 算力的吞噬效应:AI 大模型训练和推理需要海量数据的实时吞吐。这直接导致了对高带宽内存(HBM)和服务器级 DRAM 的需求呈指数级增长。这种需求不是可有可无的,而是 AI 服务器的“标配”,具有极强的刚性。 PC 与手机的“换机潮”:随着生成式 AI
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今天我们要聊的主角是深科技。在AI算力爆发的宏大叙事中,大家的目光往往聚焦在光鲜的GPU设计厂商身上,却容易忽视那些在幕后默默构筑算力地基的“封测巨头”。随着全球在建最大混合式抽水蓄能电站的建设推进,电网对算力的需求激增,深科技作为国内存储封测的隐形冠军,正迎来技术与产能的双重爆发期。 2026年,AI不再是虚无缥缈的概念,而是落地为实实在在的工业基础设施。在这个庞大的体系中,存储芯片就是算力的“血液”。没有高速、大容量的存储,再强大的逻辑芯片也如同巧妇难为无米之炊。 深科技敏锐地捕捉到了这一趋
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由 AI 算力军备竞赛引发的一场全球性的“算力通货膨胀”。 根据最新的市场动态(截至 2026 年 2 月),GDDR7 显存暴涨、8GB 显卡回潮以及游戏画质受限,实际上是 AI 资本疯狂挤占消费电子产能的必然结果。这场由 AI 引发的“内存荒”正在重塑整个硬件和软件生态。 核心矛盾:AI 的“吞金兽” vs. 消费者的“紧箍咒” 这场危机的根源在于产能错配。 AI 的贪婪吞噬:一台用于训练的 AI 服务器内存需求高达 1TB 以上,是普通服务器的 8-10 倍。像 OpenAI 的“星际之门
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2026-02-13 18:45:56
算力神话破灭?英特尔警告:AI真正的“断头台”不是芯片,是内存!
英特尔CEO陈立武(Lip-Bu Tan)的警告并非危言耸听,而是揭示了一个从芯片设计到全球产业链布局的系统性危机。 AI发展的瓶颈已从“算力”转移至“内存”及更广泛的基础设施系统。 过去我们担忧的是GPU数量不够,但现在的情况是,即便有了GPU,没有足够的“内存墙”支撑,算力也只能空转。陈立武指出,内存短缺问题在 2028年之前都不会缓解。 内存短缺导致算力“虚胖”与成本失控 现象:数据中心的GPU利用率低下,不是因为算力弱,而是因为“数据搬运”速度跟不上。AI模型训练时,数据在GPU和内存间
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只要锄头挥的好
2026-02-12 23:42:02
铠侠业绩引爆存储板块:AI需求驱动下,谁在抢筹“算力底座”核心资产?
当思科因存储芯片成本上涨而股价大跌时,美光、西部数据与希捷正凭借AI算力“粮仓”的定位,在资本市场上演价值重估。 2026年2月12日,美股市场出现戏剧性分化。 网络设备巨头思科(CSCO)因存储芯片成本压力导致毛利率不及预期,股价盘前大跌近8%;而另一边的存储概念股却集体爆发,闪迪(SNDK)盘前涨超6%,美光科技(MU)涨近4%,西部数据(WDC)与希捷科技(STX)亦涨超2%。 这一“冰火两重天”的局面,核心逻辑在于AI算力军备竞赛正深刻重构存储行业的定价权。随着日本存储巨头铠侠(Kiox
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只要锄头挥的好
2026-02-11 19:32:40
你的电源准备好了吗?曝英特尔下代旗舰 CPU 满载功耗超过 700W
根据知名爆料人 kopite7kimi 的说法,Nova Lake-S 的旗舰型号(代号 NVL-K)在 PL4(Power Level 4) 状态下,功耗确实超过了 700W。 PL4 是英特尔处理器中最高级别的功耗限制等级,通常代表芯片在极短时间内能够承受的绝对峰值功耗。它不同于我们常说的 TDP(热设计功耗)或 PL2(短时睿频功耗),PL4 通常用于防止瞬时电流过载导致系统崩溃,持续时间极短(通常以毫秒计)。 这主要归因于 Nova Lake-S 的 双芯片(Dual-Tile)架构。爆
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