薄膜铌酸锂薄膜铌酸锂（TFLN）兼具超低光学损耗与高压电系数，使其在微波光子集成中天然适配。实验数据显示，单片 TFLN 芯片可将信号处理S度提升至传统 CMOS 处理器的三个数量级，且B持亚皮秒抖动与 110 GHz 以上模拟带宽；在 3 V 驱动电压下，每比特能耗降至 0.5 pJ 以下。采用薄

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薄膜铌酸锂薄膜铌酸锂（TFLN）兼具超低光学损耗与高压电系数，使其在微波光子集成中天然适配。实验数据显示，单片 TFLN 芯片可将信号处理S度提升至传统 CMOS 处理器的三个数量级，且B持亚皮秒抖动与 110 GHz 以上模拟带宽；在 3 V 驱动电压下，每比特能耗降至 0.5 pJ 以下。采用薄