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酒菜香喷喷

2021-11-22 22:45:47

这个说法不对。igbt是一种分立器件的名称，叫做绝缘栅双极型晶体管，目前用Si作为材料。Sic是一种材料，用于制造第三代半导体，以后工艺成熟了可能会替代掉igbt

@一路涨停！！！：拓中股份-第三代芯片核心材料-华为芯片+IGBT概念

1，拓中股份通过辽宁中德间接持股山东天岳约2%的股份。第三代半导体材料碳化硅（SiC）的时代或将迎来万亿大市场！一：华为投资碳化硅龙头企业：“得碳化硅者得天下”。碳化硅是制造高温、高频、大功率半导体器件的理想衬底材料，综合性能较硅材料可提升上千倍。据国家企业信用信息公示系统，日前华为旗下的投

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1，拓中股份通过辽宁中德间接持股山东天岳约2%的股份。第三代半导体材料碳化硅（SiC）的时代或将迎来万亿大市场！一：华为投资碳化硅龙头企业：“得碳化硅者得天下”。碳化硅是制造高温、高频、大功率半导体器件的理想衬底材料，综合性能较硅材料可提升上千倍。据国家企业信用信息公示系统，日前华为旗下的投

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1，拓中股份通过辽宁中德间接持股山东天岳约2%的股份。第三代半导体材料碳化硅（SiC）的时代或将迎来万亿大市场！一：华为投资碳化硅龙头企业：“得碳化硅者得天下”。碳化硅是制造高温、高频、大功率半导体器件的理想衬底材料，综合性能较硅材料可提升上千倍。据国家企业信用信息公示系统，日前华为旗下的投

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