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机构调研,分享最新投研头条;研报分析、行业研究、长期主义。
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2026-05-24 15:03:52
SpaceX星舰V3试飞与隔热材料增量拆解
聚焦商业航天赛道,本文从SpaceX星舰V3构型的试飞事件入手,拆解火箭回收链条中隔热材料的产业现状与底层微观数据事实。 一、星舰V3构型再入测试与隔热瓦消耗基数 SpaceX第12次星舰试飞采用全新设计的V3构型。此次发射中,助推器完成海面溅落,飞船进入亚轨道后成功投放20颗星链模拟器和2颗真实星链卫星。飞行器在完成再入大气层测试的过程中,面临的核心材料增量环节为表面覆盖的隔热瓦。 从产业端测算的耗材基数来看,Starship单发火箭的隔热瓦配套价值量基数为900万美元,而单次发射带来的隔热瓦
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英伟达800V落地,SST重构供电架构
聚焦数据中心供电赛道,本文拆解固态变压器(SST)的产业技术现状及演进逻辑。 一、单机柜百kW节点下的供电架构转换 AI算力需求推升单机柜功率密度突破100kW,传统交流UPS在传输效率、占地面积及铜排损耗层面已面临物理与经济双重约束。数据中心供电架构开始由机电阶段向电力电子阶段过渡。SST方案的底层逻辑在于中压AC直转800VDC,将电压变换、电气隔离及双向潮流控制封装于单一电力电子平台。从微观基数来看,该方案全链路效率达98.5%以上,占地面积较传统方案缩减50%以上,符合高密度AIDC与源
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VR200量产节点下的PCB物料拆解
聚焦算力硬件赛道,本文拆解核心企业英伟达(Nvidia)机柜架构迭代背景下的PCB物料数据与产业演进节点。 一、VR200机柜出货价780万美元与PCB物料基数 以OEM厂商的BOM物料数据为基准,GB300机柜的出货价定位于390万美元,至VR200机柜阶段出货价达到780万美元。在内部物料拆解中,GB300机柜的PCB单体价值量为3.5万美元。进入VR200世代后,机柜PCB物料价值量达到11.6万美元,PCB物料同比增长达233%。 二、单柜600kW功耗节点下的M9+Q布材料渗透 Rub
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昇腾渠道重构:分销模式的底层逻辑
聚焦算力硬件赛道,本文拆解昇腾生态由直销向分销模式转变的产业现状。 一、百万颗出货基数下的渠道下沉 华为昇腾引入分销商机制,实质是从整机直销向“板卡分销配合生态伙伴”的体系转换。随着国产先进制程产能落地,面对百万颗级别的年度出货预期及云服务提供商(CSP)的集中采购量,单一的直营模式难以支撑渠道广度与深度。代理商机制的切入,核心在于构建毛细血管级的渠道覆盖,在出货通路上同时兼容大型客户的集中放量与分散性商业订单。 二、化解资金承载与底层硬件变现 算力芯片存在单价高、备货资金重等客观特征。引入具备
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脱水研报:超级电容 / 乳制品与餐饮供应链 / EDA工具 / 复合集流体与设备
一、GB300供电架构重构,1500万颗超容需求对应产能缺口 AI算力密度跃迁正在推动电源架构发生范式级变革。数据中心传统承载以CPU为核心的稳态负载,而数千颗GPU以锁步模式执行计算时,会导致功率在空闲与高状态之间突变切换。传统“柴发+UPS+板载电容”三级备电架构在响应和寿命上存在缺口,超级电容(LIC)具备微秒级响应速度与长循环寿命,适配GPU功率突变。 NVIDIA自GB300起将电容储能集成至电源架,可使电网峰值需求降低最多30%。下一代Vera Rubin NVL72将于2026年下
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调度需求与产能限制引发高端CPU价格上调
聚焦服务器算力赛道,本文拆解CPU与GPU配比反转及本土算力产业现状。 一、数据中心算力配比调整至4:1 Intel数据中心业务此前预测,整体服务器集群中CPU与GPU的配比将达到1:1。陈立武近期明确表示,随着应用架构演进,这一比例预计将调整并提升至4:1。在Agent时代,CPU在数据中心内部承担前端请求调度、状态管理、多轮任务规划以及工具调用等复杂核心中枢职责,其运算与控制需求刚性上升,直接拉动服务器算力集群的结构性调整。 二、供需失衡引发CPU价格全面上调10%至15% 需求端与供给端错
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射频电源节点:英杰电气与恒运昌订单梳理
聚焦半导体零部件赛道,本文拆解核心标的英杰电气、恒运昌的产业现状。 一、先进制程节点演进与ASP向上基数 射频电源的底层产业职能在于实现对等离子体方向性、选择性与均匀性的客观指标控制,是芯片微观形貌控制环节的核心部件。从微观需求变量来看,随着刻蚀与薄膜沉积工艺向先进制程节点切换,单线配置需求呈现非线性增加;同时受制于复杂波形调制、反射功率控制与脉冲控制等微观技术要求,该环节整体ASP(平均客单价)及BOM(物料清单)占比处于客观上行周期。 二、晶圆厂资本开支前置与AMAT产能满载节点 晶圆厂资本
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电子布结构性缺口显现,头部玻纤企业提价
一、7628报价中枢上移,高端电子布结构性偏紧 年内玻纤电子布呈现显著的价格传导。目前7628电子布价格处于6.5-6.8元/米区间,年内累计涨幅超50%。同时,2116电子布报价上调0.8元至8.4-8.6元/米,1080电子布同步上调0.8元至8.6-9元/米。中高端产能端,D、E系列细纱及布种呈现供需错配,4月以来LOW-CTE及二代布提价幅度达到10%以上。 二、织机产能瓶颈显现,传统电子布库存降至1周 产业格局演变的核心在于产能结构的让渡。由于部分产能转向中高端线,传统电子纱及电子布的
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RCC材料迭代:1.6T光模块与载板制程演进
聚焦算力硬件底层材料,本文拆解RCC(涂树脂铜箔)工艺在高端光模块及先进封装载板领域的产业演进逻辑。 一、无玻纤架构突破≤10μm制程瓶颈 算力向1.6T/3.2T演化,传统PP(半固化片)叠压配合mSAP工艺在微观制造端触及物理极限。PP内部含有玻璃纤维布,在高温压合环节易出现流胶并导致绝缘层厚度偏差偏大,流胶过程会直接挤压线路造成不可逆形变,无法稳定满足≤10μm的超细线路标准。RCC采用树脂直接涂布铜箔工艺,彻底剥离玻纤结构。 该架构排除了玻纤对激光微孔加工的物理阻碍,树脂与铜箔结合强度更
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脱水研报:半导体设备 / 液冷与高导热材料 / 存储芯片与模组配套 / 通用自动化设备
聚焦半导体制造、高算力硬件散热、存储周期及工业自动化赛道,本文梳理各环节核心产业现状与微观商业数据。 一、晶圆厂资本支出维持高位,制程迭代提升单线设备量 国内晶圆厂扩产进程持续推进,微观指标显示头部厂商2025H1产能利用率94.6%。在资本开支方面,对应厂商2024年构建资产现金支出达712.3亿元。制造工艺的迭代直接提升了核心环节设备的单线投资密度,在逻辑制程领域,5nm设备投资约为28nm的4倍;在存储器领域,每万片200层以上3D NAND或1β DRAM对应的设备投资额约为9亿美元。目
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AI终端拉动高端MLCC需求,产业链供需缺口与产能传导拆解
聚焦MLCC产业链,本文拆解本轮由AI需求驱动的结构性供需演变事实。 一、18-24个月周期壁垒与高端型号交期拉长 AI服务器对高端MLCC的消耗量呈现倍数级跃升,确立了算力端的刚性需求。在设备供给侧,核心制造设备维持高度垄断格局,导致高端产线扩产周期长达18至24个月。当前阶段,头部厂商高端型号交期实质性延长,受制于产能爬坡的客观物理周期,前端刚性供需缺口持续放大。 二、日韩产能向AI倾斜引发跨品类溢出效应 供给侧的结构性失衡正向全产业链蔓延。随着日韩龙头厂商将有限产能强制向AI高附加值产品倾
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芯片测试设备国产替代分析
一、2025年全球测试设备需求增速达55% 根据行业报告,2025年全球半导体制造设备销售额运行至1351亿美元,同比增幅为15%。在先进逻辑与存储产能扩张驱动下,产业资本开支呈现非对称特征:前道晶圆制程设备增速为12%,而后道测试设备增速达到55%。区域分布上,中国大陆、中国台湾地区及韩国合计占据全球79%的市场份额。爱德万数据显示,全球SOC测试机市场规模将从2024年的41亿美元,增至2026年的85亿至95亿美元。 二、高性能SOC测试机跨入本土量产与迭代节点 算力芯片演进拉动测试机硬件
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燃机2028年缺口近60GW,气电切入AIDC供电链
一、2028年60GW供需缺口与北美AIDC负荷映射 全球燃气轮机产业正处于供需错配的扩张阶段。基于产业端测算,2026年至2028年全球燃机总需求量预计分别达到76GW、107GW与153GW。受制于制造端的物理爬坡周期,同期全球供给量预计仅为70GW、80GW及90GW,至2028年将形成约60GW的供需缺口。这一产能压制态势已直接反映在头部主机厂的排产数据中,截至2026年一季度末,西门子订单可见度达到5.2年。 在应用端,北美AIDC(人工智能数据中心)构成了新增负荷的核心变量。2016
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AI算力拉动12英寸硅片消耗,SOI材料切入硅光CPO
聚焦半导体硅片赛道,本文拆解核心材料的产业供需现状及技术演进节点。 一、12英寸硅片价格确认底部 + AI与存储产能驱动 全球硅片价格下行周期已基本触底,海外头部厂商价格传导显现,国内12英寸硅片正处于价格修复阶段。本轮供需格局扭转并非传统库存周期,而是由AI服务器、HBM、先进存储及成熟制程稼动率回升共同构成的结构性消耗增量。 二、长鑫长存扩产提速 + 代工厂供应链本土化 国内需求端,长鑫、长存等存储晶圆厂的产能扩充直接推升12英寸硅片消耗量,当前国内存储客户的本土材料使用率较高。同时,中芯、
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脱水研报:高端机床 / 电网设备 / 光储设备 / 工业工具
一、2026一季度机床核心企业出海与订单基准 当前宏观工业指标显示机床产业链呈现恢复特征。2026年1至2月期间,国内金属切削机床品类录得15.3%的营业收入同比增长,出口端实现16.9%的同比增速。在海外需求端,2026年一季度日本金属切削机床行业整体新签订单同比增长26%,其中出口新签订单增幅达35%。同期,全球相关标的德玛吉森精机的一季度新签订单为1554亿日元,同比上升28.8%。 高附加值机床及其核心部件的国产化推进是行业核心变量。数控系统作为产业核心元器件,约占据机床整体采购成本的2
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SpaceX星舰V3试飞与隔热材料增量拆解
聚焦商业航天赛道,本文从SpaceX星舰V3构型的试飞事件入手,拆解火箭回收链条中隔热材料的产业现状与底层微观数据事实。 一、星舰V3构型再入测试与隔热瓦消耗基数 SpaceX第12次星舰试飞采用全新设计的V3构型。此次发射中,助推器完成海面溅落,飞船进入亚轨道后成功投放20颗星链模拟器和2颗真实星链卫星。飞行器在完成再入大气层测试的过程中,面临的核心材料增量环节为表面覆盖的隔热瓦。 从产业端测算的耗材基数来看,Starship单发火箭的隔热瓦配套价值量基数为900万美元,而单次发射带来的隔热瓦
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英伟达800V落地,SST重构供电架构
聚焦数据中心供电赛道,本文拆解固态变压器(SST)的产业技术现状及演进逻辑。 一、单机柜百kW节点下的供电架构转换 AI算力需求推升单机柜功率密度突破100kW,传统交流UPS在传输效率、占地面积及铜排损耗层面已面临物理与经济双重约束。数据中心供电架构开始由机电阶段向电力电子阶段过渡。SST方案的底层逻辑在于中压AC直转800VDC,将电压变换、电气隔离及双向潮流控制封装于单一电力电子平台。从微观基数来看,该方案全链路效率达98.5%以上,占地面积较传统方案缩减50%以上,符合高密度AIDC与源
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聚焦算力硬件赛道,本文拆解核心企业英伟达(Nvidia)机柜架构迭代背景下的PCB物料数据与产业演进节点。 一、VR200机柜出货价780万美元与PCB物料基数 以OEM厂商的BOM物料数据为基准,GB300机柜的出货价定位于390万美元,至VR200机柜阶段出货价达到780万美元。在内部物料拆解中,GB300机柜的PCB单体价值量为3.5万美元。进入VR200世代后,机柜PCB物料价值量达到11.6万美元,PCB物料同比增长达233%。 二、单柜600kW功耗节点下的M9+Q布材料渗透 Rub
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昇腾渠道重构:分销模式的底层逻辑
聚焦算力硬件赛道,本文拆解昇腾生态由直销向分销模式转变的产业现状。 一、百万颗出货基数下的渠道下沉 华为昇腾引入分销商机制,实质是从整机直销向“板卡分销配合生态伙伴”的体系转换。随着国产先进制程产能落地,面对百万颗级别的年度出货预期及云服务提供商(CSP)的集中采购量,单一的直营模式难以支撑渠道广度与深度。代理商机制的切入,核心在于构建毛细血管级的渠道覆盖,在出货通路上同时兼容大型客户的集中放量与分散性商业订单。 二、化解资金承载与底层硬件变现 算力芯片存在单价高、备货资金重等客观特征。引入具备
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一、GB300供电架构重构,1500万颗超容需求对应产能缺口 AI算力密度跃迁正在推动电源架构发生范式级变革。数据中心传统承载以CPU为核心的稳态负载,而数千颗GPU以锁步模式执行计算时,会导致功率在空闲与高状态之间突变切换。传统“柴发+UPS+板载电容”三级备电架构在响应和寿命上存在缺口,超级电容(LIC)具备微秒级响应速度与长循环寿命,适配GPU功率突变。 NVIDIA自GB300起将电容储能集成至电源架,可使电网峰值需求降低最多30%。下一代Vera Rubin NVL72将于2026年下
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调度需求与产能限制引发高端CPU价格上调
聚焦服务器算力赛道,本文拆解CPU与GPU配比反转及本土算力产业现状。 一、数据中心算力配比调整至4:1 Intel数据中心业务此前预测,整体服务器集群中CPU与GPU的配比将达到1:1。陈立武近期明确表示,随着应用架构演进,这一比例预计将调整并提升至4:1。在Agent时代,CPU在数据中心内部承担前端请求调度、状态管理、多轮任务规划以及工具调用等复杂核心中枢职责,其运算与控制需求刚性上升,直接拉动服务器算力集群的结构性调整。 二、供需失衡引发CPU价格全面上调10%至15% 需求端与供给端错
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射频电源节点:英杰电气与恒运昌订单梳理
聚焦半导体零部件赛道,本文拆解核心标的英杰电气、恒运昌的产业现状。 一、先进制程节点演进与ASP向上基数 射频电源的底层产业职能在于实现对等离子体方向性、选择性与均匀性的客观指标控制,是芯片微观形貌控制环节的核心部件。从微观需求变量来看,随着刻蚀与薄膜沉积工艺向先进制程节点切换,单线配置需求呈现非线性增加;同时受制于复杂波形调制、反射功率控制与脉冲控制等微观技术要求,该环节整体ASP(平均客单价)及BOM(物料清单)占比处于客观上行周期。 二、晶圆厂资本开支前置与AMAT产能满载节点 晶圆厂资本
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电子布结构性缺口显现,头部玻纤企业提价
一、7628报价中枢上移,高端电子布结构性偏紧 年内玻纤电子布呈现显著的价格传导。目前7628电子布价格处于6.5-6.8元/米区间,年内累计涨幅超50%。同时,2116电子布报价上调0.8元至8.4-8.6元/米,1080电子布同步上调0.8元至8.6-9元/米。中高端产能端,D、E系列细纱及布种呈现供需错配,4月以来LOW-CTE及二代布提价幅度达到10%以上。 二、织机产能瓶颈显现,传统电子布库存降至1周 产业格局演变的核心在于产能结构的让渡。由于部分产能转向中高端线,传统电子纱及电子布的
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聚焦算力硬件底层材料,本文拆解RCC(涂树脂铜箔)工艺在高端光模块及先进封装载板领域的产业演进逻辑。 一、无玻纤架构突破≤10μm制程瓶颈 算力向1.6T/3.2T演化,传统PP(半固化片)叠压配合mSAP工艺在微观制造端触及物理极限。PP内部含有玻璃纤维布,在高温压合环节易出现流胶并导致绝缘层厚度偏差偏大,流胶过程会直接挤压线路造成不可逆形变,无法稳定满足≤10μm的超细线路标准。RCC采用树脂直接涂布铜箔工艺,彻底剥离玻纤结构。 该架构排除了玻纤对激光微孔加工的物理阻碍,树脂与铜箔结合强度更
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聚焦半导体制造、高算力硬件散热、存储周期及工业自动化赛道,本文梳理各环节核心产业现状与微观商业数据。 一、晶圆厂资本支出维持高位,制程迭代提升单线设备量 国内晶圆厂扩产进程持续推进,微观指标显示头部厂商2025H1产能利用率94.6%。在资本开支方面,对应厂商2024年构建资产现金支出达712.3亿元。制造工艺的迭代直接提升了核心环节设备的单线投资密度,在逻辑制程领域,5nm设备投资约为28nm的4倍;在存储器领域,每万片200层以上3D NAND或1β DRAM对应的设备投资额约为9亿美元。目
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AI终端拉动高端MLCC需求,产业链供需缺口与产能传导拆解
聚焦MLCC产业链,本文拆解本轮由AI需求驱动的结构性供需演变事实。 一、18-24个月周期壁垒与高端型号交期拉长 AI服务器对高端MLCC的消耗量呈现倍数级跃升,确立了算力端的刚性需求。在设备供给侧,核心制造设备维持高度垄断格局,导致高端产线扩产周期长达18至24个月。当前阶段,头部厂商高端型号交期实质性延长,受制于产能爬坡的客观物理周期,前端刚性供需缺口持续放大。 二、日韩产能向AI倾斜引发跨品类溢出效应 供给侧的结构性失衡正向全产业链蔓延。随着日韩龙头厂商将有限产能强制向AI高附加值产品倾
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芯片测试设备国产替代分析
一、2025年全球测试设备需求增速达55% 根据行业报告,2025年全球半导体制造设备销售额运行至1351亿美元,同比增幅为15%。在先进逻辑与存储产能扩张驱动下,产业资本开支呈现非对称特征:前道晶圆制程设备增速为12%,而后道测试设备增速达到55%。区域分布上,中国大陆、中国台湾地区及韩国合计占据全球79%的市场份额。爱德万数据显示,全球SOC测试机市场规模将从2024年的41亿美元,增至2026年的85亿至95亿美元。 二、高性能SOC测试机跨入本土量产与迭代节点 算力芯片演进拉动测试机硬件
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燃机2028年缺口近60GW,气电切入AIDC供电链
一、2028年60GW供需缺口与北美AIDC负荷映射 全球燃气轮机产业正处于供需错配的扩张阶段。基于产业端测算,2026年至2028年全球燃机总需求量预计分别达到76GW、107GW与153GW。受制于制造端的物理爬坡周期,同期全球供给量预计仅为70GW、80GW及90GW,至2028年将形成约60GW的供需缺口。这一产能压制态势已直接反映在头部主机厂的排产数据中,截至2026年一季度末,西门子订单可见度达到5.2年。 在应用端,北美AIDC(人工智能数据中心)构成了新增负荷的核心变量。2016
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AI算力拉动12英寸硅片消耗,SOI材料切入硅光CPO
聚焦半导体硅片赛道,本文拆解核心材料的产业供需现状及技术演进节点。 一、12英寸硅片价格确认底部 + AI与存储产能驱动 全球硅片价格下行周期已基本触底,海外头部厂商价格传导显现,国内12英寸硅片正处于价格修复阶段。本轮供需格局扭转并非传统库存周期,而是由AI服务器、HBM、先进存储及成熟制程稼动率回升共同构成的结构性消耗增量。 二、长鑫长存扩产提速 + 代工厂供应链本土化 国内需求端,长鑫、长存等存储晶圆厂的产能扩充直接推升12英寸硅片消耗量,当前国内存储客户的本土材料使用率较高。同时,中芯、
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脱水研报:高端机床 / 电网设备 / 光储设备 / 工业工具
一、2026一季度机床核心企业出海与订单基准 当前宏观工业指标显示机床产业链呈现恢复特征。2026年1至2月期间,国内金属切削机床品类录得15.3%的营业收入同比增长,出口端实现16.9%的同比增速。在海外需求端,2026年一季度日本金属切削机床行业整体新签订单同比增长26%,其中出口新签订单增幅达35%。同期,全球相关标的德玛吉森精机的一季度新签订单为1554亿日元,同比上升28.8%。 高附加值机床及其核心部件的国产化推进是行业核心变量。数控系统作为产业核心元器件,约占据机床整体采购成本的2
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SpaceX星舰V3试飞与隔热材料增量拆解
聚焦商业航天赛道,本文从SpaceX星舰V3构型的试飞事件入手,拆解火箭回收链条中隔热材料的产业现状与底层微观数据事实。 一、星舰V3构型再入测试与隔热瓦消耗基数 SpaceX第12次星舰试飞采用全新设计的V3构型。此次发射中,助推器完成海面溅落,飞船进入亚轨道后成功投放20颗星链模拟器和2颗真实星链卫星。飞行器在完成再入大气层测试的过程中,面临的核心材料增量环节为表面覆盖的隔热瓦。 从产业端测算的耗材基数来看,Starship单发火箭的隔热瓦配套价值量基数为900万美元,而单次发射带来的隔热瓦
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英伟达800V落地,SST重构供电架构
聚焦数据中心供电赛道,本文拆解固态变压器(SST)的产业技术现状及演进逻辑。 一、单机柜百kW节点下的供电架构转换 AI算力需求推升单机柜功率密度突破100kW,传统交流UPS在传输效率、占地面积及铜排损耗层面已面临物理与经济双重约束。数据中心供电架构开始由机电阶段向电力电子阶段过渡。SST方案的底层逻辑在于中压AC直转800VDC,将电压变换、电气隔离及双向潮流控制封装于单一电力电子平台。从微观基数来看,该方案全链路效率达98.5%以上,占地面积较传统方案缩减50%以上,符合高密度AIDC与源
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VR200量产节点下的PCB物料拆解
聚焦算力硬件赛道,本文拆解核心企业英伟达(Nvidia)机柜架构迭代背景下的PCB物料数据与产业演进节点。 一、VR200机柜出货价780万美元与PCB物料基数 以OEM厂商的BOM物料数据为基准,GB300机柜的出货价定位于390万美元,至VR200机柜阶段出货价达到780万美元。在内部物料拆解中,GB300机柜的PCB单体价值量为3.5万美元。进入VR200世代后,机柜PCB物料价值量达到11.6万美元,PCB物料同比增长达233%。 二、单柜600kW功耗节点下的M9+Q布材料渗透 Rub
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昇腾渠道重构:分销模式的底层逻辑
聚焦算力硬件赛道,本文拆解昇腾生态由直销向分销模式转变的产业现状。 一、百万颗出货基数下的渠道下沉 华为昇腾引入分销商机制,实质是从整机直销向“板卡分销配合生态伙伴”的体系转换。随着国产先进制程产能落地,面对百万颗级别的年度出货预期及云服务提供商(CSP)的集中采购量,单一的直营模式难以支撑渠道广度与深度。代理商机制的切入,核心在于构建毛细血管级的渠道覆盖,在出货通路上同时兼容大型客户的集中放量与分散性商业订单。 二、化解资金承载与底层硬件变现 算力芯片存在单价高、备货资金重等客观特征。引入具备
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脱水研报:超级电容 / 乳制品与餐饮供应链 / EDA工具 / 复合集流体与设备
一、GB300供电架构重构,1500万颗超容需求对应产能缺口 AI算力密度跃迁正在推动电源架构发生范式级变革。数据中心传统承载以CPU为核心的稳态负载,而数千颗GPU以锁步模式执行计算时,会导致功率在空闲与高状态之间突变切换。传统“柴发+UPS+板载电容”三级备电架构在响应和寿命上存在缺口,超级电容(LIC)具备微秒级响应速度与长循环寿命,适配GPU功率突变。 NVIDIA自GB300起将电容储能集成至电源架,可使电网峰值需求降低最多30%。下一代Vera Rubin NVL72将于2026年下
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调度需求与产能限制引发高端CPU价格上调
聚焦服务器算力赛道,本文拆解CPU与GPU配比反转及本土算力产业现状。 一、数据中心算力配比调整至4:1 Intel数据中心业务此前预测,整体服务器集群中CPU与GPU的配比将达到1:1。陈立武近期明确表示,随着应用架构演进,这一比例预计将调整并提升至4:1。在Agent时代,CPU在数据中心内部承担前端请求调度、状态管理、多轮任务规划以及工具调用等复杂核心中枢职责,其运算与控制需求刚性上升,直接拉动服务器算力集群的结构性调整。 二、供需失衡引发CPU价格全面上调10%至15% 需求端与供给端错
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射频电源节点:英杰电气与恒运昌订单梳理
聚焦半导体零部件赛道,本文拆解核心标的英杰电气、恒运昌的产业现状。 一、先进制程节点演进与ASP向上基数 射频电源的底层产业职能在于实现对等离子体方向性、选择性与均匀性的客观指标控制,是芯片微观形貌控制环节的核心部件。从微观需求变量来看,随着刻蚀与薄膜沉积工艺向先进制程节点切换,单线配置需求呈现非线性增加;同时受制于复杂波形调制、反射功率控制与脉冲控制等微观技术要求,该环节整体ASP(平均客单价)及BOM(物料清单)占比处于客观上行周期。 二、晶圆厂资本开支前置与AMAT产能满载节点 晶圆厂资本
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电子布结构性缺口显现,头部玻纤企业提价
一、7628报价中枢上移,高端电子布结构性偏紧 年内玻纤电子布呈现显著的价格传导。目前7628电子布价格处于6.5-6.8元/米区间,年内累计涨幅超50%。同时,2116电子布报价上调0.8元至8.4-8.6元/米,1080电子布同步上调0.8元至8.6-9元/米。中高端产能端,D、E系列细纱及布种呈现供需错配,4月以来LOW-CTE及二代布提价幅度达到10%以上。 二、织机产能瓶颈显现,传统电子布库存降至1周 产业格局演变的核心在于产能结构的让渡。由于部分产能转向中高端线,传统电子纱及电子布的
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RCC材料迭代:1.6T光模块与载板制程演进
聚焦算力硬件底层材料,本文拆解RCC(涂树脂铜箔)工艺在高端光模块及先进封装载板领域的产业演进逻辑。 一、无玻纤架构突破≤10μm制程瓶颈 算力向1.6T/3.2T演化,传统PP(半固化片)叠压配合mSAP工艺在微观制造端触及物理极限。PP内部含有玻璃纤维布,在高温压合环节易出现流胶并导致绝缘层厚度偏差偏大,流胶过程会直接挤压线路造成不可逆形变,无法稳定满足≤10μm的超细线路标准。RCC采用树脂直接涂布铜箔工艺,彻底剥离玻纤结构。 该架构排除了玻纤对激光微孔加工的物理阻碍,树脂与铜箔结合强度更
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脱水研报:半导体设备 / 液冷与高导热材料 / 存储芯片与模组配套 / 通用自动化设备
聚焦半导体制造、高算力硬件散热、存储周期及工业自动化赛道,本文梳理各环节核心产业现状与微观商业数据。 一、晶圆厂资本支出维持高位,制程迭代提升单线设备量 国内晶圆厂扩产进程持续推进,微观指标显示头部厂商2025H1产能利用率94.6%。在资本开支方面,对应厂商2024年构建资产现金支出达712.3亿元。制造工艺的迭代直接提升了核心环节设备的单线投资密度,在逻辑制程领域,5nm设备投资约为28nm的4倍;在存储器领域,每万片200层以上3D NAND或1β DRAM对应的设备投资额约为9亿美元。目
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AI终端拉动高端MLCC需求,产业链供需缺口与产能传导拆解
聚焦MLCC产业链,本文拆解本轮由AI需求驱动的结构性供需演变事实。 一、18-24个月周期壁垒与高端型号交期拉长 AI服务器对高端MLCC的消耗量呈现倍数级跃升,确立了算力端的刚性需求。在设备供给侧,核心制造设备维持高度垄断格局,导致高端产线扩产周期长达18至24个月。当前阶段,头部厂商高端型号交期实质性延长,受制于产能爬坡的客观物理周期,前端刚性供需缺口持续放大。 二、日韩产能向AI倾斜引发跨品类溢出效应 供给侧的结构性失衡正向全产业链蔓延。随着日韩龙头厂商将有限产能强制向AI高附加值产品倾
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芯片测试设备国产替代分析
一、2025年全球测试设备需求增速达55% 根据行业报告,2025年全球半导体制造设备销售额运行至1351亿美元,同比增幅为15%。在先进逻辑与存储产能扩张驱动下,产业资本开支呈现非对称特征:前道晶圆制程设备增速为12%,而后道测试设备增速达到55%。区域分布上,中国大陆、中国台湾地区及韩国合计占据全球79%的市场份额。爱德万数据显示,全球SOC测试机市场规模将从2024年的41亿美元,增至2026年的85亿至95亿美元。 二、高性能SOC测试机跨入本土量产与迭代节点 算力芯片演进拉动测试机硬件
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燃机2028年缺口近60GW,气电切入AIDC供电链
一、2028年60GW供需缺口与北美AIDC负荷映射 全球燃气轮机产业正处于供需错配的扩张阶段。基于产业端测算,2026年至2028年全球燃机总需求量预计分别达到76GW、107GW与153GW。受制于制造端的物理爬坡周期,同期全球供给量预计仅为70GW、80GW及90GW,至2028年将形成约60GW的供需缺口。这一产能压制态势已直接反映在头部主机厂的排产数据中,截至2026年一季度末,西门子订单可见度达到5.2年。 在应用端,北美AIDC(人工智能数据中心)构成了新增负荷的核心变量。2016
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AI算力拉动12英寸硅片消耗,SOI材料切入硅光CPO
聚焦半导体硅片赛道,本文拆解核心材料的产业供需现状及技术演进节点。 一、12英寸硅片价格确认底部 + AI与存储产能驱动 全球硅片价格下行周期已基本触底,海外头部厂商价格传导显现,国内12英寸硅片正处于价格修复阶段。本轮供需格局扭转并非传统库存周期,而是由AI服务器、HBM、先进存储及成熟制程稼动率回升共同构成的结构性消耗增量。 二、长鑫长存扩产提速 + 代工厂供应链本土化 国内需求端,长鑫、长存等存储晶圆厂的产能扩充直接推升12英寸硅片消耗量,当前国内存储客户的本土材料使用率较高。同时,中芯、
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脱水研报:高端机床 / 电网设备 / 光储设备 / 工业工具
一、2026一季度机床核心企业出海与订单基准 当前宏观工业指标显示机床产业链呈现恢复特征。2026年1至2月期间,国内金属切削机床品类录得15.3%的营业收入同比增长,出口端实现16.9%的同比增速。在海外需求端,2026年一季度日本金属切削机床行业整体新签订单同比增长26%,其中出口新签订单增幅达35%。同期,全球相关标的德玛吉森精机的一季度新签订单为1554亿日元,同比上升28.8%。 高附加值机床及其核心部件的国产化推进是行业核心变量。数控系统作为产业核心元器件,约占据机床整体采购成本的2
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SpaceX星舰V3试飞与隔热材料增量拆解
聚焦商业航天赛道,本文从SpaceX星舰V3构型的试飞事件入手,拆解火箭回收链条中隔热材料的产业现状与底层微观数据事实。 一、星舰V3构型再入测试与隔热瓦消耗基数 SpaceX第12次星舰试飞采用全新设计的V3构型。此次发射中,助推器完成海面溅落,飞船进入亚轨道后成功投放20颗星链模拟器和2颗真实星链卫星。飞行器在完成再入大气层测试的过程中,面临的核心材料增量环节为表面覆盖的隔热瓦。 从产业端测算的耗材基数来看,Starship单发火箭的隔热瓦配套价值量基数为900万美元,而单次发射带来的隔热瓦
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英伟达800V落地,SST重构供电架构
聚焦数据中心供电赛道,本文拆解固态变压器(SST)的产业技术现状及演进逻辑。 一、单机柜百kW节点下的供电架构转换 AI算力需求推升单机柜功率密度突破100kW,传统交流UPS在传输效率、占地面积及铜排损耗层面已面临物理与经济双重约束。数据中心供电架构开始由机电阶段向电力电子阶段过渡。SST方案的底层逻辑在于中压AC直转800VDC,将电压变换、电气隔离及双向潮流控制封装于单一电力电子平台。从微观基数来看,该方案全链路效率达98.5%以上,占地面积较传统方案缩减50%以上,符合高密度AIDC与源
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聚焦算力硬件赛道,本文拆解核心企业英伟达(Nvidia)机柜架构迭代背景下的PCB物料数据与产业演进节点。 一、VR200机柜出货价780万美元与PCB物料基数 以OEM厂商的BOM物料数据为基准,GB300机柜的出货价定位于390万美元,至VR200机柜阶段出货价达到780万美元。在内部物料拆解中,GB300机柜的PCB单体价值量为3.5万美元。进入VR200世代后,机柜PCB物料价值量达到11.6万美元,PCB物料同比增长达233%。 二、单柜600kW功耗节点下的M9+Q布材料渗透 Rub
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昇腾渠道重构:分销模式的底层逻辑
聚焦算力硬件赛道,本文拆解昇腾生态由直销向分销模式转变的产业现状。 一、百万颗出货基数下的渠道下沉 华为昇腾引入分销商机制,实质是从整机直销向“板卡分销配合生态伙伴”的体系转换。随着国产先进制程产能落地,面对百万颗级别的年度出货预期及云服务提供商(CSP)的集中采购量,单一的直营模式难以支撑渠道广度与深度。代理商机制的切入,核心在于构建毛细血管级的渠道覆盖,在出货通路上同时兼容大型客户的集中放量与分散性商业订单。 二、化解资金承载与底层硬件变现 算力芯片存在单价高、备货资金重等客观特征。引入具备
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一、GB300供电架构重构,1500万颗超容需求对应产能缺口 AI算力密度跃迁正在推动电源架构发生范式级变革。数据中心传统承载以CPU为核心的稳态负载,而数千颗GPU以锁步模式执行计算时,会导致功率在空闲与高状态之间突变切换。传统“柴发+UPS+板载电容”三级备电架构在响应和寿命上存在缺口,超级电容(LIC)具备微秒级响应速度与长循环寿命,适配GPU功率突变。 NVIDIA自GB300起将电容储能集成至电源架,可使电网峰值需求降低最多30%。下一代Vera Rubin NVL72将于2026年下
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调度需求与产能限制引发高端CPU价格上调
聚焦服务器算力赛道,本文拆解CPU与GPU配比反转及本土算力产业现状。 一、数据中心算力配比调整至4:1 Intel数据中心业务此前预测,整体服务器集群中CPU与GPU的配比将达到1:1。陈立武近期明确表示,随着应用架构演进,这一比例预计将调整并提升至4:1。在Agent时代,CPU在数据中心内部承担前端请求调度、状态管理、多轮任务规划以及工具调用等复杂核心中枢职责,其运算与控制需求刚性上升,直接拉动服务器算力集群的结构性调整。 二、供需失衡引发CPU价格全面上调10%至15% 需求端与供给端错
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射频电源节点:英杰电气与恒运昌订单梳理
聚焦半导体零部件赛道,本文拆解核心标的英杰电气、恒运昌的产业现状。 一、先进制程节点演进与ASP向上基数 射频电源的底层产业职能在于实现对等离子体方向性、选择性与均匀性的客观指标控制,是芯片微观形貌控制环节的核心部件。从微观需求变量来看,随着刻蚀与薄膜沉积工艺向先进制程节点切换,单线配置需求呈现非线性增加;同时受制于复杂波形调制、反射功率控制与脉冲控制等微观技术要求,该环节整体ASP(平均客单价)及BOM(物料清单)占比处于客观上行周期。 二、晶圆厂资本开支前置与AMAT产能满载节点 晶圆厂资本
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电子布结构性缺口显现,头部玻纤企业提价
一、7628报价中枢上移,高端电子布结构性偏紧 年内玻纤电子布呈现显著的价格传导。目前7628电子布价格处于6.5-6.8元/米区间,年内累计涨幅超50%。同时,2116电子布报价上调0.8元至8.4-8.6元/米,1080电子布同步上调0.8元至8.6-9元/米。中高端产能端,D、E系列细纱及布种呈现供需错配,4月以来LOW-CTE及二代布提价幅度达到10%以上。 二、织机产能瓶颈显现,传统电子布库存降至1周 产业格局演变的核心在于产能结构的让渡。由于部分产能转向中高端线,传统电子纱及电子布的
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RCC材料迭代:1.6T光模块与载板制程演进
聚焦算力硬件底层材料,本文拆解RCC(涂树脂铜箔)工艺在高端光模块及先进封装载板领域的产业演进逻辑。 一、无玻纤架构突破≤10μm制程瓶颈 算力向1.6T/3.2T演化,传统PP(半固化片)叠压配合mSAP工艺在微观制造端触及物理极限。PP内部含有玻璃纤维布,在高温压合环节易出现流胶并导致绝缘层厚度偏差偏大,流胶过程会直接挤压线路造成不可逆形变,无法稳定满足≤10μm的超细线路标准。RCC采用树脂直接涂布铜箔工艺,彻底剥离玻纤结构。 该架构排除了玻纤对激光微孔加工的物理阻碍,树脂与铜箔结合强度更
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脱水研报:半导体设备 / 液冷与高导热材料 / 存储芯片与模组配套 / 通用自动化设备
聚焦半导体制造、高算力硬件散热、存储周期及工业自动化赛道,本文梳理各环节核心产业现状与微观商业数据。 一、晶圆厂资本支出维持高位,制程迭代提升单线设备量 国内晶圆厂扩产进程持续推进,微观指标显示头部厂商2025H1产能利用率94.6%。在资本开支方面,对应厂商2024年构建资产现金支出达712.3亿元。制造工艺的迭代直接提升了核心环节设备的单线投资密度,在逻辑制程领域,5nm设备投资约为28nm的4倍;在存储器领域,每万片200层以上3D NAND或1β DRAM对应的设备投资额约为9亿美元。目
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AI终端拉动高端MLCC需求,产业链供需缺口与产能传导拆解
聚焦MLCC产业链,本文拆解本轮由AI需求驱动的结构性供需演变事实。 一、18-24个月周期壁垒与高端型号交期拉长 AI服务器对高端MLCC的消耗量呈现倍数级跃升,确立了算力端的刚性需求。在设备供给侧,核心制造设备维持高度垄断格局,导致高端产线扩产周期长达18至24个月。当前阶段,头部厂商高端型号交期实质性延长,受制于产能爬坡的客观物理周期,前端刚性供需缺口持续放大。 二、日韩产能向AI倾斜引发跨品类溢出效应 供给侧的结构性失衡正向全产业链蔓延。随着日韩龙头厂商将有限产能强制向AI高附加值产品倾
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芯片测试设备国产替代分析
一、2025年全球测试设备需求增速达55% 根据行业报告,2025年全球半导体制造设备销售额运行至1351亿美元,同比增幅为15%。在先进逻辑与存储产能扩张驱动下,产业资本开支呈现非对称特征:前道晶圆制程设备增速为12%,而后道测试设备增速达到55%。区域分布上,中国大陆、中国台湾地区及韩国合计占据全球79%的市场份额。爱德万数据显示,全球SOC测试机市场规模将从2024年的41亿美元,增至2026年的85亿至95亿美元。 二、高性能SOC测试机跨入本土量产与迭代节点 算力芯片演进拉动测试机硬件
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燃机2028年缺口近60GW,气电切入AIDC供电链
一、2028年60GW供需缺口与北美AIDC负荷映射 全球燃气轮机产业正处于供需错配的扩张阶段。基于产业端测算,2026年至2028年全球燃机总需求量预计分别达到76GW、107GW与153GW。受制于制造端的物理爬坡周期,同期全球供给量预计仅为70GW、80GW及90GW,至2028年将形成约60GW的供需缺口。这一产能压制态势已直接反映在头部主机厂的排产数据中,截至2026年一季度末,西门子订单可见度达到5.2年。 在应用端,北美AIDC(人工智能数据中心)构成了新增负荷的核心变量。2016
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AI算力拉动12英寸硅片消耗,SOI材料切入硅光CPO
聚焦半导体硅片赛道,本文拆解核心材料的产业供需现状及技术演进节点。 一、12英寸硅片价格确认底部 + AI与存储产能驱动 全球硅片价格下行周期已基本触底,海外头部厂商价格传导显现,国内12英寸硅片正处于价格修复阶段。本轮供需格局扭转并非传统库存周期,而是由AI服务器、HBM、先进存储及成熟制程稼动率回升共同构成的结构性消耗增量。 二、长鑫长存扩产提速 + 代工厂供应链本土化 国内需求端,长鑫、长存等存储晶圆厂的产能扩充直接推升12英寸硅片消耗量,当前国内存储客户的本土材料使用率较高。同时,中芯、
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脱水研报:高端机床 / 电网设备 / 光储设备 / 工业工具
一、2026一季度机床核心企业出海与订单基准 当前宏观工业指标显示机床产业链呈现恢复特征。2026年1至2月期间,国内金属切削机床品类录得15.3%的营业收入同比增长,出口端实现16.9%的同比增速。在海外需求端,2026年一季度日本金属切削机床行业整体新签订单同比增长26%,其中出口新签订单增幅达35%。同期,全球相关标的德玛吉森精机的一季度新签订单为1554亿日元,同比上升28.8%。 高附加值机床及其核心部件的国产化推进是行业核心变量。数控系统作为产业核心元器件,约占据机床整体采购成本的2
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SpaceX星舰V3试飞与隔热材料增量拆解
聚焦商业航天赛道,本文从SpaceX星舰V3构型的试飞事件入手,拆解火箭回收链条中隔热材料的产业现状与底层微观数据事实。 一、星舰V3构型再入测试与隔热瓦消耗基数 SpaceX第12次星舰试飞采用全新设计的V3构型。此次发射中,助推器完成海面溅落,飞船进入亚轨道后成功投放20颗星链模拟器和2颗真实星链卫星。飞行器在完成再入大气层测试的过程中,面临的核心材料增量环节为表面覆盖的隔热瓦。 从产业端测算的耗材基数来看,Starship单发火箭的隔热瓦配套价值量基数为900万美元,而单次发射带来的隔热瓦
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英伟达800V落地,SST重构供电架构
聚焦数据中心供电赛道,本文拆解固态变压器(SST)的产业技术现状及演进逻辑。 一、单机柜百kW节点下的供电架构转换 AI算力需求推升单机柜功率密度突破100kW,传统交流UPS在传输效率、占地面积及铜排损耗层面已面临物理与经济双重约束。数据中心供电架构开始由机电阶段向电力电子阶段过渡。SST方案的底层逻辑在于中压AC直转800VDC,将电压变换、电气隔离及双向潮流控制封装于单一电力电子平台。从微观基数来看,该方案全链路效率达98.5%以上,占地面积较传统方案缩减50%以上,符合高密度AIDC与源
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VR200量产节点下的PCB物料拆解
聚焦算力硬件赛道,本文拆解核心企业英伟达(Nvidia)机柜架构迭代背景下的PCB物料数据与产业演进节点。 一、VR200机柜出货价780万美元与PCB物料基数 以OEM厂商的BOM物料数据为基准,GB300机柜的出货价定位于390万美元,至VR200机柜阶段出货价达到780万美元。在内部物料拆解中,GB300机柜的PCB单体价值量为3.5万美元。进入VR200世代后,机柜PCB物料价值量达到11.6万美元,PCB物料同比增长达233%。 二、单柜600kW功耗节点下的M9+Q布材料渗透 Rub
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昇腾渠道重构:分销模式的底层逻辑
聚焦算力硬件赛道,本文拆解昇腾生态由直销向分销模式转变的产业现状。 一、百万颗出货基数下的渠道下沉 华为昇腾引入分销商机制,实质是从整机直销向“板卡分销配合生态伙伴”的体系转换。随着国产先进制程产能落地,面对百万颗级别的年度出货预期及云服务提供商(CSP)的集中采购量,单一的直营模式难以支撑渠道广度与深度。代理商机制的切入,核心在于构建毛细血管级的渠道覆盖,在出货通路上同时兼容大型客户的集中放量与分散性商业订单。 二、化解资金承载与底层硬件变现 算力芯片存在单价高、备货资金重等客观特征。引入具备
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脱水研报:超级电容 / 乳制品与餐饮供应链 / EDA工具 / 复合集流体与设备
一、GB300供电架构重构,1500万颗超容需求对应产能缺口 AI算力密度跃迁正在推动电源架构发生范式级变革。数据中心传统承载以CPU为核心的稳态负载,而数千颗GPU以锁步模式执行计算时,会导致功率在空闲与高状态之间突变切换。传统“柴发+UPS+板载电容”三级备电架构在响应和寿命上存在缺口,超级电容(LIC)具备微秒级响应速度与长循环寿命,适配GPU功率突变。 NVIDIA自GB300起将电容储能集成至电源架,可使电网峰值需求降低最多30%。下一代Vera Rubin NVL72将于2026年下
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调度需求与产能限制引发高端CPU价格上调
聚焦服务器算力赛道,本文拆解CPU与GPU配比反转及本土算力产业现状。 一、数据中心算力配比调整至4:1 Intel数据中心业务此前预测,整体服务器集群中CPU与GPU的配比将达到1:1。陈立武近期明确表示,随着应用架构演进,这一比例预计将调整并提升至4:1。在Agent时代,CPU在数据中心内部承担前端请求调度、状态管理、多轮任务规划以及工具调用等复杂核心中枢职责,其运算与控制需求刚性上升,直接拉动服务器算力集群的结构性调整。 二、供需失衡引发CPU价格全面上调10%至15% 需求端与供给端错
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射频电源节点:英杰电气与恒运昌订单梳理
聚焦半导体零部件赛道,本文拆解核心标的英杰电气、恒运昌的产业现状。 一、先进制程节点演进与ASP向上基数 射频电源的底层产业职能在于实现对等离子体方向性、选择性与均匀性的客观指标控制,是芯片微观形貌控制环节的核心部件。从微观需求变量来看,随着刻蚀与薄膜沉积工艺向先进制程节点切换,单线配置需求呈现非线性增加;同时受制于复杂波形调制、反射功率控制与脉冲控制等微观技术要求,该环节整体ASP(平均客单价)及BOM(物料清单)占比处于客观上行周期。 二、晶圆厂资本开支前置与AMAT产能满载节点 晶圆厂资本
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电子布结构性缺口显现,头部玻纤企业提价
一、7628报价中枢上移,高端电子布结构性偏紧 年内玻纤电子布呈现显著的价格传导。目前7628电子布价格处于6.5-6.8元/米区间,年内累计涨幅超50%。同时,2116电子布报价上调0.8元至8.4-8.6元/米,1080电子布同步上调0.8元至8.6-9元/米。中高端产能端,D、E系列细纱及布种呈现供需错配,4月以来LOW-CTE及二代布提价幅度达到10%以上。 二、织机产能瓶颈显现,传统电子布库存降至1周 产业格局演变的核心在于产能结构的让渡。由于部分产能转向中高端线,传统电子纱及电子布的
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RCC材料迭代:1.6T光模块与载板制程演进
聚焦算力硬件底层材料,本文拆解RCC(涂树脂铜箔)工艺在高端光模块及先进封装载板领域的产业演进逻辑。 一、无玻纤架构突破≤10μm制程瓶颈 算力向1.6T/3.2T演化,传统PP(半固化片)叠压配合mSAP工艺在微观制造端触及物理极限。PP内部含有玻璃纤维布,在高温压合环节易出现流胶并导致绝缘层厚度偏差偏大,流胶过程会直接挤压线路造成不可逆形变,无法稳定满足≤10μm的超细线路标准。RCC采用树脂直接涂布铜箔工艺,彻底剥离玻纤结构。 该架构排除了玻纤对激光微孔加工的物理阻碍,树脂与铜箔结合强度更
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脱水研报:半导体设备 / 液冷与高导热材料 / 存储芯片与模组配套 / 通用自动化设备
聚焦半导体制造、高算力硬件散热、存储周期及工业自动化赛道,本文梳理各环节核心产业现状与微观商业数据。 一、晶圆厂资本支出维持高位,制程迭代提升单线设备量 国内晶圆厂扩产进程持续推进,微观指标显示头部厂商2025H1产能利用率94.6%。在资本开支方面,对应厂商2024年构建资产现金支出达712.3亿元。制造工艺的迭代直接提升了核心环节设备的单线投资密度,在逻辑制程领域,5nm设备投资约为28nm的4倍;在存储器领域,每万片200层以上3D NAND或1β DRAM对应的设备投资额约为9亿美元。目
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AI终端拉动高端MLCC需求,产业链供需缺口与产能传导拆解
聚焦MLCC产业链,本文拆解本轮由AI需求驱动的结构性供需演变事实。 一、18-24个月周期壁垒与高端型号交期拉长 AI服务器对高端MLCC的消耗量呈现倍数级跃升,确立了算力端的刚性需求。在设备供给侧,核心制造设备维持高度垄断格局,导致高端产线扩产周期长达18至24个月。当前阶段,头部厂商高端型号交期实质性延长,受制于产能爬坡的客观物理周期,前端刚性供需缺口持续放大。 二、日韩产能向AI倾斜引发跨品类溢出效应 供给侧的结构性失衡正向全产业链蔓延。随着日韩龙头厂商将有限产能强制向AI高附加值产品倾
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一、2025年全球测试设备需求增速达55% 根据行业报告,2025年全球半导体制造设备销售额运行至1351亿美元,同比增幅为15%。在先进逻辑与存储产能扩张驱动下,产业资本开支呈现非对称特征:前道晶圆制程设备增速为12%,而后道测试设备增速达到55%。区域分布上,中国大陆、中国台湾地区及韩国合计占据全球79%的市场份额。爱德万数据显示,全球SOC测试机市场规模将从2024年的41亿美元,增至2026年的85亿至95亿美元。 二、高性能SOC测试机跨入本土量产与迭代节点 算力芯片演进拉动测试机硬件
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燃机2028年缺口近60GW,气电切入AIDC供电链
一、2028年60GW供需缺口与北美AIDC负荷映射 全球燃气轮机产业正处于供需错配的扩张阶段。基于产业端测算,2026年至2028年全球燃机总需求量预计分别达到76GW、107GW与153GW。受制于制造端的物理爬坡周期,同期全球供给量预计仅为70GW、80GW及90GW,至2028年将形成约60GW的供需缺口。这一产能压制态势已直接反映在头部主机厂的排产数据中,截至2026年一季度末,西门子订单可见度达到5.2年。 在应用端,北美AIDC(人工智能数据中心)构成了新增负荷的核心变量。2016
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AI算力拉动12英寸硅片消耗,SOI材料切入硅光CPO
聚焦半导体硅片赛道,本文拆解核心材料的产业供需现状及技术演进节点。 一、12英寸硅片价格确认底部 + AI与存储产能驱动 全球硅片价格下行周期已基本触底,海外头部厂商价格传导显现,国内12英寸硅片正处于价格修复阶段。本轮供需格局扭转并非传统库存周期,而是由AI服务器、HBM、先进存储及成熟制程稼动率回升共同构成的结构性消耗增量。 二、长鑫长存扩产提速 + 代工厂供应链本土化 国内需求端,长鑫、长存等存储晶圆厂的产能扩充直接推升12英寸硅片消耗量,当前国内存储客户的本土材料使用率较高。同时,中芯、
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一、2026一季度机床核心企业出海与订单基准 当前宏观工业指标显示机床产业链呈现恢复特征。2026年1至2月期间,国内金属切削机床品类录得15.3%的营业收入同比增长,出口端实现16.9%的同比增速。在海外需求端,2026年一季度日本金属切削机床行业整体新签订单同比增长26%,其中出口新签订单增幅达35%。同期,全球相关标的德玛吉森精机的一季度新签订单为1554亿日元,同比上升28.8%。 高附加值机床及其核心部件的国产化推进是行业核心变量。数控系统作为产业核心元器件,约占据机床整体采购成本的2
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SpaceX星舰V3试飞与隔热材料增量拆解
聚焦商业航天赛道,本文从SpaceX星舰V3构型的试飞事件入手,拆解火箭回收链条中隔热材料的产业现状与底层微观数据事实。 一、星舰V3构型再入测试与隔热瓦消耗基数 SpaceX第12次星舰试飞采用全新设计的V3构型。此次发射中,助推器完成海面溅落,飞船进入亚轨道后成功投放20颗星链模拟器和2颗真实星链卫星。飞行器在完成再入大气层测试的过程中,面临的核心材料增量环节为表面覆盖的隔热瓦。 从产业端测算的耗材基数来看,Starship单发火箭的隔热瓦配套价值量基数为900万美元,而单次发射带来的隔热瓦
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英伟达800V落地,SST重构供电架构
聚焦数据中心供电赛道,本文拆解固态变压器(SST)的产业技术现状及演进逻辑。 一、单机柜百kW节点下的供电架构转换 AI算力需求推升单机柜功率密度突破100kW,传统交流UPS在传输效率、占地面积及铜排损耗层面已面临物理与经济双重约束。数据中心供电架构开始由机电阶段向电力电子阶段过渡。SST方案的底层逻辑在于中压AC直转800VDC,将电压变换、电气隔离及双向潮流控制封装于单一电力电子平台。从微观基数来看,该方案全链路效率达98.5%以上,占地面积较传统方案缩减50%以上,符合高密度AIDC与源
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VR200量产节点下的PCB物料拆解
聚焦算力硬件赛道,本文拆解核心企业英伟达(Nvidia)机柜架构迭代背景下的PCB物料数据与产业演进节点。 一、VR200机柜出货价780万美元与PCB物料基数 以OEM厂商的BOM物料数据为基准,GB300机柜的出货价定位于390万美元,至VR200机柜阶段出货价达到780万美元。在内部物料拆解中,GB300机柜的PCB单体价值量为3.5万美元。进入VR200世代后,机柜PCB物料价值量达到11.6万美元,PCB物料同比增长达233%。 二、单柜600kW功耗节点下的M9+Q布材料渗透 Rub
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昇腾渠道重构:分销模式的底层逻辑
聚焦算力硬件赛道,本文拆解昇腾生态由直销向分销模式转变的产业现状。 一、百万颗出货基数下的渠道下沉 华为昇腾引入分销商机制,实质是从整机直销向“板卡分销配合生态伙伴”的体系转换。随着国产先进制程产能落地,面对百万颗级别的年度出货预期及云服务提供商(CSP)的集中采购量,单一的直营模式难以支撑渠道广度与深度。代理商机制的切入,核心在于构建毛细血管级的渠道覆盖,在出货通路上同时兼容大型客户的集中放量与分散性商业订单。 二、化解资金承载与底层硬件变现 算力芯片存在单价高、备货资金重等客观特征。引入具备
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一、GB300供电架构重构,1500万颗超容需求对应产能缺口 AI算力密度跃迁正在推动电源架构发生范式级变革。数据中心传统承载以CPU为核心的稳态负载,而数千颗GPU以锁步模式执行计算时,会导致功率在空闲与高状态之间突变切换。传统“柴发+UPS+板载电容”三级备电架构在响应和寿命上存在缺口,超级电容(LIC)具备微秒级响应速度与长循环寿命,适配GPU功率突变。 NVIDIA自GB300起将电容储能集成至电源架,可使电网峰值需求降低最多30%。下一代Vera Rubin NVL72将于2026年下
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调度需求与产能限制引发高端CPU价格上调
聚焦服务器算力赛道,本文拆解CPU与GPU配比反转及本土算力产业现状。 一、数据中心算力配比调整至4:1 Intel数据中心业务此前预测,整体服务器集群中CPU与GPU的配比将达到1:1。陈立武近期明确表示,随着应用架构演进,这一比例预计将调整并提升至4:1。在Agent时代,CPU在数据中心内部承担前端请求调度、状态管理、多轮任务规划以及工具调用等复杂核心中枢职责,其运算与控制需求刚性上升,直接拉动服务器算力集群的结构性调整。 二、供需失衡引发CPU价格全面上调10%至15% 需求端与供给端错
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射频电源节点:英杰电气与恒运昌订单梳理
聚焦半导体零部件赛道,本文拆解核心标的英杰电气、恒运昌的产业现状。 一、先进制程节点演进与ASP向上基数 射频电源的底层产业职能在于实现对等离子体方向性、选择性与均匀性的客观指标控制,是芯片微观形貌控制环节的核心部件。从微观需求变量来看,随着刻蚀与薄膜沉积工艺向先进制程节点切换,单线配置需求呈现非线性增加;同时受制于复杂波形调制、反射功率控制与脉冲控制等微观技术要求,该环节整体ASP(平均客单价)及BOM(物料清单)占比处于客观上行周期。 二、晶圆厂资本开支前置与AMAT产能满载节点 晶圆厂资本
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英杰电气
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恒运昌
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2026-05-21 16:48:52
电子布结构性缺口显现,头部玻纤企业提价
一、7628报价中枢上移,高端电子布结构性偏紧 年内玻纤电子布呈现显著的价格传导。目前7628电子布价格处于6.5-6.8元/米区间,年内累计涨幅超50%。同时,2116电子布报价上调0.8元至8.4-8.6元/米,1080电子布同步上调0.8元至8.6-9元/米。中高端产能端,D、E系列细纱及布种呈现供需错配,4月以来LOW-CTE及二代布提价幅度达到10%以上。 二、织机产能瓶颈显现,传统电子布库存降至1周 产业格局演变的核心在于产能结构的让渡。由于部分产能转向中高端线,传统电子纱及电子布的
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中国巨石
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国际复材
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长海股份
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中材科技
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宏和科技
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2026-05-21 09:09:40
RCC材料迭代:1.6T光模块与载板制程演进
聚焦算力硬件底层材料,本文拆解RCC(涂树脂铜箔)工艺在高端光模块及先进封装载板领域的产业演进逻辑。 一、无玻纤架构突破≤10μm制程瓶颈 算力向1.6T/3.2T演化,传统PP(半固化片)叠压配合mSAP工艺在微观制造端触及物理极限。PP内部含有玻璃纤维布,在高温压合环节易出现流胶并导致绝缘层厚度偏差偏大,流胶过程会直接挤压线路造成不可逆形变,无法稳定满足≤10μm的超细线路标准。RCC采用树脂直接涂布铜箔工艺,彻底剥离玻纤结构。 该架构排除了玻纤对激光微孔加工的物理阻碍,树脂与铜箔结合强度更
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迅捷兴
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景旺电子
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2026-05-21 08:03:32
脱水研报:半导体设备 / 液冷与高导热材料 / 存储芯片与模组配套 / 通用自动化设备
聚焦半导体制造、高算力硬件散热、存储周期及工业自动化赛道,本文梳理各环节核心产业现状与微观商业数据。 一、晶圆厂资本支出维持高位,制程迭代提升单线设备量 国内晶圆厂扩产进程持续推进,微观指标显示头部厂商2025H1产能利用率94.6%。在资本开支方面,对应厂商2024年构建资产现金支出达712.3亿元。制造工艺的迭代直接提升了核心环节设备的单线投资密度,在逻辑制程领域,5nm设备投资约为28nm的4倍;在存储器领域,每万片200层以上3D NAND或1β DRAM对应的设备投资额约为9亿美元。目
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北方华创
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鸿日达
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兆易创新
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汇川技术
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拓荆科技
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2026-05-20 16:48:49
AI终端拉动高端MLCC需求,产业链供需缺口与产能传导拆解
聚焦MLCC产业链,本文拆解本轮由AI需求驱动的结构性供需演变事实。 一、18-24个月周期壁垒与高端型号交期拉长 AI服务器对高端MLCC的消耗量呈现倍数级跃升,确立了算力端的刚性需求。在设备供给侧,核心制造设备维持高度垄断格局,导致高端产线扩产周期长达18至24个月。当前阶段,头部厂商高端型号交期实质性延长,受制于产能爬坡的客观物理周期,前端刚性供需缺口持续放大。 二、日韩产能向AI倾斜引发跨品类溢出效应 供给侧的结构性失衡正向全产业链蔓延。随着日韩龙头厂商将有限产能强制向AI高附加值产品倾
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昀冢科技
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三环集团
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风华高科
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博迁新材
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洁美科技
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2026-05-20 15:48:32
芯片测试设备国产替代分析
一、2025年全球测试设备需求增速达55% 根据行业报告,2025年全球半导体制造设备销售额运行至1351亿美元,同比增幅为15%。在先进逻辑与存储产能扩张驱动下,产业资本开支呈现非对称特征:前道晶圆制程设备增速为12%,而后道测试设备增速达到55%。区域分布上,中国大陆、中国台湾地区及韩国合计占据全球79%的市场份额。爱德万数据显示,全球SOC测试机市场规模将从2024年的41亿美元,增至2026年的85亿至95亿美元。 二、高性能SOC测试机跨入本土量产与迭代节点 算力芯片演进拉动测试机硬件
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长川科技
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华峰测控
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联动科技
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精智达
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金海通
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2026-05-20 11:47:32
燃机2028年缺口近60GW,气电切入AIDC供电链
一、2028年60GW供需缺口与北美AIDC负荷映射 全球燃气轮机产业正处于供需错配的扩张阶段。基于产业端测算,2026年至2028年全球燃机总需求量预计分别达到76GW、107GW与153GW。受制于制造端的物理爬坡周期,同期全球供给量预计仅为70GW、80GW及90GW,至2028年将形成约60GW的供需缺口。这一产能压制态势已直接反映在头部主机厂的排产数据中,截至2026年一季度末,西门子订单可见度达到5.2年。 在应用端,北美AIDC(人工智能数据中心)构成了新增负荷的核心变量。2016
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杰瑞股份
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应流股份
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上海电气
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东方电气
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西子洁能
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2026-05-20 09:05:51
AI算力拉动12英寸硅片消耗,SOI材料切入硅光CPO
聚焦半导体硅片赛道,本文拆解核心材料的产业供需现状及技术演进节点。 一、12英寸硅片价格确认底部 + AI与存储产能驱动 全球硅片价格下行周期已基本触底,海外头部厂商价格传导显现,国内12英寸硅片正处于价格修复阶段。本轮供需格局扭转并非传统库存周期,而是由AI服务器、HBM、先进存储及成熟制程稼动率回升共同构成的结构性消耗增量。 二、长鑫长存扩产提速 + 代工厂供应链本土化 国内需求端,长鑫、长存等存储晶圆厂的产能扩充直接推升12英寸硅片消耗量,当前国内存储客户的本土材料使用率较高。同时,中芯、
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沪硅产业
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立昂微
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上海合晶
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TCL中环
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有研硅
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2026-05-20 08:06:30
脱水研报:高端机床 / 电网设备 / 光储设备 / 工业工具
一、2026一季度机床核心企业出海与订单基准 当前宏观工业指标显示机床产业链呈现恢复特征。2026年1至2月期间,国内金属切削机床品类录得15.3%的营业收入同比增长,出口端实现16.9%的同比增速。在海外需求端,2026年一季度日本金属切削机床行业整体新签订单同比增长26%,其中出口新签订单增幅达35%。同期,全球相关标的德玛吉森精机的一季度新签订单为1554亿日元,同比上升28.8%。 高附加值机床及其核心部件的国产化推进是行业核心变量。数控系统作为产业核心元器件,约占据机床整体采购成本的2
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