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小糖糖
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小糖糖
2026-06-30 00:45:53
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高纯N9磷源构筑核心壁垒,红磷进口受限打开澄星股份成长空间
一、核心定义:N9(9N)高纯磷材料是N6先进制程底层根基 行业9N即纯度99.9999999%,对应SEMI G5最高等级,包含9N高纯黄磷、9N芯片级电子磷酸两大核心原料,是N6(6nm)算力芯片、配套磷化铟光芯片的前置刚需。国内绝大多数磷企仅能产出G3(3N/4N)湿法磷酸,无法达标N6制程杂质要求;澄星是国内少数规模化稳定量产N9高纯磷源的企业,也是7月1日日企管控7N红磷背景下,全产业链自主可控的稀缺标的。 二、N9产品支撑N6硅基芯片制造(核心基本盘) 公司自研热法多级精馏+氢化还原
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兴发集团
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澄星股份
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小糖糖
2026-06-23 11:40:17
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限制算力真正瓶颈不在GPU/HBM,供电机房才是核心卡点
一、行业核心观点来源 全球头部算力厂商CoreWeave高管明确表态:当前限制AI算力扩张的最大约束是供电机房(完整配套供电的数据中心),而非GPU、HBM存储;叠加两大现实约束:高压配电设备交付周期长达2年以上、持证高压电工全球严重短缺,直接拖慢全球AIDC投产节奏。 二、为什么GPU、HBM反而不是长期瓶颈,供电机房才是硬约束 1、GPU/HBM属于可流通标准化硬件 1. 芯片产能可全球调配、代工厂持续扩产,长协锁产能、加急排产可短期缓解紧缺; 2. HBM、GPU属于货物,可跨区域运输,库
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科华数据
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中恒电气
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特锐德
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金盘科技
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小糖糖
2026-06-18 10:14:47
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浅谈一个有玻璃基板和最新液冷技术的公司
赛微电子依托瑞典Silex成熟MEMS工艺,同步布局芯片内置微流控液冷与玻璃基板TGV通孔加工两大AI前沿赛道,双技术工艺互通、客户高度重合,形成独特差异化壁垒。 液冷方面,公司是A股唯一实现硅基嵌入式微流控液冷代工企业,通过DRIE深硅刻蚀在芯片内部制备微米级流道,冷却液直触芯片热源,散热极限达3000W/cm²,性能大幅超越传统外置冷板,完美匹配韩国最新十倍效能液冷技术路线。相关晶圆已批量供货谷歌光交换芯片,同步送样华为、英伟达高端算力芯片,适配GB300等高功耗AI芯片散热需求。 玻璃基板
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赛微电子
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精研科技
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小糖糖
2026-06-16 14:40:34
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AI算力布线刚需,浅谈金信诺的MPO
AI服务器硬件迭代带动算力机房高密度光互联需求爆发,MPO多芯连接器作为GPU集群布线核心部件,单机价值量大幅提升,金信诺依托全产业链布局充分受益行业红利。 公司打通光纤、MT插芯、MPO连接器、成品跳线一体化产能,通过并购补齐核心插芯自研能力,覆盖12/24/48芯全规格MPO产品,适配800G、1.6T光模块与CPO交换机高密度光口,超低损耗算力光纤配套交付,满足AI集群低插损布线要求。依托深圳、江西、泰国三地产能,可同步对接国内整机厂与北美云厂商,规避海外贸易壁垒,批量供应戴尔等AI服务器
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金信诺
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小糖糖
2026-06-15 13:03:51
3. 量子时代核心材料突围,688432卡位硅‑28晶体加工赛道
量子计算是下一代科技革命核心引擎,硅基量子芯片因易规模化、兼容性强,成为产业落地主流路线。硅-28(丰度99.99%+)是硅基量子芯片的核心材料,被誉为“世界上最纯净的硅”,可极致降低量子噪声,是量子计算规模化的关键基石。 2026年6月15日,中核集团官宣实现丰度99.99%+硅-28自主量产,关键指标达国际先进水平,打破海外垄断,为国内硅基量子产业突破奠定基础。有研硅(688432) 作为国内半导体硅材料“国家队”,是A股唯一具备承接硅-28产业化能力的核心标的。 公司核心优势无可替代:其一
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有研硅
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小糖糖
2026-06-12 12:48:45
对标星链:金信诺(300252),低轨卫星互联的国产核心标的
马斯克旗下SpaceX的星链卫星互联网业务,已成为支撑其收入的核心引擎。金信诺(300252)凭借“天-地-端”全链路信号互联布局,正深度对标这一赛道,成为国内低轨卫星互联网建设的核心受益标的。 一、对标星链:地面与星载双环节卡位,构建国产替代优势 在地面终端环节,公司Ka/Ku频段射频连接器、高频高速线缆组件已切入星链地面站供应链,产品性能对标国际一线厂商,单套成本降低约50%,在交付效率与性价比上形成显著优势,成为星链地面通信的关键信号桥梁。 在星载环节,公司星载UPF产品已完成研制并进入客
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小糖糖
2026-06-11 13:18:19
国内唯一、全球仅两家可量产苊烯碳氢树脂企业
美联新材(300586)是国内稀缺的高端电子树脂细分龙头,主营高分子材料、精细化工与新能源业务,核心成长引擎为控股孙公司辉虹科技的EX电子材料(苊烯碳氢树脂),深度绑定AI算力与国产替代高景气赛道。 公司为国内唯一、全球仅两家可量产苊烯碳氢树脂的企业,打破日本长达20年的技术垄断,填补国内高端电子树脂空白。产品具备超低介电损耗(Df=0.0005-0.0006)、低介电常数(Dk=2.54)核心优势,性能远超传统PPO树脂,适配M8/M9级高频高速覆铜板,广泛用于AI服务器、算力中心、HBM芯片
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美联新材
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