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万智光学
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万智光学
关灯吃面的老司机
2026-06-30 11:30:23
三角激光3D轮廓仪技术原理与应用科普
摘要 三角激光3D轮廓仪是基于激光三角测量原理的高精度非接触式检测设备,凭借高效、无损、高精度的检测优势,成为工业微观形貌检测、尺寸精密测量的核心设备。本文简要介绍其核心原理、系统组成、技术特点及应用场景,为大众及行业初学者普及该精密检测技术。 1 核心测量原理 该设备核心依托激光三角测量法工作。工作过程中,激光器发射单色激光线,垂直投射至被测物体表面,物体表面发生漫反射后,反射光线以固定角度被图像传感器接收。由于被测表面存在高低、凹凸差异,反射光点的成像位置会发生偏移。设备内置算法可精准计算成
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万智光学
关灯吃面的老司机
2026-06-30 11:26:59
三角激光3D轮廓仪在粗糙度检查中的应用
摘要 表面粗糙度是衡量工件加工质量的核心指标,直接影响零部件的耐磨性、密封性与使用寿命。传统粗糙度检测方式存在接触损伤、采样范围小等短板。三角激光3D轮廓仪依托激光三角测量原理,以非接触、高精度、全域成像的优势,成为现代工业粗糙度检测的重要手段。本文阐述其工作原理、检测优势及实际应用场景,为工业粗糙度质控提供科普参考。 1 基本检测原理 三角激光3D轮廓仪核心采用激光三角测量技术。设备发射线性激光照射工件表面,表面微观凹凸结构使激光发生漫反射,图像传感器以固定角度采集反射光信号。工件表面微小的高
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万智光学
关灯吃面的老司机
2026-06-24 15:33:51
PCB背钻欠钻残桩缺陷成因分析及优化方案
摘要 背钻是高速PCB消除过孔残桩、保障信号完整性的关键工序,量产中欠钻、残桩过长缺陷频发,易引发信号反射、阻抗不连续等电性问题,拖累产品良率。本文结合PCB量产现场工况,从板材、设备、刀具、工艺参数四方面剖析不良根源,搭建全流程制程管控方案,同时引入激光相干3D光学测量设备实现高精度检测。 一、引言 随着通信、服务器PCB信号传输速率不断提升,行业对过孔残桩管控愈发严格,主流产品要求残桩长度≤0.1mm。背钻通过反向钻孔去除多余铜柱,是降低信号损耗的核心工艺。但实际生产中多重制程异常叠加,欠钻
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万智光学
关灯吃面的老司机
2026-06-22 13:08:23
利用 Bow 与 TTV 差值于再生晶圆制作超平坦芯片的方法
摘要:本文介绍了一种利用 Bow 与 TTV 差值在再生晶圆上制作超平坦芯片的方法。通过对再生晶圆 Bow 值与 TTV 值的测量和计算,结合特定的研磨、抛光等工艺步骤,有效提升芯片的平坦度,为相关领域提供了新的技术思路 。 关键词:再生晶圆;Bow 值;TTV 值;超平坦芯片 一、引言 在半导体行业中,芯片的平坦度是衡量其性能的关键指标之一。其中,总厚度偏差(TTV,Total Thickness Variation)作为平坦度的重要衡量指标,在磨片加工过程中至关重要。化学机械研磨(CMP,C
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天域半导体
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万智光学
关灯吃面的老司机
2025-03-24 14:17:47
合适的装夹方式,可避免碳化硅衬底位移或晃动,提高碳化硅衬底TTV均匀性
碳化硅(SiC)作为第三代半导体材料,因其优异的物理和化学性能,在高性能电子器件制造领域展现出巨大潜力。然而,碳化硅衬底的加工精度要求极高,尤其是在总厚度变化(TTV)方面,任何微小的位移或晃动都可能对最终产品的性能产生重大影响。因此,选择合适的装夹方式,避免碳化硅衬底在加工过程中的位移或晃动,是提高其TTV均匀性的关键。 一、碳化硅衬底加工中的位移与晃动问题 在碳化硅衬底的加工过程中,如切割、研磨、抛光等步骤,衬底需要被稳定地固定在工作台上。如果装夹方式不当,衬底可能会因为受力不均、装夹力不足
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万智光学
关灯吃面的老司机
2025-03-19 13:45:46
降低切割速度,可能导致切割力不稳定,不利于碳化硅衬底TTV均匀性
在半导体材料加工领域,碳化硅(SiC)因其卓越的物理和化学性质,如高硬度、高热导率和化学稳定性,成为制造高性能电子器件的关键材料。然而,碳化硅衬底的加工过程,尤其是切割阶段,对总厚度变化(Total Thickness Variation, TTV)的均匀性有着极高的要求。TTV的均匀性直接关系到后续封装工艺的顺利进行以及最终器件的性能和可靠性。本文旨在探讨降低切割速度对切割力稳定性的影响,以及这种影响如何不利于碳化硅衬底TTV的均匀性。 一、切割速度与切割力的关系 在切割过程中,切割速度是影响
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万智光学
关灯吃面的老司机
2025-03-18 09:40:54
如何调整切割参数,以提高碳化硅衬底TTV均匀性
在半导体材料制造领域,碳化硅(SiC)因其卓越的物理和化学性质,如高硬度、高热导率和化学稳定性,成为制造高性能电子器件的理想材料。然而,碳化硅衬底的加工过程,尤其是切割阶段,对总厚度变化(Total Thickness Variation, TTV)的均匀性有着极高的要求。TTV的均匀性直接关系到后续封装工艺的顺利进行以及最终器件的性能和可靠性。因此,如何通过调整切割参数来提高碳化硅衬底TTV的均匀性,成为了一个值得深入探讨的课题。 一、理解TTV均匀性的重要性 TTV均匀性是指碳化硅衬底在切割
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2025-03-17 10:27:30
磨轮修整方法,对于碳化硅衬底TTV的管控影响
在半导体材料加工领域,碳化硅(SiC)因其出色的物理和化学特性,如高硬度、高热导率和化学稳定性,正逐渐成为功率电子、高频器件以及高温、高压环境下工作的电子器件的首选材料。然而,碳化硅衬底的加工精度,尤其是总厚度变化(Total Thickness Variation, TTV)的管控,对于确保器件的性能和可靠性至关重要。磨轮修整作为碳化硅衬底加工中的一个关键环节,对TTV的管控具有显著影响。本文将探讨磨轮修整方法及其对碳化硅衬底TTV管控的影响。 磨轮修整方法概述 磨轮修整是指通过特定的方法和工
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2025-03-13 15:48:02
避免碳化硅衬底切片TTV不均匀的辅助和碳化硅衬底TTV管控
在半导体材料领域,碳化硅(SiC)因其出色的物理和化学性质,正逐渐成为功率器件、高频器件以及高温、高压环境下电子器件的首选材料。然而,在碳化硅衬底的加工过程中,尤其是切片阶段,总厚度变化(Total Thickness Variation, TTV)的不均匀性是一个亟待解决的问题。本文旨在探讨避免碳化硅衬底切片TTV不均匀的辅助方法,以及碳化硅衬底TTV管控的全面策略,以确保碳化硅衬底的高质量加工和器件的可靠性。 1,避免碳化硅衬底切片TTV不均匀的辅助方法 优化切片工艺: 选择合适的切割方式:
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2025-03-12 14:10:09
碳化硅衬底背面减薄过程,对碳化硅衬底TTV的管控
在半导体材料领域,碳化硅(SiC)作为一种高性能的半导体材料,因其独特的物理和化学性质,正逐步成为功率器件、高频器件以及高温、高压环境下的首选材料。在碳化硅衬底的加工过程中,背面减薄是一个至关重要的环节,旨在降低衬底厚度,减少电阻,提高器件的性能。然而,背面减薄过程往往会对碳化硅衬底的总厚度变化(Total Thickness Variation, TTV)产生显著影响。本文旨在探讨碳化硅衬底背面减薄过程中对TTV的管控策略,以确保碳化硅衬底的高质量加工和器件的可靠性。 碳化硅衬底背面减薄的作用
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2025-03-12 10:40:22
Mach-Zehnder型干涉(马赫-曾德尔干涉)的测量原理
Mach-Zehnder型干涉(马赫-曾德尔干涉)的测量原理主要基于光的干涉现象和相位差的变化。以下是对其测量原理的详细解释: 一、基本原理 马赫-曾德尔干涉仪利用分束器将单一光源发出的光线分为两条光路,这两条光路分别经过不同的路径后再合并在一起。在合并处,两束光会发生干涉现象,形成明暗相间的干涉条纹。这些干涉条纹的形状、间距和位置取决于两条光路的相位差,而相位差又与被测物体的某些特性(如折射率、厚度等)有关。因此,通过观察和分析干涉条纹的变化,可以推断出被测物体的特性。 二、光路设计 马赫-曾
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2025-03-11 14:42:58
Linnik型干涉(林尼克干涉)的测量原理
Linnik型干涉(林尼克干涉)的测量原理主要基于光的干涉现象,即光的波动性质导致光波在空间中叠加和干涉的现象。以下是对其测量原理的详细解释: 一、基本原理 在Linnik干涉仪中,光源发出的光线经过分光镜后被分为两束:一束直接照射到被测样品上(称为样本光),另一束则作为参考光。这两束光在干涉仪内部经过反射和透射后,最终在检测器上相遇并产生干涉现象。干涉产生的波纹图样被称为干涉图像,该图像包含了关于被测样品的有用信息。 二、光路设计 Linnik干涉仪的光路设计相对复杂,通常包括光源、分光镜、被
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关灯吃面的老司机
2025-03-11 11:14:55
降低外延片堆垛层错缺陷的外延方法及其应用
三、结论 这种降低外延片堆垛层错缺陷的外延方法通过精确控制生长条件和工艺步骤,有效减少了外延片中的堆垛层错密度,提高了外延片的质量和可靠性。该方法具有广泛的应用前景,可用于高性能半导体器件的制造,为半导体产业的发展提供了有力支持。 高通量晶圆测厚系统 高通量晶圆测厚系统以光学相干层析成像原理,可解决晶圆/晶片厚度TTV(Total Thickness Variation,总厚度偏差)、BOW(弯曲度)、WARP(翘曲度),TIR(Total Indicated Reading 总指示读数,STI
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关灯吃面的老司机
2025-03-10 17:14:14
Fizeau型干涉(斐索干涉)的测量原理
Fizeau型干涉(斐索干涉)的测量原理主要基于等厚干涉。以下是对其测量原理的详细解释: 一、基本原理 斐索干涉仪利用平行光入射到厚度变化均匀、折射率均匀的薄膜上、下表面而形成的干涉条纹来进行测量。当光线在薄膜的上下表面反射时,会形成两束相干光:一束是来自薄膜上表面的反射光(通常用作参考光束),另一束是透过薄膜并从被测表面反射回来的光(携带被测表面的形状信息)。这两束光在干涉仪内部重合,形成等厚干涉条纹。 二、光路设计 斐索干涉仪的光路设计包括点光源、准直物镜、分束器、被测件和观测系统等部分。点
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关灯吃面的老司机
2025-03-06 09:44:56
改善碳化硅外延层基平面位错的生长方法
碳化硅(SiC)外延层在半导体材料制备过程中具有重要地位,而其基平面位错(BPD)对外延器件的性能有着关键性影响。BPD会导致器件性能的退化甚至失效,特别是在双极性器件中尤为显著。因此,在碳化硅外延生长过程中,有效抑制和减少BPD的形成是提高器件性能的重要措施。本文将介绍一种改善碳化硅外延层基平面位错的生长方法。 一、背景介绍 在碳化硅外延生长过程中,衬底中的位错会在外延层中复制或转化。螺型位错(TSD)和刃位错(TED)对器件性能的影响相对较小,而BPD则会在载流子注入过程中成为Shockle
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