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关灯吃面的老司机
2025-03-24 14:17:47
合适的装夹方式,可避免碳化硅衬底位移或晃动,提高碳化硅衬底TTV均匀性
碳化硅(SiC)作为第三代半导体材料,因其优异的物理和化学性能,在高性能电子器件制造领域展现出巨大潜力。然而,碳化硅衬底的加工精度要求极高,尤其是在总厚度变化(TTV)方面,任何微小的位移或晃动都可能对最终产品的性能产生重大影响。因此,选择合适的装夹方式,避免碳化硅衬底在加工过程中的位移或晃动,是提高其TTV均匀性的关键。 一、碳化硅衬底加工中的位移与晃动问题 在碳化硅衬底的加工过程中,如切割、研磨、抛光等步骤,衬底需要被稳定地固定在工作台上。如果装夹方式不当,衬底可能会因为受力不均、装夹力不足
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关灯吃面的老司机
2025-03-19 13:45:46
降低切割速度,可能导致切割力不稳定,不利于碳化硅衬底TTV均匀性
在半导体材料加工领域,碳化硅(SiC)因其卓越的物理和化学性质,如高硬度、高热导率和化学稳定性,成为制造高性能电子器件的关键材料。然而,碳化硅衬底的加工过程,尤其是切割阶段,对总厚度变化(Total Thickness Variation, TTV)的均匀性有着极高的要求。TTV的均匀性直接关系到后续封装工艺的顺利进行以及最终器件的性能和可靠性。本文旨在探讨降低切割速度对切割力稳定性的影响,以及这种影响如何不利于碳化硅衬底TTV的均匀性。 一、切割速度与切割力的关系 在切割过程中,切割速度是影响
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2025-03-18 09:40:54
如何调整切割参数,以提高碳化硅衬底TTV均匀性
在半导体材料制造领域,碳化硅(SiC)因其卓越的物理和化学性质,如高硬度、高热导率和化学稳定性,成为制造高性能电子器件的理想材料。然而,碳化硅衬底的加工过程,尤其是切割阶段,对总厚度变化(Total Thickness Variation, TTV)的均匀性有着极高的要求。TTV的均匀性直接关系到后续封装工艺的顺利进行以及最终器件的性能和可靠性。因此,如何通过调整切割参数来提高碳化硅衬底TTV的均匀性,成为了一个值得深入探讨的课题。 一、理解TTV均匀性的重要性 TTV均匀性是指碳化硅衬底在切割
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2025-03-17 10:27:30
磨轮修整方法,对于碳化硅衬底TTV的管控影响
在半导体材料加工领域,碳化硅(SiC)因其出色的物理和化学特性,如高硬度、高热导率和化学稳定性,正逐渐成为功率电子、高频器件以及高温、高压环境下工作的电子器件的首选材料。然而,碳化硅衬底的加工精度,尤其是总厚度变化(Total Thickness Variation, TTV)的管控,对于确保器件的性能和可靠性至关重要。磨轮修整作为碳化硅衬底加工中的一个关键环节,对TTV的管控具有显著影响。本文将探讨磨轮修整方法及其对碳化硅衬底TTV管控的影响。 磨轮修整方法概述 磨轮修整是指通过特定的方法和工
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2025-03-13 15:48:02
避免碳化硅衬底切片TTV不均匀的辅助和碳化硅衬底TTV管控
在半导体材料领域,碳化硅(SiC)因其出色的物理和化学性质,正逐渐成为功率器件、高频器件以及高温、高压环境下电子器件的首选材料。然而,在碳化硅衬底的加工过程中,尤其是切片阶段,总厚度变化(Total Thickness Variation, TTV)的不均匀性是一个亟待解决的问题。本文旨在探讨避免碳化硅衬底切片TTV不均匀的辅助方法,以及碳化硅衬底TTV管控的全面策略,以确保碳化硅衬底的高质量加工和器件的可靠性。 1,避免碳化硅衬底切片TTV不均匀的辅助方法 优化切片工艺: 选择合适的切割方式:
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2025-03-12 14:10:09
碳化硅衬底背面减薄过程,对碳化硅衬底TTV的管控
在半导体材料领域,碳化硅(SiC)作为一种高性能的半导体材料,因其独特的物理和化学性质,正逐步成为功率器件、高频器件以及高温、高压环境下的首选材料。在碳化硅衬底的加工过程中,背面减薄是一个至关重要的环节,旨在降低衬底厚度,减少电阻,提高器件的性能。然而,背面减薄过程往往会对碳化硅衬底的总厚度变化(Total Thickness Variation, TTV)产生显著影响。本文旨在探讨碳化硅衬底背面减薄过程中对TTV的管控策略,以确保碳化硅衬底的高质量加工和器件的可靠性。 碳化硅衬底背面减薄的作用
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2025-03-12 10:40:22
Mach-Zehnder型干涉(马赫-曾德尔干涉)的测量原理
Mach-Zehnder型干涉(马赫-曾德尔干涉)的测量原理主要基于光的干涉现象和相位差的变化。以下是对其测量原理的详细解释: 一、基本原理 马赫-曾德尔干涉仪利用分束器将单一光源发出的光线分为两条光路,这两条光路分别经过不同的路径后再合并在一起。在合并处,两束光会发生干涉现象,形成明暗相间的干涉条纹。这些干涉条纹的形状、间距和位置取决于两条光路的相位差,而相位差又与被测物体的某些特性(如折射率、厚度等)有关。因此,通过观察和分析干涉条纹的变化,可以推断出被测物体的特性。 二、光路设计 马赫-曾
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2025-03-11 14:42:58
Linnik型干涉(林尼克干涉)的测量原理
Linnik型干涉(林尼克干涉)的测量原理主要基于光的干涉现象,即光的波动性质导致光波在空间中叠加和干涉的现象。以下是对其测量原理的详细解释: 一、基本原理 在Linnik干涉仪中,光源发出的光线经过分光镜后被分为两束:一束直接照射到被测样品上(称为样本光),另一束则作为参考光。这两束光在干涉仪内部经过反射和透射后,最终在检测器上相遇并产生干涉现象。干涉产生的波纹图样被称为干涉图像,该图像包含了关于被测样品的有用信息。 二、光路设计 Linnik干涉仪的光路设计相对复杂,通常包括光源、分光镜、被
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2025-03-11 11:14:55
降低外延片堆垛层错缺陷的外延方法及其应用
三、结论 这种降低外延片堆垛层错缺陷的外延方法通过精确控制生长条件和工艺步骤,有效减少了外延片中的堆垛层错密度,提高了外延片的质量和可靠性。该方法具有广泛的应用前景,可用于高性能半导体器件的制造,为半导体产业的发展提供了有力支持。 高通量晶圆测厚系统 高通量晶圆测厚系统以光学相干层析成像原理,可解决晶圆/晶片厚度TTV(Total Thickness Variation,总厚度偏差)、BOW(弯曲度)、WARP(翘曲度),TIR(Total Indicated Reading 总指示读数,STI
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2025-03-10 17:14:14
Fizeau型干涉(斐索干涉)的测量原理
Fizeau型干涉(斐索干涉)的测量原理主要基于等厚干涉。以下是对其测量原理的详细解释: 一、基本原理 斐索干涉仪利用平行光入射到厚度变化均匀、折射率均匀的薄膜上、下表面而形成的干涉条纹来进行测量。当光线在薄膜的上下表面反射时,会形成两束相干光:一束是来自薄膜上表面的反射光(通常用作参考光束),另一束是透过薄膜并从被测表面反射回来的光(携带被测表面的形状信息)。这两束光在干涉仪内部重合,形成等厚干涉条纹。 二、光路设计 斐索干涉仪的光路设计包括点光源、准直物镜、分束器、被测件和观测系统等部分。点
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2025-03-06 09:44:56
改善碳化硅外延层基平面位错的生长方法
碳化硅(SiC)外延层在半导体材料制备过程中具有重要地位,而其基平面位错(BPD)对外延器件的性能有着关键性影响。BPD会导致器件性能的退化甚至失效,特别是在双极性器件中尤为显著。因此,在碳化硅外延生长过程中,有效抑制和减少BPD的形成是提高器件性能的重要措施。本文将介绍一种改善碳化硅外延层基平面位错的生长方法。 一、背景介绍 在碳化硅外延生长过程中,衬底中的位错会在外延层中复制或转化。螺型位错(TSD)和刃位错(TED)对器件性能的影响相对较小,而BPD则会在载流子注入过程中成为Shockle
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2025-03-04 15:40:35
激光面型干涉仪和白光干涉仪的区别
激光面型干涉仪和白光干涉仪都是基于干涉原理的光学测量仪器,但它们在光源、干涉条纹、测量范围、稳定性以及应用领域等方面存在显著的差异。以下是对这两种仪器的详细比较: 一、光源 激光面型干涉仪:通常采用单频、稳定输出的激光器作为光源,如氦氖激光器,提供连续且波长已知的激光束。 白光干涉仪:使用白色光源,白光属于多色光,具有连续的光谱。 二、干涉条纹 激光面型干涉仪:由于激光的单色性好,相干性强,因此干涉时主要形成黑白的干涉条纹。 白光干涉仪:由于光源包含多种波长的光波,干涉时会形成彩色的干涉条纹。
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2025-03-03 14:33:17
除了迈克尔逊干涉和Linnik型干涉外,常见的干涉设计还有哪些?
除了迈克尔逊干涉和Linnik型干涉外,常见的干涉设计还有多种,以下是一些主要的类型: 马赫-增德尔(Mach-Zehnder)干涉: 原理:通过分束器将一束光分成两束,这两束光分别在不同的路径中传播,然后再通过另一个分束器重新组合。由于两束光在传播过程中可能经历不同的光程,因此会产生干涉现象。 应用:马赫-增德尔干涉仪常用于透射样本的测量,如生物样本、全息术等。 法布里-珀罗(Fabry-Perot)干涉: 原理:当一束光在两个平行且部分透射的反射面之间多次反射和透射时,会形成多束相干光波的叠
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2025-02-24 15:02:34
去除碳化硅外延片揭膜后脏污的清洗方法
采用自动式晶片清洗设备,对外延片进行双面清洗。该步骤结合了水和高纯氮气的二流体注入喷气式雾状清洗,以及去离子水和HF药液的冲洗。引言 碳化硅(SiC)作为新一代半导体材料,因其出色的物理和化学特性,在功率电子、高频通信、高温及辐射环境等领域展现出巨大的应用潜力。然而,在SiC外延片的制备过程中,揭膜后的脏污问题一直是影响外延片质量和后续器件性能的关键因素。脏污主要包括颗粒物、有机物、无机化合物以及重金属离子等,它们可能来源于外延生长过程中的反应副产物、空气中的污染物或处理过程中的残留物。为了获得
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2025-02-11 15:50:25
SiC外延片的化学机械清洗方法
引言 碳化硅(SiC)作为一种高性能的半导体材料,因其卓越的物理和化学性质,在电力电子、微波器件、高温传感器等领域展现出巨大的应用潜力。然而,在SiC外延片的制造过程中,表面污染物的存在会严重影响外延片的质量和性能。因此,采用高效的化学机械清洗方法,以彻底去除SiC外延片表面的污染物,成为保证外延片质量的关键步骤。本文将详细介绍SiC外延片的化学机械清洗方法,包括清洗步骤、所用化学试剂及工具、以及该方法在SiC外延片制造中的应用优势。 清洗步骤 SiC外延片的化学机械清洗方法主要包括以下几个步骤
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合适的装夹方式,可避免碳化硅衬底位移或晃动,提高碳化硅衬底TTV均匀性
碳化硅(SiC)作为第三代半导体材料,因其优异的物理和化学性能,在高性能电子器件制造领域展现出巨大潜力。然而,碳化硅衬底的加工精度要求极高,尤其是在总厚度变化(TTV)方面,任何微小的位移或晃动都可能对最终产品的性能产生重大影响。因此,选择合适的装夹方式,避免碳化硅衬底在加工过程中的位移或晃动,是提高其TTV均匀性的关键。 一、碳化硅衬底加工中的位移与晃动问题 在碳化硅衬底的加工过程中,如切割、研磨、抛光等步骤,衬底需要被稳定地固定在工作台上。如果装夹方式不当,衬底可能会因为受力不均、装夹力不足
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降低切割速度,可能导致切割力不稳定,不利于碳化硅衬底TTV均匀性
在半导体材料加工领域,碳化硅(SiC)因其卓越的物理和化学性质,如高硬度、高热导率和化学稳定性,成为制造高性能电子器件的关键材料。然而,碳化硅衬底的加工过程,尤其是切割阶段,对总厚度变化(Total Thickness Variation, TTV)的均匀性有着极高的要求。TTV的均匀性直接关系到后续封装工艺的顺利进行以及最终器件的性能和可靠性。本文旨在探讨降低切割速度对切割力稳定性的影响,以及这种影响如何不利于碳化硅衬底TTV的均匀性。 一、切割速度与切割力的关系 在切割过程中,切割速度是影响
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如何调整切割参数,以提高碳化硅衬底TTV均匀性
在半导体材料制造领域,碳化硅(SiC)因其卓越的物理和化学性质,如高硬度、高热导率和化学稳定性,成为制造高性能电子器件的理想材料。然而,碳化硅衬底的加工过程,尤其是切割阶段,对总厚度变化(Total Thickness Variation, TTV)的均匀性有着极高的要求。TTV的均匀性直接关系到后续封装工艺的顺利进行以及最终器件的性能和可靠性。因此,如何通过调整切割参数来提高碳化硅衬底TTV的均匀性,成为了一个值得深入探讨的课题。 一、理解TTV均匀性的重要性 TTV均匀性是指碳化硅衬底在切割
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磨轮修整方法,对于碳化硅衬底TTV的管控影响
在半导体材料加工领域,碳化硅(SiC)因其出色的物理和化学特性,如高硬度、高热导率和化学稳定性,正逐渐成为功率电子、高频器件以及高温、高压环境下工作的电子器件的首选材料。然而,碳化硅衬底的加工精度,尤其是总厚度变化(Total Thickness Variation, TTV)的管控,对于确保器件的性能和可靠性至关重要。磨轮修整作为碳化硅衬底加工中的一个关键环节,对TTV的管控具有显著影响。本文将探讨磨轮修整方法及其对碳化硅衬底TTV管控的影响。 磨轮修整方法概述 磨轮修整是指通过特定的方法和工
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避免碳化硅衬底切片TTV不均匀的辅助和碳化硅衬底TTV管控
在半导体材料领域,碳化硅(SiC)因其出色的物理和化学性质,正逐渐成为功率器件、高频器件以及高温、高压环境下电子器件的首选材料。然而,在碳化硅衬底的加工过程中,尤其是切片阶段,总厚度变化(Total Thickness Variation, TTV)的不均匀性是一个亟待解决的问题。本文旨在探讨避免碳化硅衬底切片TTV不均匀的辅助方法,以及碳化硅衬底TTV管控的全面策略,以确保碳化硅衬底的高质量加工和器件的可靠性。 1,避免碳化硅衬底切片TTV不均匀的辅助方法 优化切片工艺: 选择合适的切割方式:
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碳化硅衬底背面减薄过程,对碳化硅衬底TTV的管控
在半导体材料领域,碳化硅(SiC)作为一种高性能的半导体材料,因其独特的物理和化学性质,正逐步成为功率器件、高频器件以及高温、高压环境下的首选材料。在碳化硅衬底的加工过程中,背面减薄是一个至关重要的环节,旨在降低衬底厚度,减少电阻,提高器件的性能。然而,背面减薄过程往往会对碳化硅衬底的总厚度变化(Total Thickness Variation, TTV)产生显著影响。本文旨在探讨碳化硅衬底背面减薄过程中对TTV的管控策略,以确保碳化硅衬底的高质量加工和器件的可靠性。 碳化硅衬底背面减薄的作用
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Mach-Zehnder型干涉(马赫-曾德尔干涉)的测量原理
Mach-Zehnder型干涉(马赫-曾德尔干涉)的测量原理主要基于光的干涉现象和相位差的变化。以下是对其测量原理的详细解释: 一、基本原理 马赫-曾德尔干涉仪利用分束器将单一光源发出的光线分为两条光路,这两条光路分别经过不同的路径后再合并在一起。在合并处,两束光会发生干涉现象,形成明暗相间的干涉条纹。这些干涉条纹的形状、间距和位置取决于两条光路的相位差,而相位差又与被测物体的某些特性(如折射率、厚度等)有关。因此,通过观察和分析干涉条纹的变化,可以推断出被测物体的特性。 二、光路设计 马赫-曾
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Linnik型干涉(林尼克干涉)的测量原理
Linnik型干涉(林尼克干涉)的测量原理主要基于光的干涉现象,即光的波动性质导致光波在空间中叠加和干涉的现象。以下是对其测量原理的详细解释: 一、基本原理 在Linnik干涉仪中,光源发出的光线经过分光镜后被分为两束:一束直接照射到被测样品上(称为样本光),另一束则作为参考光。这两束光在干涉仪内部经过反射和透射后,最终在检测器上相遇并产生干涉现象。干涉产生的波纹图样被称为干涉图像,该图像包含了关于被测样品的有用信息。 二、光路设计 Linnik干涉仪的光路设计相对复杂,通常包括光源、分光镜、被
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降低外延片堆垛层错缺陷的外延方法及其应用
三、结论 这种降低外延片堆垛层错缺陷的外延方法通过精确控制生长条件和工艺步骤,有效减少了外延片中的堆垛层错密度,提高了外延片的质量和可靠性。该方法具有广泛的应用前景,可用于高性能半导体器件的制造,为半导体产业的发展提供了有力支持。 高通量晶圆测厚系统 高通量晶圆测厚系统以光学相干层析成像原理,可解决晶圆/晶片厚度TTV(Total Thickness Variation,总厚度偏差)、BOW(弯曲度)、WARP(翘曲度),TIR(Total Indicated Reading 总指示读数,STI
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Fizeau型干涉(斐索干涉)的测量原理
Fizeau型干涉(斐索干涉)的测量原理主要基于等厚干涉。以下是对其测量原理的详细解释: 一、基本原理 斐索干涉仪利用平行光入射到厚度变化均匀、折射率均匀的薄膜上、下表面而形成的干涉条纹来进行测量。当光线在薄膜的上下表面反射时,会形成两束相干光:一束是来自薄膜上表面的反射光(通常用作参考光束),另一束是透过薄膜并从被测表面反射回来的光(携带被测表面的形状信息)。这两束光在干涉仪内部重合,形成等厚干涉条纹。 二、光路设计 斐索干涉仪的光路设计包括点光源、准直物镜、分束器、被测件和观测系统等部分。点
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改善碳化硅外延层基平面位错的生长方法
碳化硅(SiC)外延层在半导体材料制备过程中具有重要地位,而其基平面位错(BPD)对外延器件的性能有着关键性影响。BPD会导致器件性能的退化甚至失效,特别是在双极性器件中尤为显著。因此,在碳化硅外延生长过程中,有效抑制和减少BPD的形成是提高器件性能的重要措施。本文将介绍一种改善碳化硅外延层基平面位错的生长方法。 一、背景介绍 在碳化硅外延生长过程中,衬底中的位错会在外延层中复制或转化。螺型位错(TSD)和刃位错(TED)对器件性能的影响相对较小,而BPD则会在载流子注入过程中成为Shockle
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激光面型干涉仪和白光干涉仪的区别
激光面型干涉仪和白光干涉仪都是基于干涉原理的光学测量仪器,但它们在光源、干涉条纹、测量范围、稳定性以及应用领域等方面存在显著的差异。以下是对这两种仪器的详细比较: 一、光源 激光面型干涉仪:通常采用单频、稳定输出的激光器作为光源,如氦氖激光器,提供连续且波长已知的激光束。 白光干涉仪:使用白色光源,白光属于多色光,具有连续的光谱。 二、干涉条纹 激光面型干涉仪:由于激光的单色性好,相干性强,因此干涉时主要形成黑白的干涉条纹。 白光干涉仪:由于光源包含多种波长的光波,干涉时会形成彩色的干涉条纹。
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除了迈克尔逊干涉和Linnik型干涉外,常见的干涉设计还有哪些?
除了迈克尔逊干涉和Linnik型干涉外,常见的干涉设计还有多种,以下是一些主要的类型: 马赫-增德尔(Mach-Zehnder)干涉: 原理:通过分束器将一束光分成两束,这两束光分别在不同的路径中传播,然后再通过另一个分束器重新组合。由于两束光在传播过程中可能经历不同的光程,因此会产生干涉现象。 应用:马赫-增德尔干涉仪常用于透射样本的测量,如生物样本、全息术等。 法布里-珀罗(Fabry-Perot)干涉: 原理:当一束光在两个平行且部分透射的反射面之间多次反射和透射时,会形成多束相干光波的叠
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去除碳化硅外延片揭膜后脏污的清洗方法
采用自动式晶片清洗设备,对外延片进行双面清洗。该步骤结合了水和高纯氮气的二流体注入喷气式雾状清洗,以及去离子水和HF药液的冲洗。引言 碳化硅(SiC)作为新一代半导体材料,因其出色的物理和化学特性,在功率电子、高频通信、高温及辐射环境等领域展现出巨大的应用潜力。然而,在SiC外延片的制备过程中,揭膜后的脏污问题一直是影响外延片质量和后续器件性能的关键因素。脏污主要包括颗粒物、有机物、无机化合物以及重金属离子等,它们可能来源于外延生长过程中的反应副产物、空气中的污染物或处理过程中的残留物。为了获得
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SiC外延片的化学机械清洗方法
引言 碳化硅(SiC)作为一种高性能的半导体材料,因其卓越的物理和化学性质,在电力电子、微波器件、高温传感器等领域展现出巨大的应用潜力。然而,在SiC外延片的制造过程中,表面污染物的存在会严重影响外延片的质量和性能。因此,采用高效的化学机械清洗方法,以彻底去除SiC外延片表面的污染物,成为保证外延片质量的关键步骤。本文将详细介绍SiC外延片的化学机械清洗方法,包括清洗步骤、所用化学试剂及工具、以及该方法在SiC外延片制造中的应用优势。 清洗步骤 SiC外延片的化学机械清洗方法主要包括以下几个步骤
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合适的装夹方式,可避免碳化硅衬底位移或晃动,提高碳化硅衬底TTV均匀性
碳化硅(SiC)作为第三代半导体材料,因其优异的物理和化学性能,在高性能电子器件制造领域展现出巨大潜力。然而,碳化硅衬底的加工精度要求极高,尤其是在总厚度变化(TTV)方面,任何微小的位移或晃动都可能对最终产品的性能产生重大影响。因此,选择合适的装夹方式,避免碳化硅衬底在加工过程中的位移或晃动,是提高其TTV均匀性的关键。 一、碳化硅衬底加工中的位移与晃动问题 在碳化硅衬底的加工过程中,如切割、研磨、抛光等步骤,衬底需要被稳定地固定在工作台上。如果装夹方式不当,衬底可能会因为受力不均、装夹力不足
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降低切割速度,可能导致切割力不稳定,不利于碳化硅衬底TTV均匀性
在半导体材料加工领域,碳化硅(SiC)因其卓越的物理和化学性质,如高硬度、高热导率和化学稳定性,成为制造高性能电子器件的关键材料。然而,碳化硅衬底的加工过程,尤其是切割阶段,对总厚度变化(Total Thickness Variation, TTV)的均匀性有着极高的要求。TTV的均匀性直接关系到后续封装工艺的顺利进行以及最终器件的性能和可靠性。本文旨在探讨降低切割速度对切割力稳定性的影响,以及这种影响如何不利于碳化硅衬底TTV的均匀性。 一、切割速度与切割力的关系 在切割过程中,切割速度是影响
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如何调整切割参数,以提高碳化硅衬底TTV均匀性
在半导体材料制造领域,碳化硅(SiC)因其卓越的物理和化学性质,如高硬度、高热导率和化学稳定性,成为制造高性能电子器件的理想材料。然而,碳化硅衬底的加工过程,尤其是切割阶段,对总厚度变化(Total Thickness Variation, TTV)的均匀性有着极高的要求。TTV的均匀性直接关系到后续封装工艺的顺利进行以及最终器件的性能和可靠性。因此,如何通过调整切割参数来提高碳化硅衬底TTV的均匀性,成为了一个值得深入探讨的课题。 一、理解TTV均匀性的重要性 TTV均匀性是指碳化硅衬底在切割
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2025-03-17 10:27:30
磨轮修整方法,对于碳化硅衬底TTV的管控影响
在半导体材料加工领域,碳化硅(SiC)因其出色的物理和化学特性,如高硬度、高热导率和化学稳定性,正逐渐成为功率电子、高频器件以及高温、高压环境下工作的电子器件的首选材料。然而,碳化硅衬底的加工精度,尤其是总厚度变化(Total Thickness Variation, TTV)的管控,对于确保器件的性能和可靠性至关重要。磨轮修整作为碳化硅衬底加工中的一个关键环节,对TTV的管控具有显著影响。本文将探讨磨轮修整方法及其对碳化硅衬底TTV管控的影响。 磨轮修整方法概述 磨轮修整是指通过特定的方法和工
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2025-03-13 15:48:02
避免碳化硅衬底切片TTV不均匀的辅助和碳化硅衬底TTV管控
在半导体材料领域,碳化硅(SiC)因其出色的物理和化学性质,正逐渐成为功率器件、高频器件以及高温、高压环境下电子器件的首选材料。然而,在碳化硅衬底的加工过程中,尤其是切片阶段,总厚度变化(Total Thickness Variation, TTV)的不均匀性是一个亟待解决的问题。本文旨在探讨避免碳化硅衬底切片TTV不均匀的辅助方法,以及碳化硅衬底TTV管控的全面策略,以确保碳化硅衬底的高质量加工和器件的可靠性。 1,避免碳化硅衬底切片TTV不均匀的辅助方法 优化切片工艺: 选择合适的切割方式:
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2025-03-12 14:10:09
碳化硅衬底背面减薄过程,对碳化硅衬底TTV的管控
在半导体材料领域,碳化硅(SiC)作为一种高性能的半导体材料,因其独特的物理和化学性质,正逐步成为功率器件、高频器件以及高温、高压环境下的首选材料。在碳化硅衬底的加工过程中,背面减薄是一个至关重要的环节,旨在降低衬底厚度,减少电阻,提高器件的性能。然而,背面减薄过程往往会对碳化硅衬底的总厚度变化(Total Thickness Variation, TTV)产生显著影响。本文旨在探讨碳化硅衬底背面减薄过程中对TTV的管控策略,以确保碳化硅衬底的高质量加工和器件的可靠性。 碳化硅衬底背面减薄的作用
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Mach-Zehnder型干涉(马赫-曾德尔干涉)的测量原理
Mach-Zehnder型干涉(马赫-曾德尔干涉)的测量原理主要基于光的干涉现象和相位差的变化。以下是对其测量原理的详细解释: 一、基本原理 马赫-曾德尔干涉仪利用分束器将单一光源发出的光线分为两条光路,这两条光路分别经过不同的路径后再合并在一起。在合并处,两束光会发生干涉现象,形成明暗相间的干涉条纹。这些干涉条纹的形状、间距和位置取决于两条光路的相位差,而相位差又与被测物体的某些特性(如折射率、厚度等)有关。因此,通过观察和分析干涉条纹的变化,可以推断出被测物体的特性。 二、光路设计 马赫-曾
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Linnik型干涉(林尼克干涉)的测量原理
Linnik型干涉(林尼克干涉)的测量原理主要基于光的干涉现象,即光的波动性质导致光波在空间中叠加和干涉的现象。以下是对其测量原理的详细解释: 一、基本原理 在Linnik干涉仪中,光源发出的光线经过分光镜后被分为两束:一束直接照射到被测样品上(称为样本光),另一束则作为参考光。这两束光在干涉仪内部经过反射和透射后,最终在检测器上相遇并产生干涉现象。干涉产生的波纹图样被称为干涉图像,该图像包含了关于被测样品的有用信息。 二、光路设计 Linnik干涉仪的光路设计相对复杂,通常包括光源、分光镜、被
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降低外延片堆垛层错缺陷的外延方法及其应用
三、结论 这种降低外延片堆垛层错缺陷的外延方法通过精确控制生长条件和工艺步骤,有效减少了外延片中的堆垛层错密度,提高了外延片的质量和可靠性。该方法具有广泛的应用前景,可用于高性能半导体器件的制造,为半导体产业的发展提供了有力支持。 高通量晶圆测厚系统 高通量晶圆测厚系统以光学相干层析成像原理,可解决晶圆/晶片厚度TTV(Total Thickness Variation,总厚度偏差)、BOW(弯曲度)、WARP(翘曲度),TIR(Total Indicated Reading 总指示读数,STI
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2025-03-10 17:14:14
Fizeau型干涉(斐索干涉)的测量原理
Fizeau型干涉(斐索干涉)的测量原理主要基于等厚干涉。以下是对其测量原理的详细解释: 一、基本原理 斐索干涉仪利用平行光入射到厚度变化均匀、折射率均匀的薄膜上、下表面而形成的干涉条纹来进行测量。当光线在薄膜的上下表面反射时,会形成两束相干光:一束是来自薄膜上表面的反射光(通常用作参考光束),另一束是透过薄膜并从被测表面反射回来的光(携带被测表面的形状信息)。这两束光在干涉仪内部重合,形成等厚干涉条纹。 二、光路设计 斐索干涉仪的光路设计包括点光源、准直物镜、分束器、被测件和观测系统等部分。点
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2025-03-06 09:44:56
改善碳化硅外延层基平面位错的生长方法
碳化硅(SiC)外延层在半导体材料制备过程中具有重要地位,而其基平面位错(BPD)对外延器件的性能有着关键性影响。BPD会导致器件性能的退化甚至失效,特别是在双极性器件中尤为显著。因此,在碳化硅外延生长过程中,有效抑制和减少BPD的形成是提高器件性能的重要措施。本文将介绍一种改善碳化硅外延层基平面位错的生长方法。 一、背景介绍 在碳化硅外延生长过程中,衬底中的位错会在外延层中复制或转化。螺型位错(TSD)和刃位错(TED)对器件性能的影响相对较小,而BPD则会在载流子注入过程中成为Shockle
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2025-03-04 15:40:35
激光面型干涉仪和白光干涉仪的区别
激光面型干涉仪和白光干涉仪都是基于干涉原理的光学测量仪器,但它们在光源、干涉条纹、测量范围、稳定性以及应用领域等方面存在显著的差异。以下是对这两种仪器的详细比较: 一、光源 激光面型干涉仪:通常采用单频、稳定输出的激光器作为光源,如氦氖激光器,提供连续且波长已知的激光束。 白光干涉仪:使用白色光源,白光属于多色光,具有连续的光谱。 二、干涉条纹 激光面型干涉仪:由于激光的单色性好,相干性强,因此干涉时主要形成黑白的干涉条纹。 白光干涉仪:由于光源包含多种波长的光波,干涉时会形成彩色的干涉条纹。
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2025-03-03 14:33:17
除了迈克尔逊干涉和Linnik型干涉外,常见的干涉设计还有哪些?
除了迈克尔逊干涉和Linnik型干涉外,常见的干涉设计还有多种,以下是一些主要的类型: 马赫-增德尔(Mach-Zehnder)干涉: 原理:通过分束器将一束光分成两束,这两束光分别在不同的路径中传播,然后再通过另一个分束器重新组合。由于两束光在传播过程中可能经历不同的光程,因此会产生干涉现象。 应用:马赫-增德尔干涉仪常用于透射样本的测量,如生物样本、全息术等。 法布里-珀罗(Fabry-Perot)干涉: 原理:当一束光在两个平行且部分透射的反射面之间多次反射和透射时,会形成多束相干光波的叠
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2025-02-24 15:02:34
去除碳化硅外延片揭膜后脏污的清洗方法
采用自动式晶片清洗设备,对外延片进行双面清洗。该步骤结合了水和高纯氮气的二流体注入喷气式雾状清洗,以及去离子水和HF药液的冲洗。引言 碳化硅(SiC)作为新一代半导体材料,因其出色的物理和化学特性,在功率电子、高频通信、高温及辐射环境等领域展现出巨大的应用潜力。然而,在SiC外延片的制备过程中,揭膜后的脏污问题一直是影响外延片质量和后续器件性能的关键因素。脏污主要包括颗粒物、有机物、无机化合物以及重金属离子等,它们可能来源于外延生长过程中的反应副产物、空气中的污染物或处理过程中的残留物。为了获得
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2025-02-11 15:50:25
SiC外延片的化学机械清洗方法
引言 碳化硅(SiC)作为一种高性能的半导体材料,因其卓越的物理和化学性质,在电力电子、微波器件、高温传感器等领域展现出巨大的应用潜力。然而,在SiC外延片的制造过程中,表面污染物的存在会严重影响外延片的质量和性能。因此,采用高效的化学机械清洗方法,以彻底去除SiC外延片表面的污染物,成为保证外延片质量的关键步骤。本文将详细介绍SiC外延片的化学机械清洗方法,包括清洗步骤、所用化学试剂及工具、以及该方法在SiC外延片制造中的应用优势。 清洗步骤 SiC外延片的化学机械清洗方法主要包括以下几个步骤
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2025-03-24 14:17:47
合适的装夹方式,可避免碳化硅衬底位移或晃动,提高碳化硅衬底TTV均匀性
碳化硅(SiC)作为第三代半导体材料,因其优异的物理和化学性能,在高性能电子器件制造领域展现出巨大潜力。然而,碳化硅衬底的加工精度要求极高,尤其是在总厚度变化(TTV)方面,任何微小的位移或晃动都可能对最终产品的性能产生重大影响。因此,选择合适的装夹方式,避免碳化硅衬底在加工过程中的位移或晃动,是提高其TTV均匀性的关键。 一、碳化硅衬底加工中的位移与晃动问题 在碳化硅衬底的加工过程中,如切割、研磨、抛光等步骤,衬底需要被稳定地固定在工作台上。如果装夹方式不当,衬底可能会因为受力不均、装夹力不足
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2025-03-19 13:45:46
降低切割速度,可能导致切割力不稳定,不利于碳化硅衬底TTV均匀性
在半导体材料加工领域,碳化硅(SiC)因其卓越的物理和化学性质,如高硬度、高热导率和化学稳定性,成为制造高性能电子器件的关键材料。然而,碳化硅衬底的加工过程,尤其是切割阶段,对总厚度变化(Total Thickness Variation, TTV)的均匀性有着极高的要求。TTV的均匀性直接关系到后续封装工艺的顺利进行以及最终器件的性能和可靠性。本文旨在探讨降低切割速度对切割力稳定性的影响,以及这种影响如何不利于碳化硅衬底TTV的均匀性。 一、切割速度与切割力的关系 在切割过程中,切割速度是影响
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如何调整切割参数,以提高碳化硅衬底TTV均匀性
在半导体材料制造领域,碳化硅(SiC)因其卓越的物理和化学性质,如高硬度、高热导率和化学稳定性,成为制造高性能电子器件的理想材料。然而,碳化硅衬底的加工过程,尤其是切割阶段,对总厚度变化(Total Thickness Variation, TTV)的均匀性有着极高的要求。TTV的均匀性直接关系到后续封装工艺的顺利进行以及最终器件的性能和可靠性。因此,如何通过调整切割参数来提高碳化硅衬底TTV的均匀性,成为了一个值得深入探讨的课题。 一、理解TTV均匀性的重要性 TTV均匀性是指碳化硅衬底在切割
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磨轮修整方法,对于碳化硅衬底TTV的管控影响
在半导体材料加工领域,碳化硅(SiC)因其出色的物理和化学特性,如高硬度、高热导率和化学稳定性,正逐渐成为功率电子、高频器件以及高温、高压环境下工作的电子器件的首选材料。然而,碳化硅衬底的加工精度,尤其是总厚度变化(Total Thickness Variation, TTV)的管控,对于确保器件的性能和可靠性至关重要。磨轮修整作为碳化硅衬底加工中的一个关键环节,对TTV的管控具有显著影响。本文将探讨磨轮修整方法及其对碳化硅衬底TTV管控的影响。 磨轮修整方法概述 磨轮修整是指通过特定的方法和工
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避免碳化硅衬底切片TTV不均匀的辅助和碳化硅衬底TTV管控
在半导体材料领域,碳化硅(SiC)因其出色的物理和化学性质,正逐渐成为功率器件、高频器件以及高温、高压环境下电子器件的首选材料。然而,在碳化硅衬底的加工过程中,尤其是切片阶段,总厚度变化(Total Thickness Variation, TTV)的不均匀性是一个亟待解决的问题。本文旨在探讨避免碳化硅衬底切片TTV不均匀的辅助方法,以及碳化硅衬底TTV管控的全面策略,以确保碳化硅衬底的高质量加工和器件的可靠性。 1,避免碳化硅衬底切片TTV不均匀的辅助方法 优化切片工艺: 选择合适的切割方式:
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碳化硅衬底背面减薄过程,对碳化硅衬底TTV的管控
在半导体材料领域,碳化硅(SiC)作为一种高性能的半导体材料,因其独特的物理和化学性质,正逐步成为功率器件、高频器件以及高温、高压环境下的首选材料。在碳化硅衬底的加工过程中,背面减薄是一个至关重要的环节,旨在降低衬底厚度,减少电阻,提高器件的性能。然而,背面减薄过程往往会对碳化硅衬底的总厚度变化(Total Thickness Variation, TTV)产生显著影响。本文旨在探讨碳化硅衬底背面减薄过程中对TTV的管控策略,以确保碳化硅衬底的高质量加工和器件的可靠性。 碳化硅衬底背面减薄的作用
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Mach-Zehnder型干涉(马赫-曾德尔干涉)的测量原理
Mach-Zehnder型干涉(马赫-曾德尔干涉)的测量原理主要基于光的干涉现象和相位差的变化。以下是对其测量原理的详细解释: 一、基本原理 马赫-曾德尔干涉仪利用分束器将单一光源发出的光线分为两条光路,这两条光路分别经过不同的路径后再合并在一起。在合并处,两束光会发生干涉现象,形成明暗相间的干涉条纹。这些干涉条纹的形状、间距和位置取决于两条光路的相位差,而相位差又与被测物体的某些特性(如折射率、厚度等)有关。因此,通过观察和分析干涉条纹的变化,可以推断出被测物体的特性。 二、光路设计 马赫-曾
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Linnik型干涉(林尼克干涉)的测量原理
Linnik型干涉(林尼克干涉)的测量原理主要基于光的干涉现象,即光的波动性质导致光波在空间中叠加和干涉的现象。以下是对其测量原理的详细解释: 一、基本原理 在Linnik干涉仪中,光源发出的光线经过分光镜后被分为两束:一束直接照射到被测样品上(称为样本光),另一束则作为参考光。这两束光在干涉仪内部经过反射和透射后,最终在检测器上相遇并产生干涉现象。干涉产生的波纹图样被称为干涉图像,该图像包含了关于被测样品的有用信息。 二、光路设计 Linnik干涉仪的光路设计相对复杂,通常包括光源、分光镜、被
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降低外延片堆垛层错缺陷的外延方法及其应用
三、结论 这种降低外延片堆垛层错缺陷的外延方法通过精确控制生长条件和工艺步骤,有效减少了外延片中的堆垛层错密度,提高了外延片的质量和可靠性。该方法具有广泛的应用前景,可用于高性能半导体器件的制造,为半导体产业的发展提供了有力支持。 高通量晶圆测厚系统 高通量晶圆测厚系统以光学相干层析成像原理,可解决晶圆/晶片厚度TTV(Total Thickness Variation,总厚度偏差)、BOW(弯曲度)、WARP(翘曲度),TIR(Total Indicated Reading 总指示读数,STI
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Fizeau型干涉(斐索干涉)的测量原理
Fizeau型干涉(斐索干涉)的测量原理主要基于等厚干涉。以下是对其测量原理的详细解释: 一、基本原理 斐索干涉仪利用平行光入射到厚度变化均匀、折射率均匀的薄膜上、下表面而形成的干涉条纹来进行测量。当光线在薄膜的上下表面反射时,会形成两束相干光:一束是来自薄膜上表面的反射光(通常用作参考光束),另一束是透过薄膜并从被测表面反射回来的光(携带被测表面的形状信息)。这两束光在干涉仪内部重合,形成等厚干涉条纹。 二、光路设计 斐索干涉仪的光路设计包括点光源、准直物镜、分束器、被测件和观测系统等部分。点
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改善碳化硅外延层基平面位错的生长方法
碳化硅(SiC)外延层在半导体材料制备过程中具有重要地位,而其基平面位错(BPD)对外延器件的性能有着关键性影响。BPD会导致器件性能的退化甚至失效,特别是在双极性器件中尤为显著。因此,在碳化硅外延生长过程中,有效抑制和减少BPD的形成是提高器件性能的重要措施。本文将介绍一种改善碳化硅外延层基平面位错的生长方法。 一、背景介绍 在碳化硅外延生长过程中,衬底中的位错会在外延层中复制或转化。螺型位错(TSD)和刃位错(TED)对器件性能的影响相对较小,而BPD则会在载流子注入过程中成为Shockle
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激光面型干涉仪和白光干涉仪的区别
激光面型干涉仪和白光干涉仪都是基于干涉原理的光学测量仪器,但它们在光源、干涉条纹、测量范围、稳定性以及应用领域等方面存在显著的差异。以下是对这两种仪器的详细比较: 一、光源 激光面型干涉仪:通常采用单频、稳定输出的激光器作为光源,如氦氖激光器,提供连续且波长已知的激光束。 白光干涉仪:使用白色光源,白光属于多色光,具有连续的光谱。 二、干涉条纹 激光面型干涉仪:由于激光的单色性好,相干性强,因此干涉时主要形成黑白的干涉条纹。 白光干涉仪:由于光源包含多种波长的光波,干涉时会形成彩色的干涉条纹。
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除了迈克尔逊干涉和Linnik型干涉外,常见的干涉设计还有哪些?
除了迈克尔逊干涉和Linnik型干涉外,常见的干涉设计还有多种,以下是一些主要的类型: 马赫-增德尔(Mach-Zehnder)干涉: 原理:通过分束器将一束光分成两束,这两束光分别在不同的路径中传播,然后再通过另一个分束器重新组合。由于两束光在传播过程中可能经历不同的光程,因此会产生干涉现象。 应用:马赫-增德尔干涉仪常用于透射样本的测量,如生物样本、全息术等。 法布里-珀罗(Fabry-Perot)干涉: 原理:当一束光在两个平行且部分透射的反射面之间多次反射和透射时,会形成多束相干光波的叠
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去除碳化硅外延片揭膜后脏污的清洗方法
采用自动式晶片清洗设备,对外延片进行双面清洗。该步骤结合了水和高纯氮气的二流体注入喷气式雾状清洗,以及去离子水和HF药液的冲洗。引言 碳化硅(SiC)作为新一代半导体材料,因其出色的物理和化学特性,在功率电子、高频通信、高温及辐射环境等领域展现出巨大的应用潜力。然而,在SiC外延片的制备过程中,揭膜后的脏污问题一直是影响外延片质量和后续器件性能的关键因素。脏污主要包括颗粒物、有机物、无机化合物以及重金属离子等,它们可能来源于外延生长过程中的反应副产物、空气中的污染物或处理过程中的残留物。为了获得
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SiC外延片的化学机械清洗方法
引言 碳化硅(SiC)作为一种高性能的半导体材料,因其卓越的物理和化学性质,在电力电子、微波器件、高温传感器等领域展现出巨大的应用潜力。然而,在SiC外延片的制造过程中,表面污染物的存在会严重影响外延片的质量和性能。因此,采用高效的化学机械清洗方法,以彻底去除SiC外延片表面的污染物,成为保证外延片质量的关键步骤。本文将详细介绍SiC外延片的化学机械清洗方法,包括清洗步骤、所用化学试剂及工具、以及该方法在SiC外延片制造中的应用优势。 清洗步骤 SiC外延片的化学机械清洗方法主要包括以下几个步骤
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碳化硅(SiC)作为第三代半导体材料,因其优异的物理和化学性能,在高性能电子器件制造领域展现出巨大潜力。然而,碳化硅衬底的加工精度要求极高,尤其是在总厚度变化(TTV)方面,任何微小的位移或晃动都可能对最终产品的性能产生重大影响。因此,选择合适的装夹方式,避免碳化硅衬底在加工过程中的位移或晃动,是提高其TTV均匀性的关键。 一、碳化硅衬底加工中的位移与晃动问题 在碳化硅衬底的加工过程中,如切割、研磨、抛光等步骤,衬底需要被稳定地固定在工作台上。如果装夹方式不当,衬底可能会因为受力不均、装夹力不足
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降低切割速度,可能导致切割力不稳定,不利于碳化硅衬底TTV均匀性
在半导体材料加工领域,碳化硅(SiC)因其卓越的物理和化学性质,如高硬度、高热导率和化学稳定性,成为制造高性能电子器件的关键材料。然而,碳化硅衬底的加工过程,尤其是切割阶段,对总厚度变化(Total Thickness Variation, TTV)的均匀性有着极高的要求。TTV的均匀性直接关系到后续封装工艺的顺利进行以及最终器件的性能和可靠性。本文旨在探讨降低切割速度对切割力稳定性的影响,以及这种影响如何不利于碳化硅衬底TTV的均匀性。 一、切割速度与切割力的关系 在切割过程中,切割速度是影响
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在半导体材料制造领域,碳化硅(SiC)因其卓越的物理和化学性质,如高硬度、高热导率和化学稳定性,成为制造高性能电子器件的理想材料。然而,碳化硅衬底的加工过程,尤其是切割阶段,对总厚度变化(Total Thickness Variation, TTV)的均匀性有着极高的要求。TTV的均匀性直接关系到后续封装工艺的顺利进行以及最终器件的性能和可靠性。因此,如何通过调整切割参数来提高碳化硅衬底TTV的均匀性,成为了一个值得深入探讨的课题。 一、理解TTV均匀性的重要性 TTV均匀性是指碳化硅衬底在切割
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磨轮修整方法,对于碳化硅衬底TTV的管控影响
在半导体材料加工领域,碳化硅(SiC)因其出色的物理和化学特性,如高硬度、高热导率和化学稳定性,正逐渐成为功率电子、高频器件以及高温、高压环境下工作的电子器件的首选材料。然而,碳化硅衬底的加工精度,尤其是总厚度变化(Total Thickness Variation, TTV)的管控,对于确保器件的性能和可靠性至关重要。磨轮修整作为碳化硅衬底加工中的一个关键环节,对TTV的管控具有显著影响。本文将探讨磨轮修整方法及其对碳化硅衬底TTV管控的影响。 磨轮修整方法概述 磨轮修整是指通过特定的方法和工
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2025-03-13 15:48:02
避免碳化硅衬底切片TTV不均匀的辅助和碳化硅衬底TTV管控
在半导体材料领域,碳化硅(SiC)因其出色的物理和化学性质,正逐渐成为功率器件、高频器件以及高温、高压环境下电子器件的首选材料。然而,在碳化硅衬底的加工过程中,尤其是切片阶段,总厚度变化(Total Thickness Variation, TTV)的不均匀性是一个亟待解决的问题。本文旨在探讨避免碳化硅衬底切片TTV不均匀的辅助方法,以及碳化硅衬底TTV管控的全面策略,以确保碳化硅衬底的高质量加工和器件的可靠性。 1,避免碳化硅衬底切片TTV不均匀的辅助方法 优化切片工艺: 选择合适的切割方式:
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2025-03-12 14:10:09
碳化硅衬底背面减薄过程,对碳化硅衬底TTV的管控
在半导体材料领域,碳化硅(SiC)作为一种高性能的半导体材料,因其独特的物理和化学性质,正逐步成为功率器件、高频器件以及高温、高压环境下的首选材料。在碳化硅衬底的加工过程中,背面减薄是一个至关重要的环节,旨在降低衬底厚度,减少电阻,提高器件的性能。然而,背面减薄过程往往会对碳化硅衬底的总厚度变化(Total Thickness Variation, TTV)产生显著影响。本文旨在探讨碳化硅衬底背面减薄过程中对TTV的管控策略,以确保碳化硅衬底的高质量加工和器件的可靠性。 碳化硅衬底背面减薄的作用
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2025-03-12 10:40:22
Mach-Zehnder型干涉(马赫-曾德尔干涉)的测量原理
Mach-Zehnder型干涉(马赫-曾德尔干涉)的测量原理主要基于光的干涉现象和相位差的变化。以下是对其测量原理的详细解释: 一、基本原理 马赫-曾德尔干涉仪利用分束器将单一光源发出的光线分为两条光路,这两条光路分别经过不同的路径后再合并在一起。在合并处,两束光会发生干涉现象,形成明暗相间的干涉条纹。这些干涉条纹的形状、间距和位置取决于两条光路的相位差,而相位差又与被测物体的某些特性(如折射率、厚度等)有关。因此,通过观察和分析干涉条纹的变化,可以推断出被测物体的特性。 二、光路设计 马赫-曾
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2025-03-11 14:42:58
Linnik型干涉(林尼克干涉)的测量原理
Linnik型干涉(林尼克干涉)的测量原理主要基于光的干涉现象,即光的波动性质导致光波在空间中叠加和干涉的现象。以下是对其测量原理的详细解释: 一、基本原理 在Linnik干涉仪中,光源发出的光线经过分光镜后被分为两束:一束直接照射到被测样品上(称为样本光),另一束则作为参考光。这两束光在干涉仪内部经过反射和透射后,最终在检测器上相遇并产生干涉现象。干涉产生的波纹图样被称为干涉图像,该图像包含了关于被测样品的有用信息。 二、光路设计 Linnik干涉仪的光路设计相对复杂,通常包括光源、分光镜、被
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2025-03-11 11:14:55
降低外延片堆垛层错缺陷的外延方法及其应用
三、结论 这种降低外延片堆垛层错缺陷的外延方法通过精确控制生长条件和工艺步骤,有效减少了外延片中的堆垛层错密度,提高了外延片的质量和可靠性。该方法具有广泛的应用前景,可用于高性能半导体器件的制造,为半导体产业的发展提供了有力支持。 高通量晶圆测厚系统 高通量晶圆测厚系统以光学相干层析成像原理,可解决晶圆/晶片厚度TTV(Total Thickness Variation,总厚度偏差)、BOW(弯曲度)、WARP(翘曲度),TIR(Total Indicated Reading 总指示读数,STI
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2025-03-10 17:14:14
Fizeau型干涉(斐索干涉)的测量原理
Fizeau型干涉(斐索干涉)的测量原理主要基于等厚干涉。以下是对其测量原理的详细解释: 一、基本原理 斐索干涉仪利用平行光入射到厚度变化均匀、折射率均匀的薄膜上、下表面而形成的干涉条纹来进行测量。当光线在薄膜的上下表面反射时,会形成两束相干光:一束是来自薄膜上表面的反射光(通常用作参考光束),另一束是透过薄膜并从被测表面反射回来的光(携带被测表面的形状信息)。这两束光在干涉仪内部重合,形成等厚干涉条纹。 二、光路设计 斐索干涉仪的光路设计包括点光源、准直物镜、分束器、被测件和观测系统等部分。点
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2025-03-06 09:44:56
改善碳化硅外延层基平面位错的生长方法
碳化硅(SiC)外延层在半导体材料制备过程中具有重要地位,而其基平面位错(BPD)对外延器件的性能有着关键性影响。BPD会导致器件性能的退化甚至失效,特别是在双极性器件中尤为显著。因此,在碳化硅外延生长过程中,有效抑制和减少BPD的形成是提高器件性能的重要措施。本文将介绍一种改善碳化硅外延层基平面位错的生长方法。 一、背景介绍 在碳化硅外延生长过程中,衬底中的位错会在外延层中复制或转化。螺型位错(TSD)和刃位错(TED)对器件性能的影响相对较小,而BPD则会在载流子注入过程中成为Shockle
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2025-03-04 15:40:35
激光面型干涉仪和白光干涉仪的区别
激光面型干涉仪和白光干涉仪都是基于干涉原理的光学测量仪器,但它们在光源、干涉条纹、测量范围、稳定性以及应用领域等方面存在显著的差异。以下是对这两种仪器的详细比较: 一、光源 激光面型干涉仪:通常采用单频、稳定输出的激光器作为光源,如氦氖激光器,提供连续且波长已知的激光束。 白光干涉仪:使用白色光源,白光属于多色光,具有连续的光谱。 二、干涉条纹 激光面型干涉仪:由于激光的单色性好,相干性强,因此干涉时主要形成黑白的干涉条纹。 白光干涉仪:由于光源包含多种波长的光波,干涉时会形成彩色的干涉条纹。
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2025-03-03 14:33:17
除了迈克尔逊干涉和Linnik型干涉外,常见的干涉设计还有哪些?
除了迈克尔逊干涉和Linnik型干涉外,常见的干涉设计还有多种,以下是一些主要的类型: 马赫-增德尔(Mach-Zehnder)干涉: 原理:通过分束器将一束光分成两束,这两束光分别在不同的路径中传播,然后再通过另一个分束器重新组合。由于两束光在传播过程中可能经历不同的光程,因此会产生干涉现象。 应用:马赫-增德尔干涉仪常用于透射样本的测量,如生物样本、全息术等。 法布里-珀罗(Fabry-Perot)干涉: 原理:当一束光在两个平行且部分透射的反射面之间多次反射和透射时,会形成多束相干光波的叠
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2025-02-24 15:02:34
去除碳化硅外延片揭膜后脏污的清洗方法
采用自动式晶片清洗设备,对外延片进行双面清洗。该步骤结合了水和高纯氮气的二流体注入喷气式雾状清洗,以及去离子水和HF药液的冲洗。引言 碳化硅(SiC)作为新一代半导体材料,因其出色的物理和化学特性,在功率电子、高频通信、高温及辐射环境等领域展现出巨大的应用潜力。然而,在SiC外延片的制备过程中,揭膜后的脏污问题一直是影响外延片质量和后续器件性能的关键因素。脏污主要包括颗粒物、有机物、无机化合物以及重金属离子等,它们可能来源于外延生长过程中的反应副产物、空气中的污染物或处理过程中的残留物。为了获得
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2025-02-11 15:50:25
SiC外延片的化学机械清洗方法
引言 碳化硅(SiC)作为一种高性能的半导体材料,因其卓越的物理和化学性质,在电力电子、微波器件、高温传感器等领域展现出巨大的应用潜力。然而,在SiC外延片的制造过程中,表面污染物的存在会严重影响外延片的质量和性能。因此,采用高效的化学机械清洗方法,以彻底去除SiC外延片表面的污染物,成为保证外延片质量的关键步骤。本文将详细介绍SiC外延片的化学机械清洗方法,包括清洗步骤、所用化学试剂及工具、以及该方法在SiC外延片制造中的应用优势。 清洗步骤 SiC外延片的化学机械清洗方法主要包括以下几个步骤
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