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关灯吃面的老司机
2025-02-11 09:53:18
继经典迈克尔逊干涉后的零差式激光干涉技术的出现
零差式激光干涉技术是在经典迈克尔逊干涉原理的基础上发展起来的一种高精度测量技术。以下是对这一技术的详细介绍: 一、经典迈克尔逊干涉原理 迈克尔逊干涉仪是一种利用分振幅法产生双光束以实现干涉的光学仪器,它是最著名的干涉仪之一,为光学干涉测量中各类干涉仪的原型。其原理主要是利用两束相干光波在空间某点相遇时相互叠加,形成稳定的明暗相间的干涉条纹,当被测物体发生移动时,会引起干涉条纹的移动,从而可以测量物体的微小位移。 二、零差式激光干涉技术的出现与发展 零差式激光干涉技术是在经典迈克尔逊干涉原理的基础
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2025-02-10 14:19:29
外差式激光干涉和零差式激光干涉的区别
外差式激光干涉和零差式激光干涉是两种不同的激光干涉测量技术,它们在工作原理、特点和应用方面存在显著的差异。以下是对这两种技术的详细比较: 一、工作原理 外差式激光干涉 外差式激光干涉仪又称双频干涉仪或交流干涉仪,其工作原理是利用两种不同频率的单色光作为测量光束和参考光束。 通过光电探测器的混频,输出差频信号,从而实现对被测物体的精确测量。 零差式激光干涉 零差式激光干涉仪是一种最简单的位移测量干涉仪。 其工作原理是通过测量稳频激光器发出的光束在测量镜沿光轴方向移动时两束光的光程差变化,从而得到测
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2025-02-10 09:51:38
有效抑制SiC外延片掉落物缺陷生成的方法
引言 碳化硅(SiC)作为第三代半导体材料,因其出色的物理和化学特性,在功率电子、高频通信及高温环境等领域展现出巨大的应用潜力。然而,在SiC外延生长过程中,掉落物缺陷(如颗粒脱落、乳凸等)一直是影响外延片质量和器件性能的关键因素。这些缺陷不仅会降低外延片的良品率,还可能对后续器件的可靠性产生严重影响。因此,有效抑制SiC外延片掉落物缺陷的生成,对于提升SiC器件的性能和可靠性具有重要意义。本文将介绍一种创新的方法,旨在通过优化生长工艺和设备设计,有效抑制SiC外延片掉落物缺陷的生成。 方法概述
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2025-02-08 14:50:54
白光干涉仪的膜厚测量模式原理
四、应用与优势 白光干涉仪的膜厚测量模式具有广泛的应用领域,如半导体制造、光学元件加工、涂层厚度测量等。与其他测量方法相比,白光干涉仪具有非接触式测量、高精度、宽测量范围、快速测量等优点。此外,它还可以同时测量薄膜的厚度和折射率等参数,为材料研究和应用提供了有力的支持。白光干涉仪的膜厚测量模式原理主要基于光的干涉原理,通过测量反射光波的相位差或干涉条纹的变化来精确计算薄膜的厚度。以下是该原理的详细解释: 一、基本原理 当光线照射到薄膜表面时,部分光线会在薄膜表面反射,形成表面反射光;另一部分光线
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2025-02-08 10:17:24
应力消除外延生长装置及外延生长方法
引言 在半导体材料领域,碳化硅(SiC)因其出色的物理和化学特性,如高硬度、高热导率、高击穿电场强度等,成为制造高功率、高频电子器件的理想材料。然而,在大尺寸SiC外延生长过程中,衬底应力问题一直是影响外延片质量和性能的关键因素。为了克服这一问题,应力消除外延生长装置及外延生长方法应运而生。本文将详细介绍这种装置和方法的工作原理、技术特点以及应用前景。 应力消除外延生长装置 应力消除外延生长装置主要包括上下料室、传片室、消除应力室和反应室四个部分。这四个部分通过高精度的机械传动系统和控制系统实现
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2025-02-07 15:46:17
白光干涉仪的光谱干涉模式原理
白光干涉仪的光谱干涉模式原理主要基于光的干涉和光谱分析。以下是对该原理的详细解释: 一、基本原理 白光干涉仪利用干涉原理测量光程之差,从而测定有关物理量。在光谱干涉模式中,白光作为光源,其发出的光经过扩束准直后,通过分光棱镜等光学元件被分成两束相干光。一束光经被测表面反射回来,另一束光经参考镜反射。两束反射光最终汇聚并发生干涉,形成干涉条纹。 二、光谱干涉的特点 白光光源:白光属于多色光,具有连续的光谱。这使得白光干涉仪能够在宽光谱范围内进行干涉测量,从而获取更多的被测表面信息。 干涉条纹的移动
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2025-02-07 10:48:37
碳化硅外延晶片硅面贴膜后的清洗方法
引言 碳化硅(SiC)外延晶片因其卓越的物理和化学特性,在功率电子、高频通信、高温传感等领域具有广泛应用。在SiC外延晶片的制备过程中,硅面贴膜是一道关键步骤,用于保护外延层免受机械损伤和污染。然而,贴膜后的清洗过程同样至关重要,它直接影响到外延晶片的最终质量和性能。本文将详细介绍碳化硅外延晶片硅面贴膜后的清洗方法,包括其重要性、常用清洗步骤、所用化学试剂及其作用,以及清洗后的质量评估。 清洗方法的重要性 碳化硅外延晶片硅面贴膜后的清洗过程,旨在去除贴膜过程中产生的各种污染物,如尘埃颗粒、有机物
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2025-02-06 14:35:06
碳化硅晶片表面金属残留的清洗方法
1,超声波清洗 超声波清洗利用超声波在液体中产生的空化效应和微射流效应,对SiC晶片表面进行冲击和剥离,去除金属残留。清洗时,将SiC晶片置于超声波清洗机中,用去离子水作为清洗液,通过超声波的振动作用去除金属残留。 HPM和HFPM溶液主要用于去除SiC晶片表面的氧化物和金属残留。HPM溶液中的盐酸能够溶解氧化物,而HFPM溶液中的氢氟酸则能够去除硅的氧化物和金属氟化物。清洗时,将SiC晶片置于相应的溶液中浸泡,通过加热和搅拌加速化学反应。清洗后,用去离子水冲洗干净。HPM和HFPM溶液清洗引言
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2025-02-06 10:51:32
白光干涉仪中的VSI和PSI以及VXI模式的区别
VXI模式结合了VSI和PSI两种模式的优点,既具有VSI模式的垂直扫描能力和对粗糙表面的适应性,又具有PSI模式的高精度和相位测量能力。白光干涉仪是一种高精度的光学测量仪器,它利用白光干涉原理来测量物体表面的形貌和高度等信息。在白光干涉仪中,垂直扫描干涉测量模式(VSI)、相移干涉测量模式(PSI)以及结合VSI和PSI的高分辨测量模式(VXI)是三种重要的测量模式。以下是对这三种测量模式的详细介绍: 一、垂直扫描干涉测量模式(VSI) 原理: VSI模式是基于白光干涉的一种垂直扫描测量方法。
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2025-01-23 15:09:52
迈克耳孙干涉仪白光等倾干涉的实现、条纹特征及形成机理
迈克耳孙干涉仪白光等倾干涉的实现、条纹特征及形成机理是光学研究中的重要内容。以下是对这些方面的详细解释: 一、迈克耳孙干涉仪白光等倾干涉的实现 迈克耳孙干涉仪利用分振幅法产生双光束以实现干涉。在白光等倾干涉的实验中,需要在迈克耳孙干涉仪的反射镜前放置一块玻璃板,以实现白光的等倾干涉。这是因为附加的玻璃板使光程相等时光源经两反射镜所成的虚像间有了几何间隔,而且玻璃板的色散使得该等倾条纹的出现范围可以远大于白光等厚干涉。通过调整干涉仪,可以观察到白光等倾干涉的条纹。 二、白光等倾干涉的条纹特征 条纹
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2025-01-23 11:08:00
碳化硅衬底的特氟龙夹具相比其他吸附方案,对于测量碳化硅衬底 BOW/WARP 的影响
一、引言 随着碳化硅在半导体等领域的广泛应用,对其衬底质量的检测愈发关键。BOW(翘曲度)和 WARP(弯曲度)是衡量碳化硅衬底质量的重要参数,准确测量这些参数对于保证器件性能至关重要。而不同的吸附方案会对测量结果产生不同程度的影响。 二、常见吸附方案概述 在碳化硅衬底测量中,常见的吸附方案包括真空吸附、静电吸附等。真空吸附通过产生负压将衬底固定,操作相对简单,但可能存在吸附不均匀的情况。静电吸附则利用静电引力固定衬底,吸附力分布较为均匀,但对环境要求较高。 三、特氟龙夹具的特点 特氟龙夹具具有
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2025-01-22 14:35:49
白光干涉为什么对于环境防振要求那么高
白光干涉对于环境防振要求高的原因,主要可以从其测量原理和应用需求两个方面来解释。 一、测量原理 白光干涉仪是利用干涉原理测量光程之差从而测定有关物理量的光学仪器。光源发出的光经过扩束准直后经分光棱镜分成两束,一束光经被测表面反射回来,另一束光经参考镜反射,两束反射光最终汇聚并发生干涉。两束相干光间光程差的任何变化都会灵敏地导致干涉条纹的移动,而某一束相干光的光程变化是由它所通过的几何路程或介质折射率的变化引起的。因此,任何微小的振动都可能引起光程差的变化,从而导致干涉条纹的移动,进而影响测量结果
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2025-01-22 09:57:28
测量探头的 “温漂” 问题,都是怎么产生的,以及对于氮化镓衬底厚度测量的影响
在半导体产业这片高精尖的领域中,氮化镓(GaN)衬底作为新一代芯片制造的核心支撑材料,正驱动着光电器件、功率器件等诸多领域迈向新的高峰。然而,氮化镓衬底厚度测量的精准度却时刻面临着一个来自暗处的挑战 —— 测量探头的 “温漂” 问题。深入探究 “温漂” 的产生根源,以及剖析其给氮化镓衬底厚度测量带来的全方位影响,对于保障半导体制造工艺的高质量推进有着举足轻重的意义。 一、“温漂” 现象的滋生土壤 1,环境温度的 “暗流涌动” 半导体制造车间仿若一个庞大且复杂的热动力学 “迷宫”,诸多因素交织在一
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2025-01-21 14:47:20
为什么说白光干涉的扫描高度受限
白光干涉的扫描高度受限,主要是由于其测量原理和技术特点所决定的。以下是对这一问题的详细解释: 一、白光干涉的测量原理 白光干涉技术是一种基于光的波动性进行测量的技术。当两束或多束相干光波在空间某点相遇时,它们会产生干涉现象,形成明暗相间的干涉条纹。这些干涉条纹的位置和形态取决于光波的相位差,而相位差则与光波经过的光程差有关。 在白光干涉测量中,通常使用白光作为光源,并通过干涉仪将光波分为两束:一束作为参考光,另一束作为测量光。测量光经过待测物体后,与参考光在干涉仪的接收屏上相遇并产生干涉条纹。通
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2025-01-21 14:43:50
为什么说白光干涉的扫描高度受限
白光干涉的扫描高度受限,主要是由于其测量原理和技术特点所决定的。以下是对这一问题的详细解释: 一、白光干涉的测量原理 白光干涉技术是一种基于光的波动性进行测量的技术。当两束或多束相干光波在空间某点相遇时,它们会产生干涉现象,形成明暗相间的干涉条纹。这些干涉条纹的位置和形态取决于光波的相位差,而相位差则与光波经过的光程差有关。 在白光干涉测量中,通常使用白光作为光源,并通过干涉仪将光波分为两束:一束作为参考光,另一束作为测量光。测量光经过待测物体后,与参考光在干涉仪的接收屏上相遇并产生干涉条纹。通
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继经典迈克尔逊干涉后的零差式激光干涉技术的出现
零差式激光干涉技术是在经典迈克尔逊干涉原理的基础上发展起来的一种高精度测量技术。以下是对这一技术的详细介绍: 一、经典迈克尔逊干涉原理 迈克尔逊干涉仪是一种利用分振幅法产生双光束以实现干涉的光学仪器,它是最著名的干涉仪之一,为光学干涉测量中各类干涉仪的原型。其原理主要是利用两束相干光波在空间某点相遇时相互叠加,形成稳定的明暗相间的干涉条纹,当被测物体发生移动时,会引起干涉条纹的移动,从而可以测量物体的微小位移。 二、零差式激光干涉技术的出现与发展 零差式激光干涉技术是在经典迈克尔逊干涉原理的基础
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2025-02-10 14:19:29
外差式激光干涉和零差式激光干涉的区别
外差式激光干涉和零差式激光干涉是两种不同的激光干涉测量技术,它们在工作原理、特点和应用方面存在显著的差异。以下是对这两种技术的详细比较: 一、工作原理 外差式激光干涉 外差式激光干涉仪又称双频干涉仪或交流干涉仪,其工作原理是利用两种不同频率的单色光作为测量光束和参考光束。 通过光电探测器的混频,输出差频信号,从而实现对被测物体的精确测量。 零差式激光干涉 零差式激光干涉仪是一种最简单的位移测量干涉仪。 其工作原理是通过测量稳频激光器发出的光束在测量镜沿光轴方向移动时两束光的光程差变化,从而得到测
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2025-02-10 09:51:38
有效抑制SiC外延片掉落物缺陷生成的方法
引言 碳化硅(SiC)作为第三代半导体材料,因其出色的物理和化学特性,在功率电子、高频通信及高温环境等领域展现出巨大的应用潜力。然而,在SiC外延生长过程中,掉落物缺陷(如颗粒脱落、乳凸等)一直是影响外延片质量和器件性能的关键因素。这些缺陷不仅会降低外延片的良品率,还可能对后续器件的可靠性产生严重影响。因此,有效抑制SiC外延片掉落物缺陷的生成,对于提升SiC器件的性能和可靠性具有重要意义。本文将介绍一种创新的方法,旨在通过优化生长工艺和设备设计,有效抑制SiC外延片掉落物缺陷的生成。 方法概述
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白光干涉仪的膜厚测量模式原理
四、应用与优势 白光干涉仪的膜厚测量模式具有广泛的应用领域,如半导体制造、光学元件加工、涂层厚度测量等。与其他测量方法相比,白光干涉仪具有非接触式测量、高精度、宽测量范围、快速测量等优点。此外,它还可以同时测量薄膜的厚度和折射率等参数,为材料研究和应用提供了有力的支持。白光干涉仪的膜厚测量模式原理主要基于光的干涉原理,通过测量反射光波的相位差或干涉条纹的变化来精确计算薄膜的厚度。以下是该原理的详细解释: 一、基本原理 当光线照射到薄膜表面时,部分光线会在薄膜表面反射,形成表面反射光;另一部分光线
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应力消除外延生长装置及外延生长方法
引言 在半导体材料领域,碳化硅(SiC)因其出色的物理和化学特性,如高硬度、高热导率、高击穿电场强度等,成为制造高功率、高频电子器件的理想材料。然而,在大尺寸SiC外延生长过程中,衬底应力问题一直是影响外延片质量和性能的关键因素。为了克服这一问题,应力消除外延生长装置及外延生长方法应运而生。本文将详细介绍这种装置和方法的工作原理、技术特点以及应用前景。 应力消除外延生长装置 应力消除外延生长装置主要包括上下料室、传片室、消除应力室和反应室四个部分。这四个部分通过高精度的机械传动系统和控制系统实现
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白光干涉仪的光谱干涉模式原理
白光干涉仪的光谱干涉模式原理主要基于光的干涉和光谱分析。以下是对该原理的详细解释: 一、基本原理 白光干涉仪利用干涉原理测量光程之差,从而测定有关物理量。在光谱干涉模式中,白光作为光源,其发出的光经过扩束准直后,通过分光棱镜等光学元件被分成两束相干光。一束光经被测表面反射回来,另一束光经参考镜反射。两束反射光最终汇聚并发生干涉,形成干涉条纹。 二、光谱干涉的特点 白光光源:白光属于多色光,具有连续的光谱。这使得白光干涉仪能够在宽光谱范围内进行干涉测量,从而获取更多的被测表面信息。 干涉条纹的移动
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碳化硅外延晶片硅面贴膜后的清洗方法
引言 碳化硅(SiC)外延晶片因其卓越的物理和化学特性,在功率电子、高频通信、高温传感等领域具有广泛应用。在SiC外延晶片的制备过程中,硅面贴膜是一道关键步骤,用于保护外延层免受机械损伤和污染。然而,贴膜后的清洗过程同样至关重要,它直接影响到外延晶片的最终质量和性能。本文将详细介绍碳化硅外延晶片硅面贴膜后的清洗方法,包括其重要性、常用清洗步骤、所用化学试剂及其作用,以及清洗后的质量评估。 清洗方法的重要性 碳化硅外延晶片硅面贴膜后的清洗过程,旨在去除贴膜过程中产生的各种污染物,如尘埃颗粒、有机物
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碳化硅晶片表面金属残留的清洗方法
1,超声波清洗 超声波清洗利用超声波在液体中产生的空化效应和微射流效应,对SiC晶片表面进行冲击和剥离,去除金属残留。清洗时,将SiC晶片置于超声波清洗机中,用去离子水作为清洗液,通过超声波的振动作用去除金属残留。 HPM和HFPM溶液主要用于去除SiC晶片表面的氧化物和金属残留。HPM溶液中的盐酸能够溶解氧化物,而HFPM溶液中的氢氟酸则能够去除硅的氧化物和金属氟化物。清洗时,将SiC晶片置于相应的溶液中浸泡,通过加热和搅拌加速化学反应。清洗后,用去离子水冲洗干净。HPM和HFPM溶液清洗引言
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白光干涉仪中的VSI和PSI以及VXI模式的区别
VXI模式结合了VSI和PSI两种模式的优点,既具有VSI模式的垂直扫描能力和对粗糙表面的适应性,又具有PSI模式的高精度和相位测量能力。白光干涉仪是一种高精度的光学测量仪器,它利用白光干涉原理来测量物体表面的形貌和高度等信息。在白光干涉仪中,垂直扫描干涉测量模式(VSI)、相移干涉测量模式(PSI)以及结合VSI和PSI的高分辨测量模式(VXI)是三种重要的测量模式。以下是对这三种测量模式的详细介绍: 一、垂直扫描干涉测量模式(VSI) 原理: VSI模式是基于白光干涉的一种垂直扫描测量方法。
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2025-01-23 15:09:52
迈克耳孙干涉仪白光等倾干涉的实现、条纹特征及形成机理
迈克耳孙干涉仪白光等倾干涉的实现、条纹特征及形成机理是光学研究中的重要内容。以下是对这些方面的详细解释: 一、迈克耳孙干涉仪白光等倾干涉的实现 迈克耳孙干涉仪利用分振幅法产生双光束以实现干涉。在白光等倾干涉的实验中,需要在迈克耳孙干涉仪的反射镜前放置一块玻璃板,以实现白光的等倾干涉。这是因为附加的玻璃板使光程相等时光源经两反射镜所成的虚像间有了几何间隔,而且玻璃板的色散使得该等倾条纹的出现范围可以远大于白光等厚干涉。通过调整干涉仪,可以观察到白光等倾干涉的条纹。 二、白光等倾干涉的条纹特征 条纹
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碳化硅衬底的特氟龙夹具相比其他吸附方案,对于测量碳化硅衬底 BOW/WARP 的影响
一、引言 随着碳化硅在半导体等领域的广泛应用,对其衬底质量的检测愈发关键。BOW(翘曲度)和 WARP(弯曲度)是衡量碳化硅衬底质量的重要参数,准确测量这些参数对于保证器件性能至关重要。而不同的吸附方案会对测量结果产生不同程度的影响。 二、常见吸附方案概述 在碳化硅衬底测量中,常见的吸附方案包括真空吸附、静电吸附等。真空吸附通过产生负压将衬底固定,操作相对简单,但可能存在吸附不均匀的情况。静电吸附则利用静电引力固定衬底,吸附力分布较为均匀,但对环境要求较高。 三、特氟龙夹具的特点 特氟龙夹具具有
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白光干涉为什么对于环境防振要求那么高
白光干涉对于环境防振要求高的原因,主要可以从其测量原理和应用需求两个方面来解释。 一、测量原理 白光干涉仪是利用干涉原理测量光程之差从而测定有关物理量的光学仪器。光源发出的光经过扩束准直后经分光棱镜分成两束,一束光经被测表面反射回来,另一束光经参考镜反射,两束反射光最终汇聚并发生干涉。两束相干光间光程差的任何变化都会灵敏地导致干涉条纹的移动,而某一束相干光的光程变化是由它所通过的几何路程或介质折射率的变化引起的。因此,任何微小的振动都可能引起光程差的变化,从而导致干涉条纹的移动,进而影响测量结果
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测量探头的 “温漂” 问题,都是怎么产生的,以及对于氮化镓衬底厚度测量的影响
在半导体产业这片高精尖的领域中,氮化镓(GaN)衬底作为新一代芯片制造的核心支撑材料,正驱动着光电器件、功率器件等诸多领域迈向新的高峰。然而,氮化镓衬底厚度测量的精准度却时刻面临着一个来自暗处的挑战 —— 测量探头的 “温漂” 问题。深入探究 “温漂” 的产生根源,以及剖析其给氮化镓衬底厚度测量带来的全方位影响,对于保障半导体制造工艺的高质量推进有着举足轻重的意义。 一、“温漂” 现象的滋生土壤 1,环境温度的 “暗流涌动” 半导体制造车间仿若一个庞大且复杂的热动力学 “迷宫”,诸多因素交织在一
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为什么说白光干涉的扫描高度受限
白光干涉的扫描高度受限,主要是由于其测量原理和技术特点所决定的。以下是对这一问题的详细解释: 一、白光干涉的测量原理 白光干涉技术是一种基于光的波动性进行测量的技术。当两束或多束相干光波在空间某点相遇时,它们会产生干涉现象,形成明暗相间的干涉条纹。这些干涉条纹的位置和形态取决于光波的相位差,而相位差则与光波经过的光程差有关。 在白光干涉测量中,通常使用白光作为光源,并通过干涉仪将光波分为两束:一束作为参考光,另一束作为测量光。测量光经过待测物体后,与参考光在干涉仪的接收屏上相遇并产生干涉条纹。通
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2025-01-21 14:43:50
为什么说白光干涉的扫描高度受限
白光干涉的扫描高度受限,主要是由于其测量原理和技术特点所决定的。以下是对这一问题的详细解释: 一、白光干涉的测量原理 白光干涉技术是一种基于光的波动性进行测量的技术。当两束或多束相干光波在空间某点相遇时,它们会产生干涉现象,形成明暗相间的干涉条纹。这些干涉条纹的位置和形态取决于光波的相位差,而相位差则与光波经过的光程差有关。 在白光干涉测量中,通常使用白光作为光源,并通过干涉仪将光波分为两束:一束作为参考光,另一束作为测量光。测量光经过待测物体后,与参考光在干涉仪的接收屏上相遇并产生干涉条纹。通
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继经典迈克尔逊干涉后的零差式激光干涉技术的出现
零差式激光干涉技术是在经典迈克尔逊干涉原理的基础上发展起来的一种高精度测量技术。以下是对这一技术的详细介绍: 一、经典迈克尔逊干涉原理 迈克尔逊干涉仪是一种利用分振幅法产生双光束以实现干涉的光学仪器,它是最著名的干涉仪之一,为光学干涉测量中各类干涉仪的原型。其原理主要是利用两束相干光波在空间某点相遇时相互叠加,形成稳定的明暗相间的干涉条纹,当被测物体发生移动时,会引起干涉条纹的移动,从而可以测量物体的微小位移。 二、零差式激光干涉技术的出现与发展 零差式激光干涉技术是在经典迈克尔逊干涉原理的基础
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2025-02-10 14:19:29
外差式激光干涉和零差式激光干涉的区别
外差式激光干涉和零差式激光干涉是两种不同的激光干涉测量技术,它们在工作原理、特点和应用方面存在显著的差异。以下是对这两种技术的详细比较: 一、工作原理 外差式激光干涉 外差式激光干涉仪又称双频干涉仪或交流干涉仪,其工作原理是利用两种不同频率的单色光作为测量光束和参考光束。 通过光电探测器的混频,输出差频信号,从而实现对被测物体的精确测量。 零差式激光干涉 零差式激光干涉仪是一种最简单的位移测量干涉仪。 其工作原理是通过测量稳频激光器发出的光束在测量镜沿光轴方向移动时两束光的光程差变化,从而得到测
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2025-02-10 09:51:38
有效抑制SiC外延片掉落物缺陷生成的方法
引言 碳化硅(SiC)作为第三代半导体材料,因其出色的物理和化学特性,在功率电子、高频通信及高温环境等领域展现出巨大的应用潜力。然而,在SiC外延生长过程中,掉落物缺陷(如颗粒脱落、乳凸等)一直是影响外延片质量和器件性能的关键因素。这些缺陷不仅会降低外延片的良品率,还可能对后续器件的可靠性产生严重影响。因此,有效抑制SiC外延片掉落物缺陷的生成,对于提升SiC器件的性能和可靠性具有重要意义。本文将介绍一种创新的方法,旨在通过优化生长工艺和设备设计,有效抑制SiC外延片掉落物缺陷的生成。 方法概述
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2025-02-08 14:50:54
白光干涉仪的膜厚测量模式原理
四、应用与优势 白光干涉仪的膜厚测量模式具有广泛的应用领域,如半导体制造、光学元件加工、涂层厚度测量等。与其他测量方法相比,白光干涉仪具有非接触式测量、高精度、宽测量范围、快速测量等优点。此外,它还可以同时测量薄膜的厚度和折射率等参数,为材料研究和应用提供了有力的支持。白光干涉仪的膜厚测量模式原理主要基于光的干涉原理,通过测量反射光波的相位差或干涉条纹的变化来精确计算薄膜的厚度。以下是该原理的详细解释: 一、基本原理 当光线照射到薄膜表面时,部分光线会在薄膜表面反射,形成表面反射光;另一部分光线
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2025-02-08 10:17:24
应力消除外延生长装置及外延生长方法
引言 在半导体材料领域,碳化硅(SiC)因其出色的物理和化学特性,如高硬度、高热导率、高击穿电场强度等,成为制造高功率、高频电子器件的理想材料。然而,在大尺寸SiC外延生长过程中,衬底应力问题一直是影响外延片质量和性能的关键因素。为了克服这一问题,应力消除外延生长装置及外延生长方法应运而生。本文将详细介绍这种装置和方法的工作原理、技术特点以及应用前景。 应力消除外延生长装置 应力消除外延生长装置主要包括上下料室、传片室、消除应力室和反应室四个部分。这四个部分通过高精度的机械传动系统和控制系统实现
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2025-02-07 15:46:17
白光干涉仪的光谱干涉模式原理
白光干涉仪的光谱干涉模式原理主要基于光的干涉和光谱分析。以下是对该原理的详细解释: 一、基本原理 白光干涉仪利用干涉原理测量光程之差,从而测定有关物理量。在光谱干涉模式中,白光作为光源,其发出的光经过扩束准直后,通过分光棱镜等光学元件被分成两束相干光。一束光经被测表面反射回来,另一束光经参考镜反射。两束反射光最终汇聚并发生干涉,形成干涉条纹。 二、光谱干涉的特点 白光光源:白光属于多色光,具有连续的光谱。这使得白光干涉仪能够在宽光谱范围内进行干涉测量,从而获取更多的被测表面信息。 干涉条纹的移动
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2025-02-07 10:48:37
碳化硅外延晶片硅面贴膜后的清洗方法
引言 碳化硅(SiC)外延晶片因其卓越的物理和化学特性,在功率电子、高频通信、高温传感等领域具有广泛应用。在SiC外延晶片的制备过程中,硅面贴膜是一道关键步骤,用于保护外延层免受机械损伤和污染。然而,贴膜后的清洗过程同样至关重要,它直接影响到外延晶片的最终质量和性能。本文将详细介绍碳化硅外延晶片硅面贴膜后的清洗方法,包括其重要性、常用清洗步骤、所用化学试剂及其作用,以及清洗后的质量评估。 清洗方法的重要性 碳化硅外延晶片硅面贴膜后的清洗过程,旨在去除贴膜过程中产生的各种污染物,如尘埃颗粒、有机物
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2025-02-06 14:35:06
碳化硅晶片表面金属残留的清洗方法
1,超声波清洗 超声波清洗利用超声波在液体中产生的空化效应和微射流效应,对SiC晶片表面进行冲击和剥离,去除金属残留。清洗时,将SiC晶片置于超声波清洗机中,用去离子水作为清洗液,通过超声波的振动作用去除金属残留。 HPM和HFPM溶液主要用于去除SiC晶片表面的氧化物和金属残留。HPM溶液中的盐酸能够溶解氧化物,而HFPM溶液中的氢氟酸则能够去除硅的氧化物和金属氟化物。清洗时,将SiC晶片置于相应的溶液中浸泡,通过加热和搅拌加速化学反应。清洗后,用去离子水冲洗干净。HPM和HFPM溶液清洗引言
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2025-02-06 10:51:32
白光干涉仪中的VSI和PSI以及VXI模式的区别
VXI模式结合了VSI和PSI两种模式的优点,既具有VSI模式的垂直扫描能力和对粗糙表面的适应性,又具有PSI模式的高精度和相位测量能力。白光干涉仪是一种高精度的光学测量仪器,它利用白光干涉原理来测量物体表面的形貌和高度等信息。在白光干涉仪中,垂直扫描干涉测量模式(VSI)、相移干涉测量模式(PSI)以及结合VSI和PSI的高分辨测量模式(VXI)是三种重要的测量模式。以下是对这三种测量模式的详细介绍: 一、垂直扫描干涉测量模式(VSI) 原理: VSI模式是基于白光干涉的一种垂直扫描测量方法。
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2025-01-23 15:09:52
迈克耳孙干涉仪白光等倾干涉的实现、条纹特征及形成机理
迈克耳孙干涉仪白光等倾干涉的实现、条纹特征及形成机理是光学研究中的重要内容。以下是对这些方面的详细解释: 一、迈克耳孙干涉仪白光等倾干涉的实现 迈克耳孙干涉仪利用分振幅法产生双光束以实现干涉。在白光等倾干涉的实验中,需要在迈克耳孙干涉仪的反射镜前放置一块玻璃板,以实现白光的等倾干涉。这是因为附加的玻璃板使光程相等时光源经两反射镜所成的虚像间有了几何间隔,而且玻璃板的色散使得该等倾条纹的出现范围可以远大于白光等厚干涉。通过调整干涉仪,可以观察到白光等倾干涉的条纹。 二、白光等倾干涉的条纹特征 条纹
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2025-01-23 11:08:00
碳化硅衬底的特氟龙夹具相比其他吸附方案,对于测量碳化硅衬底 BOW/WARP 的影响
一、引言 随着碳化硅在半导体等领域的广泛应用,对其衬底质量的检测愈发关键。BOW(翘曲度)和 WARP(弯曲度)是衡量碳化硅衬底质量的重要参数,准确测量这些参数对于保证器件性能至关重要。而不同的吸附方案会对测量结果产生不同程度的影响。 二、常见吸附方案概述 在碳化硅衬底测量中,常见的吸附方案包括真空吸附、静电吸附等。真空吸附通过产生负压将衬底固定,操作相对简单,但可能存在吸附不均匀的情况。静电吸附则利用静电引力固定衬底,吸附力分布较为均匀,但对环境要求较高。 三、特氟龙夹具的特点 特氟龙夹具具有
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2025-01-22 14:35:49
白光干涉为什么对于环境防振要求那么高
白光干涉对于环境防振要求高的原因,主要可以从其测量原理和应用需求两个方面来解释。 一、测量原理 白光干涉仪是利用干涉原理测量光程之差从而测定有关物理量的光学仪器。光源发出的光经过扩束准直后经分光棱镜分成两束,一束光经被测表面反射回来,另一束光经参考镜反射,两束反射光最终汇聚并发生干涉。两束相干光间光程差的任何变化都会灵敏地导致干涉条纹的移动,而某一束相干光的光程变化是由它所通过的几何路程或介质折射率的变化引起的。因此,任何微小的振动都可能引起光程差的变化,从而导致干涉条纹的移动,进而影响测量结果
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2025-01-22 09:57:28
测量探头的 “温漂” 问题,都是怎么产生的,以及对于氮化镓衬底厚度测量的影响
在半导体产业这片高精尖的领域中,氮化镓(GaN)衬底作为新一代芯片制造的核心支撑材料,正驱动着光电器件、功率器件等诸多领域迈向新的高峰。然而,氮化镓衬底厚度测量的精准度却时刻面临着一个来自暗处的挑战 —— 测量探头的 “温漂” 问题。深入探究 “温漂” 的产生根源,以及剖析其给氮化镓衬底厚度测量带来的全方位影响,对于保障半导体制造工艺的高质量推进有着举足轻重的意义。 一、“温漂” 现象的滋生土壤 1,环境温度的 “暗流涌动” 半导体制造车间仿若一个庞大且复杂的热动力学 “迷宫”,诸多因素交织在一
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2025-01-21 14:47:20
为什么说白光干涉的扫描高度受限
白光干涉的扫描高度受限,主要是由于其测量原理和技术特点所决定的。以下是对这一问题的详细解释: 一、白光干涉的测量原理 白光干涉技术是一种基于光的波动性进行测量的技术。当两束或多束相干光波在空间某点相遇时,它们会产生干涉现象,形成明暗相间的干涉条纹。这些干涉条纹的位置和形态取决于光波的相位差,而相位差则与光波经过的光程差有关。 在白光干涉测量中,通常使用白光作为光源,并通过干涉仪将光波分为两束:一束作为参考光,另一束作为测量光。测量光经过待测物体后,与参考光在干涉仪的接收屏上相遇并产生干涉条纹。通
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2025-01-21 14:43:50
为什么说白光干涉的扫描高度受限
白光干涉的扫描高度受限,主要是由于其测量原理和技术特点所决定的。以下是对这一问题的详细解释: 一、白光干涉的测量原理 白光干涉技术是一种基于光的波动性进行测量的技术。当两束或多束相干光波在空间某点相遇时,它们会产生干涉现象,形成明暗相间的干涉条纹。这些干涉条纹的位置和形态取决于光波的相位差,而相位差则与光波经过的光程差有关。 在白光干涉测量中,通常使用白光作为光源,并通过干涉仪将光波分为两束:一束作为参考光,另一束作为测量光。测量光经过待测物体后,与参考光在干涉仪的接收屏上相遇并产生干涉条纹。通
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继经典迈克尔逊干涉后的零差式激光干涉技术的出现
零差式激光干涉技术是在经典迈克尔逊干涉原理的基础上发展起来的一种高精度测量技术。以下是对这一技术的详细介绍: 一、经典迈克尔逊干涉原理 迈克尔逊干涉仪是一种利用分振幅法产生双光束以实现干涉的光学仪器,它是最著名的干涉仪之一,为光学干涉测量中各类干涉仪的原型。其原理主要是利用两束相干光波在空间某点相遇时相互叠加,形成稳定的明暗相间的干涉条纹,当被测物体发生移动时,会引起干涉条纹的移动,从而可以测量物体的微小位移。 二、零差式激光干涉技术的出现与发展 零差式激光干涉技术是在经典迈克尔逊干涉原理的基础
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2025-02-10 14:19:29
外差式激光干涉和零差式激光干涉的区别
外差式激光干涉和零差式激光干涉是两种不同的激光干涉测量技术,它们在工作原理、特点和应用方面存在显著的差异。以下是对这两种技术的详细比较: 一、工作原理 外差式激光干涉 外差式激光干涉仪又称双频干涉仪或交流干涉仪,其工作原理是利用两种不同频率的单色光作为测量光束和参考光束。 通过光电探测器的混频,输出差频信号,从而实现对被测物体的精确测量。 零差式激光干涉 零差式激光干涉仪是一种最简单的位移测量干涉仪。 其工作原理是通过测量稳频激光器发出的光束在测量镜沿光轴方向移动时两束光的光程差变化,从而得到测
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2025-02-10 09:51:38
有效抑制SiC外延片掉落物缺陷生成的方法
引言 碳化硅(SiC)作为第三代半导体材料,因其出色的物理和化学特性,在功率电子、高频通信及高温环境等领域展现出巨大的应用潜力。然而,在SiC外延生长过程中,掉落物缺陷(如颗粒脱落、乳凸等)一直是影响外延片质量和器件性能的关键因素。这些缺陷不仅会降低外延片的良品率,还可能对后续器件的可靠性产生严重影响。因此,有效抑制SiC外延片掉落物缺陷的生成,对于提升SiC器件的性能和可靠性具有重要意义。本文将介绍一种创新的方法,旨在通过优化生长工艺和设备设计,有效抑制SiC外延片掉落物缺陷的生成。 方法概述
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2025-02-08 14:50:54
白光干涉仪的膜厚测量模式原理
四、应用与优势 白光干涉仪的膜厚测量模式具有广泛的应用领域,如半导体制造、光学元件加工、涂层厚度测量等。与其他测量方法相比,白光干涉仪具有非接触式测量、高精度、宽测量范围、快速测量等优点。此外,它还可以同时测量薄膜的厚度和折射率等参数,为材料研究和应用提供了有力的支持。白光干涉仪的膜厚测量模式原理主要基于光的干涉原理,通过测量反射光波的相位差或干涉条纹的变化来精确计算薄膜的厚度。以下是该原理的详细解释: 一、基本原理 当光线照射到薄膜表面时,部分光线会在薄膜表面反射,形成表面反射光;另一部分光线
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应力消除外延生长装置及外延生长方法
引言 在半导体材料领域,碳化硅(SiC)因其出色的物理和化学特性,如高硬度、高热导率、高击穿电场强度等,成为制造高功率、高频电子器件的理想材料。然而,在大尺寸SiC外延生长过程中,衬底应力问题一直是影响外延片质量和性能的关键因素。为了克服这一问题,应力消除外延生长装置及外延生长方法应运而生。本文将详细介绍这种装置和方法的工作原理、技术特点以及应用前景。 应力消除外延生长装置 应力消除外延生长装置主要包括上下料室、传片室、消除应力室和反应室四个部分。这四个部分通过高精度的机械传动系统和控制系统实现
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白光干涉仪的光谱干涉模式原理
白光干涉仪的光谱干涉模式原理主要基于光的干涉和光谱分析。以下是对该原理的详细解释: 一、基本原理 白光干涉仪利用干涉原理测量光程之差,从而测定有关物理量。在光谱干涉模式中,白光作为光源,其发出的光经过扩束准直后,通过分光棱镜等光学元件被分成两束相干光。一束光经被测表面反射回来,另一束光经参考镜反射。两束反射光最终汇聚并发生干涉,形成干涉条纹。 二、光谱干涉的特点 白光光源:白光属于多色光,具有连续的光谱。这使得白光干涉仪能够在宽光谱范围内进行干涉测量,从而获取更多的被测表面信息。 干涉条纹的移动
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碳化硅外延晶片硅面贴膜后的清洗方法
引言 碳化硅(SiC)外延晶片因其卓越的物理和化学特性,在功率电子、高频通信、高温传感等领域具有广泛应用。在SiC外延晶片的制备过程中,硅面贴膜是一道关键步骤,用于保护外延层免受机械损伤和污染。然而,贴膜后的清洗过程同样至关重要,它直接影响到外延晶片的最终质量和性能。本文将详细介绍碳化硅外延晶片硅面贴膜后的清洗方法,包括其重要性、常用清洗步骤、所用化学试剂及其作用,以及清洗后的质量评估。 清洗方法的重要性 碳化硅外延晶片硅面贴膜后的清洗过程,旨在去除贴膜过程中产生的各种污染物,如尘埃颗粒、有机物
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碳化硅晶片表面金属残留的清洗方法
1,超声波清洗 超声波清洗利用超声波在液体中产生的空化效应和微射流效应,对SiC晶片表面进行冲击和剥离,去除金属残留。清洗时,将SiC晶片置于超声波清洗机中,用去离子水作为清洗液,通过超声波的振动作用去除金属残留。 HPM和HFPM溶液主要用于去除SiC晶片表面的氧化物和金属残留。HPM溶液中的盐酸能够溶解氧化物,而HFPM溶液中的氢氟酸则能够去除硅的氧化物和金属氟化物。清洗时,将SiC晶片置于相应的溶液中浸泡,通过加热和搅拌加速化学反应。清洗后,用去离子水冲洗干净。HPM和HFPM溶液清洗引言
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2025-02-06 10:51:32
白光干涉仪中的VSI和PSI以及VXI模式的区别
VXI模式结合了VSI和PSI两种模式的优点,既具有VSI模式的垂直扫描能力和对粗糙表面的适应性,又具有PSI模式的高精度和相位测量能力。白光干涉仪是一种高精度的光学测量仪器,它利用白光干涉原理来测量物体表面的形貌和高度等信息。在白光干涉仪中,垂直扫描干涉测量模式(VSI)、相移干涉测量模式(PSI)以及结合VSI和PSI的高分辨测量模式(VXI)是三种重要的测量模式。以下是对这三种测量模式的详细介绍: 一、垂直扫描干涉测量模式(VSI) 原理: VSI模式是基于白光干涉的一种垂直扫描测量方法。
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迈克耳孙干涉仪白光等倾干涉的实现、条纹特征及形成机理
迈克耳孙干涉仪白光等倾干涉的实现、条纹特征及形成机理是光学研究中的重要内容。以下是对这些方面的详细解释: 一、迈克耳孙干涉仪白光等倾干涉的实现 迈克耳孙干涉仪利用分振幅法产生双光束以实现干涉。在白光等倾干涉的实验中,需要在迈克耳孙干涉仪的反射镜前放置一块玻璃板,以实现白光的等倾干涉。这是因为附加的玻璃板使光程相等时光源经两反射镜所成的虚像间有了几何间隔,而且玻璃板的色散使得该等倾条纹的出现范围可以远大于白光等厚干涉。通过调整干涉仪,可以观察到白光等倾干涉的条纹。 二、白光等倾干涉的条纹特征 条纹
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碳化硅衬底的特氟龙夹具相比其他吸附方案,对于测量碳化硅衬底 BOW/WARP 的影响
一、引言 随着碳化硅在半导体等领域的广泛应用,对其衬底质量的检测愈发关键。BOW(翘曲度)和 WARP(弯曲度)是衡量碳化硅衬底质量的重要参数,准确测量这些参数对于保证器件性能至关重要。而不同的吸附方案会对测量结果产生不同程度的影响。 二、常见吸附方案概述 在碳化硅衬底测量中,常见的吸附方案包括真空吸附、静电吸附等。真空吸附通过产生负压将衬底固定,操作相对简单,但可能存在吸附不均匀的情况。静电吸附则利用静电引力固定衬底,吸附力分布较为均匀,但对环境要求较高。 三、特氟龙夹具的特点 特氟龙夹具具有
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白光干涉为什么对于环境防振要求那么高
白光干涉对于环境防振要求高的原因,主要可以从其测量原理和应用需求两个方面来解释。 一、测量原理 白光干涉仪是利用干涉原理测量光程之差从而测定有关物理量的光学仪器。光源发出的光经过扩束准直后经分光棱镜分成两束,一束光经被测表面反射回来,另一束光经参考镜反射,两束反射光最终汇聚并发生干涉。两束相干光间光程差的任何变化都会灵敏地导致干涉条纹的移动,而某一束相干光的光程变化是由它所通过的几何路程或介质折射率的变化引起的。因此,任何微小的振动都可能引起光程差的变化,从而导致干涉条纹的移动,进而影响测量结果
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测量探头的 “温漂” 问题,都是怎么产生的,以及对于氮化镓衬底厚度测量的影响
在半导体产业这片高精尖的领域中,氮化镓(GaN)衬底作为新一代芯片制造的核心支撑材料,正驱动着光电器件、功率器件等诸多领域迈向新的高峰。然而,氮化镓衬底厚度测量的精准度却时刻面临着一个来自暗处的挑战 —— 测量探头的 “温漂” 问题。深入探究 “温漂” 的产生根源,以及剖析其给氮化镓衬底厚度测量带来的全方位影响,对于保障半导体制造工艺的高质量推进有着举足轻重的意义。 一、“温漂” 现象的滋生土壤 1,环境温度的 “暗流涌动” 半导体制造车间仿若一个庞大且复杂的热动力学 “迷宫”,诸多因素交织在一
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为什么说白光干涉的扫描高度受限
白光干涉的扫描高度受限,主要是由于其测量原理和技术特点所决定的。以下是对这一问题的详细解释: 一、白光干涉的测量原理 白光干涉技术是一种基于光的波动性进行测量的技术。当两束或多束相干光波在空间某点相遇时,它们会产生干涉现象,形成明暗相间的干涉条纹。这些干涉条纹的位置和形态取决于光波的相位差,而相位差则与光波经过的光程差有关。 在白光干涉测量中,通常使用白光作为光源,并通过干涉仪将光波分为两束:一束作为参考光,另一束作为测量光。测量光经过待测物体后,与参考光在干涉仪的接收屏上相遇并产生干涉条纹。通
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为什么说白光干涉的扫描高度受限
白光干涉的扫描高度受限,主要是由于其测量原理和技术特点所决定的。以下是对这一问题的详细解释: 一、白光干涉的测量原理 白光干涉技术是一种基于光的波动性进行测量的技术。当两束或多束相干光波在空间某点相遇时,它们会产生干涉现象,形成明暗相间的干涉条纹。这些干涉条纹的位置和形态取决于光波的相位差,而相位差则与光波经过的光程差有关。 在白光干涉测量中,通常使用白光作为光源,并通过干涉仪将光波分为两束:一束作为参考光,另一束作为测量光。测量光经过待测物体后,与参考光在干涉仪的接收屏上相遇并产生干涉条纹。通
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继经典迈克尔逊干涉后的零差式激光干涉技术的出现
零差式激光干涉技术是在经典迈克尔逊干涉原理的基础上发展起来的一种高精度测量技术。以下是对这一技术的详细介绍: 一、经典迈克尔逊干涉原理 迈克尔逊干涉仪是一种利用分振幅法产生双光束以实现干涉的光学仪器,它是最著名的干涉仪之一,为光学干涉测量中各类干涉仪的原型。其原理主要是利用两束相干光波在空间某点相遇时相互叠加,形成稳定的明暗相间的干涉条纹,当被测物体发生移动时,会引起干涉条纹的移动,从而可以测量物体的微小位移。 二、零差式激光干涉技术的出现与发展 零差式激光干涉技术是在经典迈克尔逊干涉原理的基础
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外差式激光干涉和零差式激光干涉的区别
外差式激光干涉和零差式激光干涉是两种不同的激光干涉测量技术,它们在工作原理、特点和应用方面存在显著的差异。以下是对这两种技术的详细比较: 一、工作原理 外差式激光干涉 外差式激光干涉仪又称双频干涉仪或交流干涉仪,其工作原理是利用两种不同频率的单色光作为测量光束和参考光束。 通过光电探测器的混频,输出差频信号,从而实现对被测物体的精确测量。 零差式激光干涉 零差式激光干涉仪是一种最简单的位移测量干涉仪。 其工作原理是通过测量稳频激光器发出的光束在测量镜沿光轴方向移动时两束光的光程差变化,从而得到测
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有效抑制SiC外延片掉落物缺陷生成的方法
引言 碳化硅(SiC)作为第三代半导体材料,因其出色的物理和化学特性,在功率电子、高频通信及高温环境等领域展现出巨大的应用潜力。然而,在SiC外延生长过程中,掉落物缺陷(如颗粒脱落、乳凸等)一直是影响外延片质量和器件性能的关键因素。这些缺陷不仅会降低外延片的良品率,还可能对后续器件的可靠性产生严重影响。因此,有效抑制SiC外延片掉落物缺陷的生成,对于提升SiC器件的性能和可靠性具有重要意义。本文将介绍一种创新的方法,旨在通过优化生长工艺和设备设计,有效抑制SiC外延片掉落物缺陷的生成。 方法概述
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2025-02-08 14:50:54
白光干涉仪的膜厚测量模式原理
四、应用与优势 白光干涉仪的膜厚测量模式具有广泛的应用领域,如半导体制造、光学元件加工、涂层厚度测量等。与其他测量方法相比,白光干涉仪具有非接触式测量、高精度、宽测量范围、快速测量等优点。此外,它还可以同时测量薄膜的厚度和折射率等参数,为材料研究和应用提供了有力的支持。白光干涉仪的膜厚测量模式原理主要基于光的干涉原理,通过测量反射光波的相位差或干涉条纹的变化来精确计算薄膜的厚度。以下是该原理的详细解释: 一、基本原理 当光线照射到薄膜表面时,部分光线会在薄膜表面反射,形成表面反射光;另一部分光线
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2025-02-08 10:17:24
应力消除外延生长装置及外延生长方法
引言 在半导体材料领域,碳化硅(SiC)因其出色的物理和化学特性,如高硬度、高热导率、高击穿电场强度等,成为制造高功率、高频电子器件的理想材料。然而,在大尺寸SiC外延生长过程中,衬底应力问题一直是影响外延片质量和性能的关键因素。为了克服这一问题,应力消除外延生长装置及外延生长方法应运而生。本文将详细介绍这种装置和方法的工作原理、技术特点以及应用前景。 应力消除外延生长装置 应力消除外延生长装置主要包括上下料室、传片室、消除应力室和反应室四个部分。这四个部分通过高精度的机械传动系统和控制系统实现
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2025-02-07 15:46:17
白光干涉仪的光谱干涉模式原理
白光干涉仪的光谱干涉模式原理主要基于光的干涉和光谱分析。以下是对该原理的详细解释: 一、基本原理 白光干涉仪利用干涉原理测量光程之差,从而测定有关物理量。在光谱干涉模式中,白光作为光源,其发出的光经过扩束准直后,通过分光棱镜等光学元件被分成两束相干光。一束光经被测表面反射回来,另一束光经参考镜反射。两束反射光最终汇聚并发生干涉,形成干涉条纹。 二、光谱干涉的特点 白光光源:白光属于多色光,具有连续的光谱。这使得白光干涉仪能够在宽光谱范围内进行干涉测量,从而获取更多的被测表面信息。 干涉条纹的移动
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2025-02-07 10:48:37
碳化硅外延晶片硅面贴膜后的清洗方法
引言 碳化硅(SiC)外延晶片因其卓越的物理和化学特性,在功率电子、高频通信、高温传感等领域具有广泛应用。在SiC外延晶片的制备过程中,硅面贴膜是一道关键步骤,用于保护外延层免受机械损伤和污染。然而,贴膜后的清洗过程同样至关重要,它直接影响到外延晶片的最终质量和性能。本文将详细介绍碳化硅外延晶片硅面贴膜后的清洗方法,包括其重要性、常用清洗步骤、所用化学试剂及其作用,以及清洗后的质量评估。 清洗方法的重要性 碳化硅外延晶片硅面贴膜后的清洗过程,旨在去除贴膜过程中产生的各种污染物,如尘埃颗粒、有机物
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2025-02-06 14:35:06
碳化硅晶片表面金属残留的清洗方法
1,超声波清洗 超声波清洗利用超声波在液体中产生的空化效应和微射流效应,对SiC晶片表面进行冲击和剥离,去除金属残留。清洗时,将SiC晶片置于超声波清洗机中,用去离子水作为清洗液,通过超声波的振动作用去除金属残留。 HPM和HFPM溶液主要用于去除SiC晶片表面的氧化物和金属残留。HPM溶液中的盐酸能够溶解氧化物,而HFPM溶液中的氢氟酸则能够去除硅的氧化物和金属氟化物。清洗时,将SiC晶片置于相应的溶液中浸泡,通过加热和搅拌加速化学反应。清洗后,用去离子水冲洗干净。HPM和HFPM溶液清洗引言
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2025-02-06 10:51:32
白光干涉仪中的VSI和PSI以及VXI模式的区别
VXI模式结合了VSI和PSI两种模式的优点,既具有VSI模式的垂直扫描能力和对粗糙表面的适应性,又具有PSI模式的高精度和相位测量能力。白光干涉仪是一种高精度的光学测量仪器,它利用白光干涉原理来测量物体表面的形貌和高度等信息。在白光干涉仪中,垂直扫描干涉测量模式(VSI)、相移干涉测量模式(PSI)以及结合VSI和PSI的高分辨测量模式(VXI)是三种重要的测量模式。以下是对这三种测量模式的详细介绍: 一、垂直扫描干涉测量模式(VSI) 原理: VSI模式是基于白光干涉的一种垂直扫描测量方法。
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2025-01-23 15:09:52
迈克耳孙干涉仪白光等倾干涉的实现、条纹特征及形成机理
迈克耳孙干涉仪白光等倾干涉的实现、条纹特征及形成机理是光学研究中的重要内容。以下是对这些方面的详细解释: 一、迈克耳孙干涉仪白光等倾干涉的实现 迈克耳孙干涉仪利用分振幅法产生双光束以实现干涉。在白光等倾干涉的实验中,需要在迈克耳孙干涉仪的反射镜前放置一块玻璃板,以实现白光的等倾干涉。这是因为附加的玻璃板使光程相等时光源经两反射镜所成的虚像间有了几何间隔,而且玻璃板的色散使得该等倾条纹的出现范围可以远大于白光等厚干涉。通过调整干涉仪,可以观察到白光等倾干涉的条纹。 二、白光等倾干涉的条纹特征 条纹
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2025-01-23 11:08:00
碳化硅衬底的特氟龙夹具相比其他吸附方案,对于测量碳化硅衬底 BOW/WARP 的影响
一、引言 随着碳化硅在半导体等领域的广泛应用,对其衬底质量的检测愈发关键。BOW(翘曲度)和 WARP(弯曲度)是衡量碳化硅衬底质量的重要参数,准确测量这些参数对于保证器件性能至关重要。而不同的吸附方案会对测量结果产生不同程度的影响。 二、常见吸附方案概述 在碳化硅衬底测量中,常见的吸附方案包括真空吸附、静电吸附等。真空吸附通过产生负压将衬底固定,操作相对简单,但可能存在吸附不均匀的情况。静电吸附则利用静电引力固定衬底,吸附力分布较为均匀,但对环境要求较高。 三、特氟龙夹具的特点 特氟龙夹具具有
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2025-01-22 14:35:49
白光干涉为什么对于环境防振要求那么高
白光干涉对于环境防振要求高的原因,主要可以从其测量原理和应用需求两个方面来解释。 一、测量原理 白光干涉仪是利用干涉原理测量光程之差从而测定有关物理量的光学仪器。光源发出的光经过扩束准直后经分光棱镜分成两束,一束光经被测表面反射回来,另一束光经参考镜反射,两束反射光最终汇聚并发生干涉。两束相干光间光程差的任何变化都会灵敏地导致干涉条纹的移动,而某一束相干光的光程变化是由它所通过的几何路程或介质折射率的变化引起的。因此,任何微小的振动都可能引起光程差的变化,从而导致干涉条纹的移动,进而影响测量结果
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2025-01-22 09:57:28
测量探头的 “温漂” 问题,都是怎么产生的,以及对于氮化镓衬底厚度测量的影响
在半导体产业这片高精尖的领域中,氮化镓(GaN)衬底作为新一代芯片制造的核心支撑材料,正驱动着光电器件、功率器件等诸多领域迈向新的高峰。然而,氮化镓衬底厚度测量的精准度却时刻面临着一个来自暗处的挑战 —— 测量探头的 “温漂” 问题。深入探究 “温漂” 的产生根源,以及剖析其给氮化镓衬底厚度测量带来的全方位影响,对于保障半导体制造工艺的高质量推进有着举足轻重的意义。 一、“温漂” 现象的滋生土壤 1,环境温度的 “暗流涌动” 半导体制造车间仿若一个庞大且复杂的热动力学 “迷宫”,诸多因素交织在一
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2025-01-21 14:47:20
为什么说白光干涉的扫描高度受限
白光干涉的扫描高度受限,主要是由于其测量原理和技术特点所决定的。以下是对这一问题的详细解释: 一、白光干涉的测量原理 白光干涉技术是一种基于光的波动性进行测量的技术。当两束或多束相干光波在空间某点相遇时,它们会产生干涉现象,形成明暗相间的干涉条纹。这些干涉条纹的位置和形态取决于光波的相位差,而相位差则与光波经过的光程差有关。 在白光干涉测量中,通常使用白光作为光源,并通过干涉仪将光波分为两束:一束作为参考光,另一束作为测量光。测量光经过待测物体后,与参考光在干涉仪的接收屏上相遇并产生干涉条纹。通
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2025-01-21 14:43:50
为什么说白光干涉的扫描高度受限
白光干涉的扫描高度受限,主要是由于其测量原理和技术特点所决定的。以下是对这一问题的详细解释: 一、白光干涉的测量原理 白光干涉技术是一种基于光的波动性进行测量的技术。当两束或多束相干光波在空间某点相遇时,它们会产生干涉现象,形成明暗相间的干涉条纹。这些干涉条纹的位置和形态取决于光波的相位差,而相位差则与光波经过的光程差有关。 在白光干涉测量中,通常使用白光作为光源,并通过干涉仪将光波分为两束:一束作为参考光,另一束作为测量光。测量光经过待测物体后,与参考光在干涉仪的接收屏上相遇并产生干涉条纹。通
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