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关灯吃面的老司机
2025-01-21 09:55:53
特氟龙夹具的晶圆夹持方式,相比真空吸附方式,对测量晶圆 BOW 的影响
在半导体制造领域,晶圆作为芯片的基础母材,其质量把控的关键环节之一便是对 BOW(弯曲度)的精确测量。而在测量过程中,特氟龙夹具的晶圆夹持方式与传统的真空吸附方式有着截然不同的特性,这些差异深刻影响着晶圆 BOW 的测量精度与可靠性,对整个半导体工艺链的稳定性起着不可忽视的作用。 一、真空吸附方式剖析 真空吸附方式长期以来在晶圆测量领域占据主导地位。它借助布满吸盘表面的微小气孔,通过抽真空操作,使晶圆底面与吸盘紧密贴合。从稳定性角度来看,这种方式表现卓越,强大且均匀的吸附力能够有效抵御外界轻微震
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2025-01-20 15:10:22
通过电光晶体的电光效应,实现白光干涉中的电光调制相移原理
通过电光晶体的电光效应,实现白光干涉中的电光调制相移原理,是一个基于物理光学和电光学原理的高级测量技术。以下是对这一原理的详细解释: 一、电光效应与电光晶体 电光效应是指某些材料(主要是晶体)在外加电场的作用下,其折射率会发生变化的现象。这种效应是电光调制的基础。电光晶体是具有显著电光效应的材料,它们在外加电场的作用下,能够改变光的传播特性,如相位、振幅和偏振态。 二、电光调制原理 电光调制是利用电光效应,通过改变外加电场来控制光信号的相位、振幅或偏振态的过程。在白光干涉测量中,电光调制器通常用
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2025-01-20 11:10:27
测量探头的 “温漂” 问题,对于氮化镓衬底厚度测量的实际影响
在半导体制造这一微观且精密的领域里,氮化镓(GaN)衬底作为高端芯片的关键基石,正支撑着光电器件、功率器件等众多前沿应用蓬勃发展。然而,氮化镓衬底厚度测量的准确性却常常受到一个隐匿 “敌手” 的威胁 —— 测量探头的 “温漂” 问题。这一看似细微的现象,实则对氮化镓衬底厚度测量产生着诸多深远且实际的影响,关乎整个半导体制造工艺的成败。 一、“温漂” 现象的内在成因 测量探头的 “温漂”,本质上源于温度变化引发探头自身物理特性的改变,进而导致测量误差。一方面,环境温度波动是 “温漂” 的重要导火索
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2025-01-17 14:56:41
通过声光介质的声光效应,实现白光干涉中的声光调制相移原理
通过声光介质的声光效应,实现白光干涉中的声光调制相移原理,是一个涉及光学和声学交叉领域的技术。以下是对这一原理的详细解释: 一、声光效应与声光调制 声光效应是指超声波在介质中传播时,会引起介质折射率的周期性变化,这种变化可以看作是一个动态的光栅。当光波通过这个动态光栅时,会发生衍射现象,衍射光的强度、频率和方向都会随着超声波场的变化而变化。声光调制则是利用这种声光效应,将信息加载到光波上的一种物理过程。 二、声光调制器与白光干涉 声光调制器是实现声光调制的关键元件,它由声光介质和压电换能器构成。
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2025-01-17 10:24:27
不同的氮化镓衬底的吸附方案,对测量氮化镓衬底 BOW/WARP 的影响
在当今高速发展的半导体产业浪潮中,氮化镓(GaN)衬底宛如一颗耀眼的新星,凭借其卓越的电学与光学性能,在众多高端芯片制造领域,尤其是光电器件、功率器件等方向,开拓出广阔的应用天地。然而,要想充分发挥氮化镓衬底的优势,确保其 BOW(弯曲度)和 WARP(翘曲度)的精准测量至关重要,因为这直接关联到后续芯片制造工艺的良率与性能表现。不同的吸附方案恰似一双双各异的 “巧手”,在测量氮化镓衬底 BOW/WARP 的过程中,施展着截然不同的 “操控魔法”,深刻影响着最终测量结果的精度与可靠性。 一、大面
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2025-01-16 14:55:07
氮化镓衬底的环吸方案相比其他吸附方案,对于测量氮化镓衬底 BOW/WARP 的影响
在半导体领域的璀璨星河中,氮化镓(GaN)衬底正凭借其优异的性能,如高电子迁移率、宽禁带等特性,在光电器件、功率器件等诸多应用场景中崭露头角,成为推动行业发展的关键力量。而对于氮化镓衬底而言,其 BOW(弯曲度)和 WARP(翘曲度)的精确测量是保障后续芯片制造工艺精准实施的重要前提,不同的吸附方案在这一测量环节中扮演着截然不同的角色,其中环吸方案更是以独特优势与其他方案形成鲜明对比,对测量结果产生着深远影响。 一、常见吸附方案解析 传统用于氮化镓衬底的吸附方案主要有大面积平板吸附和多点接触吸附
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2025-01-16 09:50:43
通过改变光的偏振态,从而实现白光干涉中的光学相移原理
通过改变光的偏振态,从而实现白光干涉中的光学相移原理,是一个涉及光学原理和技术的复杂过程。以下是对这一过程的详细解释: 一、光的偏振态与白光干涉 光的偏振是指光波在传播过程中,光矢量的方向和大小有规则变化的现象。白光干涉则是利用光的波动性,使两束或多束相干光波在空间某点相遇并产生明暗相间的干涉条纹。这些干涉条纹的形成取决于光波的相位差,而相位差则与光波经过的光程差和偏振状态有关。 二、偏振态的改变与光学相移 在白光干涉测量中,通过改变光的偏振态,可以实现对光波的相位调制,从而改变干涉条纹的位置和
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2025-01-15 15:30:24
基于光偏振与光学调制实现白光干涉相移
基于光的偏振特性和一些光学元件对光的调制作用,实现白光干涉中的光学相移原理是一个复杂而精细的过程。以下是对这一原理的详细解释: 一、光的偏振特性 光的偏振是指光波在传播过程中,光矢量的方向和大小有规则变化的现象。圆偏振光的电场矢量在平面内沿着一个圆形轨迹振动,可以分为左旋圆偏振光和右旋圆偏振光。而线偏振光则是光波在某一固定方向上的振动占优势的光。光的偏振状态可以通过偏振片进行调节,偏振片是一种具有偏振特性的材料,它可以选择性地透过或抑制特定方向上的光波。 二、光学元件对光的调制作用 在白光干涉测
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2025-01-15 10:03:50
测量探头的 “温漂” 问题,都是怎么产生的,以及对于碳化硅衬底厚度测量的影响
在半导体制造这一高精尖领域,碳化硅衬底作为支撑新一代芯片性能飞跃的关键基础材料,其厚度测量的准确性如同精密机械运转的核心齿轮,容不得丝毫差错。然而,测量探头的 “温漂” 问题却如隐匿在暗处的 “幽灵”,悄然干扰着测量进程,深刻影响着碳化硅衬底厚度测量的精度与可靠性。探究 “温漂” 的产生根源以及剖析其带来的全方位影响,对于半导体产业的稳健发展至关重要。 一、“温漂” 现象的滋生源头 1.环境温度的波动干扰 半导体制造车间宛如一个庞大且复杂的热动力学系统,诸多因素交织促使车间温度处于持续变化状态。
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2025-01-14 15:11:56
测量探头的 “温漂” 问题,对于碳化硅衬底厚度测量的实际影响
在半导体制造的微观世界里,碳化硅衬底作为新一代芯片的关键基石,其厚度测量的精准性如同精密建筑的根基,不容有丝毫偏差。然而,测量探头的 “温漂” 问题却如同一股暗流,悄然冲击着这一精准测量的防线,给碳化硅衬底厚度测量带来诸多实际且棘手的影响。 一、“温漂” 现象的内在根源 测量探头的 “温漂”,本质上是由于温度因素致使探头自身物理特性发生改变,进而引发测量误差的现象。一方面,环境温度的波动是 “温漂” 的重要诱因。半导体制造车间宛如一个复杂的热生态系统,大量设备持续运行散发的热量、通风与空调系统的
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2025-01-14 10:54:07
不同的碳化硅衬底的吸附方案,对测量碳化硅衬底 BOW/WARP 的影响
在当今蓬勃发展的半导体产业中,碳化硅(SiC)衬底作为关键基础材料,正引领着高性能芯片制造迈向新的台阶。对于碳化硅衬底而言,其 BOW(弯曲度)和 WARP(翘曲度)参数犹如精密天平上的砝码,细微的偏差都可能让后续芯片制造工艺失衡,而不同的吸附方案则像是操控这一精密测量天平的无形之手,深刻影响着测量结果的精准度。 一、传统大面积真空吸附方案 大面积真空吸附长期以来在碳化硅衬底测量领域占据一席之地。它依托布满吸盘表面的微小气孔,在抽真空后,如同施展了强大的 “吸力魔法”,让衬底整个底面与吸盘紧密相
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2025-01-13 15:25:26
碳化硅衬底的环吸方案相比其他吸附方案,对于测量碳化硅衬底 BOW/WARP 的影响
在半导体领域,随着碳化硅(SiC)材料因其卓越的电学性能、高热导率等优势逐渐崭露头角,成为新一代功率器件、射频器件等制造的热门衬底选择,对碳化硅衬底质量的精准把控愈发关键。其中,碳化硅衬底的 BOW(弯曲度)和 WARP(翘曲度)测量精度直接影响后续芯片加工工艺的良率与性能,而不同的吸附方案在这一测量过程中扮演着举足轻重的角色,环吸方案更是以其独特性与其他吸附方案形成鲜明对比,对测量结果产生着显著影响。 一、常见吸附方案剖析 传统用于碳化硅衬底的吸附方案包括大面积真空吸附和多点机械夹持吸附。大面
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2025-01-13 10:46:16
测量探头的 “温漂” 问题,都是怎么产生的,以及对于晶圆厚度测量的影响
在半导体芯片制造的微观世界里,精度就是生命线,晶圆厚度测量的精准程度直接关联着最终产品的性能优劣。而测量探头的 “温漂” 问题,宛如精密时钟里的一粒微尘,虽小却能搅乱整个测量体系的精准节奏。深入探究其产生根源以及带来的连锁影响,对于半导体产业的高质量发展至关重要。 一、“温漂” 问题的产生缘由 1.环境温度波动 半导体制造车间是一个复杂的热环境生态。一方面,大量设备持续运行散发可观热量,如光刻机、刻蚀机等核心装备,它们在长时间高强度工作过程中,犹如一个个 “小火炉”,让车间局部温度不断攀升。另一
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2025-01-10 16:12:35
测量探头的 “温漂” 问题,对于晶圆厚度测量的实际影响
一、“温漂” 现象的本质剖析 测量探头的 “温漂”,指的是由于环境温度变化或探头自身在工作过程中的发热,导致探头的物理特性发生改变,进而使其测量精度出现偏差的现象。从原理上看,多数测量探头基于电学或光学原理工作,例如电学探头利用电信号的变化反映测量目标的参数,而温度的波动会影响电子元件的导电性、电容值等关键性能指标;光学探头的光路系统受温度影响,玻璃镜片的折射率、光学元件的热膨胀等因素都会使光线传播路径与预期产生偏差。这些细微变化累积起来,在对精度要求极高的晶圆厚度测量场景中,足以引发显著误差。
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2025-01-10 11:27:27
不同的真空吸附方式,对测量晶圆 BOW 的影响
在半导体产业蓬勃发展的当下,晶圆作为芯片制造的基础材料,其质量把控贯穿整个生产流程。其中,晶圆的 BOW(弯曲度)测量精度对于确保后续工艺的顺利进行以及芯片性能的稳定性起着举足轻重的作用。而不同的真空吸附方式,作为晶圆测量环节中的关键支撑技术,对 BOW 测量结果有着千差万别的影响。 一、全表面真空吸附方式 全表面真空吸附是最为传统且应用广泛的一种方式。其原理是利用均匀分布在吸盘表面的微小气孔,通过抽真空,使晶圆整个底面与吸盘紧密贴合。从稳定性角度来看,这种吸附方式无疑具有显著优势。在测量过程中
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特氟龙夹具的晶圆夹持方式,相比真空吸附方式,对测量晶圆 BOW 的影响
在半导体制造领域,晶圆作为芯片的基础母材,其质量把控的关键环节之一便是对 BOW(弯曲度)的精确测量。而在测量过程中,特氟龙夹具的晶圆夹持方式与传统的真空吸附方式有着截然不同的特性,这些差异深刻影响着晶圆 BOW 的测量精度与可靠性,对整个半导体工艺链的稳定性起着不可忽视的作用。 一、真空吸附方式剖析 真空吸附方式长期以来在晶圆测量领域占据主导地位。它借助布满吸盘表面的微小气孔,通过抽真空操作,使晶圆底面与吸盘紧密贴合。从稳定性角度来看,这种方式表现卓越,强大且均匀的吸附力能够有效抵御外界轻微震
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通过电光晶体的电光效应,实现白光干涉中的电光调制相移原理
通过电光晶体的电光效应,实现白光干涉中的电光调制相移原理,是一个基于物理光学和电光学原理的高级测量技术。以下是对这一原理的详细解释: 一、电光效应与电光晶体 电光效应是指某些材料(主要是晶体)在外加电场的作用下,其折射率会发生变化的现象。这种效应是电光调制的基础。电光晶体是具有显著电光效应的材料,它们在外加电场的作用下,能够改变光的传播特性,如相位、振幅和偏振态。 二、电光调制原理 电光调制是利用电光效应,通过改变外加电场来控制光信号的相位、振幅或偏振态的过程。在白光干涉测量中,电光调制器通常用
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测量探头的 “温漂” 问题,对于氮化镓衬底厚度测量的实际影响
在半导体制造这一微观且精密的领域里,氮化镓(GaN)衬底作为高端芯片的关键基石,正支撑着光电器件、功率器件等众多前沿应用蓬勃发展。然而,氮化镓衬底厚度测量的准确性却常常受到一个隐匿 “敌手” 的威胁 —— 测量探头的 “温漂” 问题。这一看似细微的现象,实则对氮化镓衬底厚度测量产生着诸多深远且实际的影响,关乎整个半导体制造工艺的成败。 一、“温漂” 现象的内在成因 测量探头的 “温漂”,本质上源于温度变化引发探头自身物理特性的改变,进而导致测量误差。一方面,环境温度波动是 “温漂” 的重要导火索
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通过声光介质的声光效应,实现白光干涉中的声光调制相移原理
通过声光介质的声光效应,实现白光干涉中的声光调制相移原理,是一个涉及光学和声学交叉领域的技术。以下是对这一原理的详细解释: 一、声光效应与声光调制 声光效应是指超声波在介质中传播时,会引起介质折射率的周期性变化,这种变化可以看作是一个动态的光栅。当光波通过这个动态光栅时,会发生衍射现象,衍射光的强度、频率和方向都会随着超声波场的变化而变化。声光调制则是利用这种声光效应,将信息加载到光波上的一种物理过程。 二、声光调制器与白光干涉 声光调制器是实现声光调制的关键元件,它由声光介质和压电换能器构成。
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不同的氮化镓衬底的吸附方案,对测量氮化镓衬底 BOW/WARP 的影响
在当今高速发展的半导体产业浪潮中,氮化镓(GaN)衬底宛如一颗耀眼的新星,凭借其卓越的电学与光学性能,在众多高端芯片制造领域,尤其是光电器件、功率器件等方向,开拓出广阔的应用天地。然而,要想充分发挥氮化镓衬底的优势,确保其 BOW(弯曲度)和 WARP(翘曲度)的精准测量至关重要,因为这直接关联到后续芯片制造工艺的良率与性能表现。不同的吸附方案恰似一双双各异的 “巧手”,在测量氮化镓衬底 BOW/WARP 的过程中,施展着截然不同的 “操控魔法”,深刻影响着最终测量结果的精度与可靠性。 一、大面
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氮化镓衬底的环吸方案相比其他吸附方案,对于测量氮化镓衬底 BOW/WARP 的影响
在半导体领域的璀璨星河中,氮化镓(GaN)衬底正凭借其优异的性能,如高电子迁移率、宽禁带等特性,在光电器件、功率器件等诸多应用场景中崭露头角,成为推动行业发展的关键力量。而对于氮化镓衬底而言,其 BOW(弯曲度)和 WARP(翘曲度)的精确测量是保障后续芯片制造工艺精准实施的重要前提,不同的吸附方案在这一测量环节中扮演着截然不同的角色,其中环吸方案更是以独特优势与其他方案形成鲜明对比,对测量结果产生着深远影响。 一、常见吸附方案解析 传统用于氮化镓衬底的吸附方案主要有大面积平板吸附和多点接触吸附
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通过改变光的偏振态,从而实现白光干涉中的光学相移原理
通过改变光的偏振态,从而实现白光干涉中的光学相移原理,是一个涉及光学原理和技术的复杂过程。以下是对这一过程的详细解释: 一、光的偏振态与白光干涉 光的偏振是指光波在传播过程中,光矢量的方向和大小有规则变化的现象。白光干涉则是利用光的波动性,使两束或多束相干光波在空间某点相遇并产生明暗相间的干涉条纹。这些干涉条纹的形成取决于光波的相位差,而相位差则与光波经过的光程差和偏振状态有关。 二、偏振态的改变与光学相移 在白光干涉测量中,通过改变光的偏振态,可以实现对光波的相位调制,从而改变干涉条纹的位置和
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基于光偏振与光学调制实现白光干涉相移
基于光的偏振特性和一些光学元件对光的调制作用,实现白光干涉中的光学相移原理是一个复杂而精细的过程。以下是对这一原理的详细解释: 一、光的偏振特性 光的偏振是指光波在传播过程中,光矢量的方向和大小有规则变化的现象。圆偏振光的电场矢量在平面内沿着一个圆形轨迹振动,可以分为左旋圆偏振光和右旋圆偏振光。而线偏振光则是光波在某一固定方向上的振动占优势的光。光的偏振状态可以通过偏振片进行调节,偏振片是一种具有偏振特性的材料,它可以选择性地透过或抑制特定方向上的光波。 二、光学元件对光的调制作用 在白光干涉测
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测量探头的 “温漂” 问题,都是怎么产生的,以及对于碳化硅衬底厚度测量的影响
在半导体制造这一高精尖领域,碳化硅衬底作为支撑新一代芯片性能飞跃的关键基础材料,其厚度测量的准确性如同精密机械运转的核心齿轮,容不得丝毫差错。然而,测量探头的 “温漂” 问题却如隐匿在暗处的 “幽灵”,悄然干扰着测量进程,深刻影响着碳化硅衬底厚度测量的精度与可靠性。探究 “温漂” 的产生根源以及剖析其带来的全方位影响,对于半导体产业的稳健发展至关重要。 一、“温漂” 现象的滋生源头 1.环境温度的波动干扰 半导体制造车间宛如一个庞大且复杂的热动力学系统,诸多因素交织促使车间温度处于持续变化状态。
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测量探头的 “温漂” 问题,对于碳化硅衬底厚度测量的实际影响
在半导体制造的微观世界里,碳化硅衬底作为新一代芯片的关键基石,其厚度测量的精准性如同精密建筑的根基,不容有丝毫偏差。然而,测量探头的 “温漂” 问题却如同一股暗流,悄然冲击着这一精准测量的防线,给碳化硅衬底厚度测量带来诸多实际且棘手的影响。 一、“温漂” 现象的内在根源 测量探头的 “温漂”,本质上是由于温度因素致使探头自身物理特性发生改变,进而引发测量误差的现象。一方面,环境温度的波动是 “温漂” 的重要诱因。半导体制造车间宛如一个复杂的热生态系统,大量设备持续运行散发的热量、通风与空调系统的
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不同的碳化硅衬底的吸附方案,对测量碳化硅衬底 BOW/WARP 的影响
在当今蓬勃发展的半导体产业中,碳化硅(SiC)衬底作为关键基础材料,正引领着高性能芯片制造迈向新的台阶。对于碳化硅衬底而言,其 BOW(弯曲度)和 WARP(翘曲度)参数犹如精密天平上的砝码,细微的偏差都可能让后续芯片制造工艺失衡,而不同的吸附方案则像是操控这一精密测量天平的无形之手,深刻影响着测量结果的精准度。 一、传统大面积真空吸附方案 大面积真空吸附长期以来在碳化硅衬底测量领域占据一席之地。它依托布满吸盘表面的微小气孔,在抽真空后,如同施展了强大的 “吸力魔法”,让衬底整个底面与吸盘紧密相
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碳化硅衬底的环吸方案相比其他吸附方案,对于测量碳化硅衬底 BOW/WARP 的影响
在半导体领域,随着碳化硅(SiC)材料因其卓越的电学性能、高热导率等优势逐渐崭露头角,成为新一代功率器件、射频器件等制造的热门衬底选择,对碳化硅衬底质量的精准把控愈发关键。其中,碳化硅衬底的 BOW(弯曲度)和 WARP(翘曲度)测量精度直接影响后续芯片加工工艺的良率与性能,而不同的吸附方案在这一测量过程中扮演着举足轻重的角色,环吸方案更是以其独特性与其他吸附方案形成鲜明对比,对测量结果产生着显著影响。 一、常见吸附方案剖析 传统用于碳化硅衬底的吸附方案包括大面积真空吸附和多点机械夹持吸附。大面
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测量探头的 “温漂” 问题,都是怎么产生的,以及对于晶圆厚度测量的影响
在半导体芯片制造的微观世界里,精度就是生命线,晶圆厚度测量的精准程度直接关联着最终产品的性能优劣。而测量探头的 “温漂” 问题,宛如精密时钟里的一粒微尘,虽小却能搅乱整个测量体系的精准节奏。深入探究其产生根源以及带来的连锁影响,对于半导体产业的高质量发展至关重要。 一、“温漂” 问题的产生缘由 1.环境温度波动 半导体制造车间是一个复杂的热环境生态。一方面,大量设备持续运行散发可观热量,如光刻机、刻蚀机等核心装备,它们在长时间高强度工作过程中,犹如一个个 “小火炉”,让车间局部温度不断攀升。另一
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测量探头的 “温漂” 问题,对于晶圆厚度测量的实际影响
一、“温漂” 现象的本质剖析 测量探头的 “温漂”,指的是由于环境温度变化或探头自身在工作过程中的发热,导致探头的物理特性发生改变,进而使其测量精度出现偏差的现象。从原理上看,多数测量探头基于电学或光学原理工作,例如电学探头利用电信号的变化反映测量目标的参数,而温度的波动会影响电子元件的导电性、电容值等关键性能指标;光学探头的光路系统受温度影响,玻璃镜片的折射率、光学元件的热膨胀等因素都会使光线传播路径与预期产生偏差。这些细微变化累积起来,在对精度要求极高的晶圆厚度测量场景中,足以引发显著误差。
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不同的真空吸附方式,对测量晶圆 BOW 的影响
在半导体产业蓬勃发展的当下,晶圆作为芯片制造的基础材料,其质量把控贯穿整个生产流程。其中,晶圆的 BOW(弯曲度)测量精度对于确保后续工艺的顺利进行以及芯片性能的稳定性起着举足轻重的作用。而不同的真空吸附方式,作为晶圆测量环节中的关键支撑技术,对 BOW 测量结果有着千差万别的影响。 一、全表面真空吸附方式 全表面真空吸附是最为传统且应用广泛的一种方式。其原理是利用均匀分布在吸盘表面的微小气孔,通过抽真空,使晶圆整个底面与吸盘紧密贴合。从稳定性角度来看,这种吸附方式无疑具有显著优势。在测量过程中
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特氟龙夹具的晶圆夹持方式,相比真空吸附方式,对测量晶圆 BOW 的影响
在半导体制造领域,晶圆作为芯片的基础母材,其质量把控的关键环节之一便是对 BOW(弯曲度)的精确测量。而在测量过程中,特氟龙夹具的晶圆夹持方式与传统的真空吸附方式有着截然不同的特性,这些差异深刻影响着晶圆 BOW 的测量精度与可靠性,对整个半导体工艺链的稳定性起着不可忽视的作用。 一、真空吸附方式剖析 真空吸附方式长期以来在晶圆测量领域占据主导地位。它借助布满吸盘表面的微小气孔,通过抽真空操作,使晶圆底面与吸盘紧密贴合。从稳定性角度来看,这种方式表现卓越,强大且均匀的吸附力能够有效抵御外界轻微震
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2025-01-20 15:10:22
通过电光晶体的电光效应,实现白光干涉中的电光调制相移原理
通过电光晶体的电光效应,实现白光干涉中的电光调制相移原理,是一个基于物理光学和电光学原理的高级测量技术。以下是对这一原理的详细解释: 一、电光效应与电光晶体 电光效应是指某些材料(主要是晶体)在外加电场的作用下,其折射率会发生变化的现象。这种效应是电光调制的基础。电光晶体是具有显著电光效应的材料,它们在外加电场的作用下,能够改变光的传播特性,如相位、振幅和偏振态。 二、电光调制原理 电光调制是利用电光效应,通过改变外加电场来控制光信号的相位、振幅或偏振态的过程。在白光干涉测量中,电光调制器通常用
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2025-01-20 11:10:27
测量探头的 “温漂” 问题,对于氮化镓衬底厚度测量的实际影响
在半导体制造这一微观且精密的领域里,氮化镓(GaN)衬底作为高端芯片的关键基石,正支撑着光电器件、功率器件等众多前沿应用蓬勃发展。然而,氮化镓衬底厚度测量的准确性却常常受到一个隐匿 “敌手” 的威胁 —— 测量探头的 “温漂” 问题。这一看似细微的现象,实则对氮化镓衬底厚度测量产生着诸多深远且实际的影响,关乎整个半导体制造工艺的成败。 一、“温漂” 现象的内在成因 测量探头的 “温漂”,本质上源于温度变化引发探头自身物理特性的改变,进而导致测量误差。一方面,环境温度波动是 “温漂” 的重要导火索
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2025-01-17 14:56:41
通过声光介质的声光效应,实现白光干涉中的声光调制相移原理
通过声光介质的声光效应,实现白光干涉中的声光调制相移原理,是一个涉及光学和声学交叉领域的技术。以下是对这一原理的详细解释: 一、声光效应与声光调制 声光效应是指超声波在介质中传播时,会引起介质折射率的周期性变化,这种变化可以看作是一个动态的光栅。当光波通过这个动态光栅时,会发生衍射现象,衍射光的强度、频率和方向都会随着超声波场的变化而变化。声光调制则是利用这种声光效应,将信息加载到光波上的一种物理过程。 二、声光调制器与白光干涉 声光调制器是实现声光调制的关键元件,它由声光介质和压电换能器构成。
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2025-01-17 10:24:27
不同的氮化镓衬底的吸附方案,对测量氮化镓衬底 BOW/WARP 的影响
在当今高速发展的半导体产业浪潮中,氮化镓(GaN)衬底宛如一颗耀眼的新星,凭借其卓越的电学与光学性能,在众多高端芯片制造领域,尤其是光电器件、功率器件等方向,开拓出广阔的应用天地。然而,要想充分发挥氮化镓衬底的优势,确保其 BOW(弯曲度)和 WARP(翘曲度)的精准测量至关重要,因为这直接关联到后续芯片制造工艺的良率与性能表现。不同的吸附方案恰似一双双各异的 “巧手”,在测量氮化镓衬底 BOW/WARP 的过程中,施展着截然不同的 “操控魔法”,深刻影响着最终测量结果的精度与可靠性。 一、大面
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2025-01-16 14:55:07
氮化镓衬底的环吸方案相比其他吸附方案,对于测量氮化镓衬底 BOW/WARP 的影响
在半导体领域的璀璨星河中,氮化镓(GaN)衬底正凭借其优异的性能,如高电子迁移率、宽禁带等特性,在光电器件、功率器件等诸多应用场景中崭露头角,成为推动行业发展的关键力量。而对于氮化镓衬底而言,其 BOW(弯曲度)和 WARP(翘曲度)的精确测量是保障后续芯片制造工艺精准实施的重要前提,不同的吸附方案在这一测量环节中扮演着截然不同的角色,其中环吸方案更是以独特优势与其他方案形成鲜明对比,对测量结果产生着深远影响。 一、常见吸附方案解析 传统用于氮化镓衬底的吸附方案主要有大面积平板吸附和多点接触吸附
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2025-01-16 09:50:43
通过改变光的偏振态,从而实现白光干涉中的光学相移原理
通过改变光的偏振态,从而实现白光干涉中的光学相移原理,是一个涉及光学原理和技术的复杂过程。以下是对这一过程的详细解释: 一、光的偏振态与白光干涉 光的偏振是指光波在传播过程中,光矢量的方向和大小有规则变化的现象。白光干涉则是利用光的波动性,使两束或多束相干光波在空间某点相遇并产生明暗相间的干涉条纹。这些干涉条纹的形成取决于光波的相位差,而相位差则与光波经过的光程差和偏振状态有关。 二、偏振态的改变与光学相移 在白光干涉测量中,通过改变光的偏振态,可以实现对光波的相位调制,从而改变干涉条纹的位置和
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2025-01-15 15:30:24
基于光偏振与光学调制实现白光干涉相移
基于光的偏振特性和一些光学元件对光的调制作用,实现白光干涉中的光学相移原理是一个复杂而精细的过程。以下是对这一原理的详细解释: 一、光的偏振特性 光的偏振是指光波在传播过程中,光矢量的方向和大小有规则变化的现象。圆偏振光的电场矢量在平面内沿着一个圆形轨迹振动,可以分为左旋圆偏振光和右旋圆偏振光。而线偏振光则是光波在某一固定方向上的振动占优势的光。光的偏振状态可以通过偏振片进行调节,偏振片是一种具有偏振特性的材料,它可以选择性地透过或抑制特定方向上的光波。 二、光学元件对光的调制作用 在白光干涉测
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2025-01-15 10:03:50
测量探头的 “温漂” 问题,都是怎么产生的,以及对于碳化硅衬底厚度测量的影响
在半导体制造这一高精尖领域,碳化硅衬底作为支撑新一代芯片性能飞跃的关键基础材料,其厚度测量的准确性如同精密机械运转的核心齿轮,容不得丝毫差错。然而,测量探头的 “温漂” 问题却如隐匿在暗处的 “幽灵”,悄然干扰着测量进程,深刻影响着碳化硅衬底厚度测量的精度与可靠性。探究 “温漂” 的产生根源以及剖析其带来的全方位影响,对于半导体产业的稳健发展至关重要。 一、“温漂” 现象的滋生源头 1.环境温度的波动干扰 半导体制造车间宛如一个庞大且复杂的热动力学系统,诸多因素交织促使车间温度处于持续变化状态。
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2025-01-14 15:11:56
测量探头的 “温漂” 问题,对于碳化硅衬底厚度测量的实际影响
在半导体制造的微观世界里,碳化硅衬底作为新一代芯片的关键基石,其厚度测量的精准性如同精密建筑的根基,不容有丝毫偏差。然而,测量探头的 “温漂” 问题却如同一股暗流,悄然冲击着这一精准测量的防线,给碳化硅衬底厚度测量带来诸多实际且棘手的影响。 一、“温漂” 现象的内在根源 测量探头的 “温漂”,本质上是由于温度因素致使探头自身物理特性发生改变,进而引发测量误差的现象。一方面,环境温度的波动是 “温漂” 的重要诱因。半导体制造车间宛如一个复杂的热生态系统,大量设备持续运行散发的热量、通风与空调系统的
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2025-01-14 10:54:07
不同的碳化硅衬底的吸附方案,对测量碳化硅衬底 BOW/WARP 的影响
在当今蓬勃发展的半导体产业中,碳化硅(SiC)衬底作为关键基础材料,正引领着高性能芯片制造迈向新的台阶。对于碳化硅衬底而言,其 BOW(弯曲度)和 WARP(翘曲度)参数犹如精密天平上的砝码,细微的偏差都可能让后续芯片制造工艺失衡,而不同的吸附方案则像是操控这一精密测量天平的无形之手,深刻影响着测量结果的精准度。 一、传统大面积真空吸附方案 大面积真空吸附长期以来在碳化硅衬底测量领域占据一席之地。它依托布满吸盘表面的微小气孔,在抽真空后,如同施展了强大的 “吸力魔法”,让衬底整个底面与吸盘紧密相
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碳化硅衬底的环吸方案相比其他吸附方案,对于测量碳化硅衬底 BOW/WARP 的影响
在半导体领域,随着碳化硅(SiC)材料因其卓越的电学性能、高热导率等优势逐渐崭露头角,成为新一代功率器件、射频器件等制造的热门衬底选择,对碳化硅衬底质量的精准把控愈发关键。其中,碳化硅衬底的 BOW(弯曲度)和 WARP(翘曲度)测量精度直接影响后续芯片加工工艺的良率与性能,而不同的吸附方案在这一测量过程中扮演着举足轻重的角色,环吸方案更是以其独特性与其他吸附方案形成鲜明对比,对测量结果产生着显著影响。 一、常见吸附方案剖析 传统用于碳化硅衬底的吸附方案包括大面积真空吸附和多点机械夹持吸附。大面
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测量探头的 “温漂” 问题,都是怎么产生的,以及对于晶圆厚度测量的影响
在半导体芯片制造的微观世界里,精度就是生命线,晶圆厚度测量的精准程度直接关联着最终产品的性能优劣。而测量探头的 “温漂” 问题,宛如精密时钟里的一粒微尘,虽小却能搅乱整个测量体系的精准节奏。深入探究其产生根源以及带来的连锁影响,对于半导体产业的高质量发展至关重要。 一、“温漂” 问题的产生缘由 1.环境温度波动 半导体制造车间是一个复杂的热环境生态。一方面,大量设备持续运行散发可观热量,如光刻机、刻蚀机等核心装备,它们在长时间高强度工作过程中,犹如一个个 “小火炉”,让车间局部温度不断攀升。另一
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2025-01-10 16:12:35
测量探头的 “温漂” 问题,对于晶圆厚度测量的实际影响
一、“温漂” 现象的本质剖析 测量探头的 “温漂”,指的是由于环境温度变化或探头自身在工作过程中的发热,导致探头的物理特性发生改变,进而使其测量精度出现偏差的现象。从原理上看,多数测量探头基于电学或光学原理工作,例如电学探头利用电信号的变化反映测量目标的参数,而温度的波动会影响电子元件的导电性、电容值等关键性能指标;光学探头的光路系统受温度影响,玻璃镜片的折射率、光学元件的热膨胀等因素都会使光线传播路径与预期产生偏差。这些细微变化累积起来,在对精度要求极高的晶圆厚度测量场景中,足以引发显著误差。
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2025-01-10 11:27:27
不同的真空吸附方式,对测量晶圆 BOW 的影响
在半导体产业蓬勃发展的当下,晶圆作为芯片制造的基础材料,其质量把控贯穿整个生产流程。其中,晶圆的 BOW(弯曲度)测量精度对于确保后续工艺的顺利进行以及芯片性能的稳定性起着举足轻重的作用。而不同的真空吸附方式,作为晶圆测量环节中的关键支撑技术,对 BOW 测量结果有着千差万别的影响。 一、全表面真空吸附方式 全表面真空吸附是最为传统且应用广泛的一种方式。其原理是利用均匀分布在吸盘表面的微小气孔,通过抽真空,使晶圆整个底面与吸盘紧密贴合。从稳定性角度来看,这种吸附方式无疑具有显著优势。在测量过程中
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2025-01-21 09:55:53
特氟龙夹具的晶圆夹持方式,相比真空吸附方式,对测量晶圆 BOW 的影响
在半导体制造领域,晶圆作为芯片的基础母材,其质量把控的关键环节之一便是对 BOW(弯曲度)的精确测量。而在测量过程中,特氟龙夹具的晶圆夹持方式与传统的真空吸附方式有着截然不同的特性,这些差异深刻影响着晶圆 BOW 的测量精度与可靠性,对整个半导体工艺链的稳定性起着不可忽视的作用。 一、真空吸附方式剖析 真空吸附方式长期以来在晶圆测量领域占据主导地位。它借助布满吸盘表面的微小气孔,通过抽真空操作,使晶圆底面与吸盘紧密贴合。从稳定性角度来看,这种方式表现卓越,强大且均匀的吸附力能够有效抵御外界轻微震
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通过电光晶体的电光效应,实现白光干涉中的电光调制相移原理
通过电光晶体的电光效应,实现白光干涉中的电光调制相移原理,是一个基于物理光学和电光学原理的高级测量技术。以下是对这一原理的详细解释: 一、电光效应与电光晶体 电光效应是指某些材料(主要是晶体)在外加电场的作用下,其折射率会发生变化的现象。这种效应是电光调制的基础。电光晶体是具有显著电光效应的材料,它们在外加电场的作用下,能够改变光的传播特性,如相位、振幅和偏振态。 二、电光调制原理 电光调制是利用电光效应,通过改变外加电场来控制光信号的相位、振幅或偏振态的过程。在白光干涉测量中,电光调制器通常用
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测量探头的 “温漂” 问题,对于氮化镓衬底厚度测量的实际影响
在半导体制造这一微观且精密的领域里,氮化镓(GaN)衬底作为高端芯片的关键基石,正支撑着光电器件、功率器件等众多前沿应用蓬勃发展。然而,氮化镓衬底厚度测量的准确性却常常受到一个隐匿 “敌手” 的威胁 —— 测量探头的 “温漂” 问题。这一看似细微的现象,实则对氮化镓衬底厚度测量产生着诸多深远且实际的影响,关乎整个半导体制造工艺的成败。 一、“温漂” 现象的内在成因 测量探头的 “温漂”,本质上源于温度变化引发探头自身物理特性的改变,进而导致测量误差。一方面,环境温度波动是 “温漂” 的重要导火索
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通过声光介质的声光效应,实现白光干涉中的声光调制相移原理
通过声光介质的声光效应,实现白光干涉中的声光调制相移原理,是一个涉及光学和声学交叉领域的技术。以下是对这一原理的详细解释: 一、声光效应与声光调制 声光效应是指超声波在介质中传播时,会引起介质折射率的周期性变化,这种变化可以看作是一个动态的光栅。当光波通过这个动态光栅时,会发生衍射现象,衍射光的强度、频率和方向都会随着超声波场的变化而变化。声光调制则是利用这种声光效应,将信息加载到光波上的一种物理过程。 二、声光调制器与白光干涉 声光调制器是实现声光调制的关键元件,它由声光介质和压电换能器构成。
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2025-01-17 10:24:27
不同的氮化镓衬底的吸附方案,对测量氮化镓衬底 BOW/WARP 的影响
在当今高速发展的半导体产业浪潮中,氮化镓(GaN)衬底宛如一颗耀眼的新星,凭借其卓越的电学与光学性能,在众多高端芯片制造领域,尤其是光电器件、功率器件等方向,开拓出广阔的应用天地。然而,要想充分发挥氮化镓衬底的优势,确保其 BOW(弯曲度)和 WARP(翘曲度)的精准测量至关重要,因为这直接关联到后续芯片制造工艺的良率与性能表现。不同的吸附方案恰似一双双各异的 “巧手”,在测量氮化镓衬底 BOW/WARP 的过程中,施展着截然不同的 “操控魔法”,深刻影响着最终测量结果的精度与可靠性。 一、大面
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氮化镓衬底的环吸方案相比其他吸附方案,对于测量氮化镓衬底 BOW/WARP 的影响
在半导体领域的璀璨星河中,氮化镓(GaN)衬底正凭借其优异的性能,如高电子迁移率、宽禁带等特性,在光电器件、功率器件等诸多应用场景中崭露头角,成为推动行业发展的关键力量。而对于氮化镓衬底而言,其 BOW(弯曲度)和 WARP(翘曲度)的精确测量是保障后续芯片制造工艺精准实施的重要前提,不同的吸附方案在这一测量环节中扮演着截然不同的角色,其中环吸方案更是以独特优势与其他方案形成鲜明对比,对测量结果产生着深远影响。 一、常见吸附方案解析 传统用于氮化镓衬底的吸附方案主要有大面积平板吸附和多点接触吸附
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通过改变光的偏振态,从而实现白光干涉中的光学相移原理
通过改变光的偏振态,从而实现白光干涉中的光学相移原理,是一个涉及光学原理和技术的复杂过程。以下是对这一过程的详细解释: 一、光的偏振态与白光干涉 光的偏振是指光波在传播过程中,光矢量的方向和大小有规则变化的现象。白光干涉则是利用光的波动性,使两束或多束相干光波在空间某点相遇并产生明暗相间的干涉条纹。这些干涉条纹的形成取决于光波的相位差,而相位差则与光波经过的光程差和偏振状态有关。 二、偏振态的改变与光学相移 在白光干涉测量中,通过改变光的偏振态,可以实现对光波的相位调制,从而改变干涉条纹的位置和
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基于光偏振与光学调制实现白光干涉相移
基于光的偏振特性和一些光学元件对光的调制作用,实现白光干涉中的光学相移原理是一个复杂而精细的过程。以下是对这一原理的详细解释: 一、光的偏振特性 光的偏振是指光波在传播过程中,光矢量的方向和大小有规则变化的现象。圆偏振光的电场矢量在平面内沿着一个圆形轨迹振动,可以分为左旋圆偏振光和右旋圆偏振光。而线偏振光则是光波在某一固定方向上的振动占优势的光。光的偏振状态可以通过偏振片进行调节,偏振片是一种具有偏振特性的材料,它可以选择性地透过或抑制特定方向上的光波。 二、光学元件对光的调制作用 在白光干涉测
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测量探头的 “温漂” 问题,都是怎么产生的,以及对于碳化硅衬底厚度测量的影响
在半导体制造这一高精尖领域,碳化硅衬底作为支撑新一代芯片性能飞跃的关键基础材料,其厚度测量的准确性如同精密机械运转的核心齿轮,容不得丝毫差错。然而,测量探头的 “温漂” 问题却如隐匿在暗处的 “幽灵”,悄然干扰着测量进程,深刻影响着碳化硅衬底厚度测量的精度与可靠性。探究 “温漂” 的产生根源以及剖析其带来的全方位影响,对于半导体产业的稳健发展至关重要。 一、“温漂” 现象的滋生源头 1.环境温度的波动干扰 半导体制造车间宛如一个庞大且复杂的热动力学系统,诸多因素交织促使车间温度处于持续变化状态。
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测量探头的 “温漂” 问题,对于碳化硅衬底厚度测量的实际影响
在半导体制造的微观世界里,碳化硅衬底作为新一代芯片的关键基石,其厚度测量的精准性如同精密建筑的根基,不容有丝毫偏差。然而,测量探头的 “温漂” 问题却如同一股暗流,悄然冲击着这一精准测量的防线,给碳化硅衬底厚度测量带来诸多实际且棘手的影响。 一、“温漂” 现象的内在根源 测量探头的 “温漂”,本质上是由于温度因素致使探头自身物理特性发生改变,进而引发测量误差的现象。一方面,环境温度的波动是 “温漂” 的重要诱因。半导体制造车间宛如一个复杂的热生态系统,大量设备持续运行散发的热量、通风与空调系统的
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不同的碳化硅衬底的吸附方案,对测量碳化硅衬底 BOW/WARP 的影响
在当今蓬勃发展的半导体产业中,碳化硅(SiC)衬底作为关键基础材料,正引领着高性能芯片制造迈向新的台阶。对于碳化硅衬底而言,其 BOW(弯曲度)和 WARP(翘曲度)参数犹如精密天平上的砝码,细微的偏差都可能让后续芯片制造工艺失衡,而不同的吸附方案则像是操控这一精密测量天平的无形之手,深刻影响着测量结果的精准度。 一、传统大面积真空吸附方案 大面积真空吸附长期以来在碳化硅衬底测量领域占据一席之地。它依托布满吸盘表面的微小气孔,在抽真空后,如同施展了强大的 “吸力魔法”,让衬底整个底面与吸盘紧密相
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碳化硅衬底的环吸方案相比其他吸附方案,对于测量碳化硅衬底 BOW/WARP 的影响
在半导体领域,随着碳化硅(SiC)材料因其卓越的电学性能、高热导率等优势逐渐崭露头角,成为新一代功率器件、射频器件等制造的热门衬底选择,对碳化硅衬底质量的精准把控愈发关键。其中,碳化硅衬底的 BOW(弯曲度)和 WARP(翘曲度)测量精度直接影响后续芯片加工工艺的良率与性能,而不同的吸附方案在这一测量过程中扮演着举足轻重的角色,环吸方案更是以其独特性与其他吸附方案形成鲜明对比,对测量结果产生着显著影响。 一、常见吸附方案剖析 传统用于碳化硅衬底的吸附方案包括大面积真空吸附和多点机械夹持吸附。大面
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测量探头的 “温漂” 问题,都是怎么产生的,以及对于晶圆厚度测量的影响
在半导体芯片制造的微观世界里,精度就是生命线,晶圆厚度测量的精准程度直接关联着最终产品的性能优劣。而测量探头的 “温漂” 问题,宛如精密时钟里的一粒微尘,虽小却能搅乱整个测量体系的精准节奏。深入探究其产生根源以及带来的连锁影响,对于半导体产业的高质量发展至关重要。 一、“温漂” 问题的产生缘由 1.环境温度波动 半导体制造车间是一个复杂的热环境生态。一方面,大量设备持续运行散发可观热量,如光刻机、刻蚀机等核心装备,它们在长时间高强度工作过程中,犹如一个个 “小火炉”,让车间局部温度不断攀升。另一
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测量探头的 “温漂” 问题,对于晶圆厚度测量的实际影响
一、“温漂” 现象的本质剖析 测量探头的 “温漂”,指的是由于环境温度变化或探头自身在工作过程中的发热,导致探头的物理特性发生改变,进而使其测量精度出现偏差的现象。从原理上看,多数测量探头基于电学或光学原理工作,例如电学探头利用电信号的变化反映测量目标的参数,而温度的波动会影响电子元件的导电性、电容值等关键性能指标;光学探头的光路系统受温度影响,玻璃镜片的折射率、光学元件的热膨胀等因素都会使光线传播路径与预期产生偏差。这些细微变化累积起来,在对精度要求极高的晶圆厚度测量场景中,足以引发显著误差。
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不同的真空吸附方式,对测量晶圆 BOW 的影响
在半导体产业蓬勃发展的当下,晶圆作为芯片制造的基础材料,其质量把控贯穿整个生产流程。其中,晶圆的 BOW(弯曲度)测量精度对于确保后续工艺的顺利进行以及芯片性能的稳定性起着举足轻重的作用。而不同的真空吸附方式,作为晶圆测量环节中的关键支撑技术,对 BOW 测量结果有着千差万别的影响。 一、全表面真空吸附方式 全表面真空吸附是最为传统且应用广泛的一种方式。其原理是利用均匀分布在吸盘表面的微小气孔,通过抽真空,使晶圆整个底面与吸盘紧密贴合。从稳定性角度来看,这种吸附方式无疑具有显著优势。在测量过程中
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特氟龙夹具的晶圆夹持方式,相比真空吸附方式,对测量晶圆 BOW 的影响
在半导体制造领域,晶圆作为芯片的基础母材,其质量把控的关键环节之一便是对 BOW(弯曲度)的精确测量。而在测量过程中,特氟龙夹具的晶圆夹持方式与传统的真空吸附方式有着截然不同的特性,这些差异深刻影响着晶圆 BOW 的测量精度与可靠性,对整个半导体工艺链的稳定性起着不可忽视的作用。 一、真空吸附方式剖析 真空吸附方式长期以来在晶圆测量领域占据主导地位。它借助布满吸盘表面的微小气孔,通过抽真空操作,使晶圆底面与吸盘紧密贴合。从稳定性角度来看,这种方式表现卓越,强大且均匀的吸附力能够有效抵御外界轻微震
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通过电光晶体的电光效应,实现白光干涉中的电光调制相移原理
通过电光晶体的电光效应,实现白光干涉中的电光调制相移原理,是一个基于物理光学和电光学原理的高级测量技术。以下是对这一原理的详细解释: 一、电光效应与电光晶体 电光效应是指某些材料(主要是晶体)在外加电场的作用下,其折射率会发生变化的现象。这种效应是电光调制的基础。电光晶体是具有显著电光效应的材料,它们在外加电场的作用下,能够改变光的传播特性,如相位、振幅和偏振态。 二、电光调制原理 电光调制是利用电光效应,通过改变外加电场来控制光信号的相位、振幅或偏振态的过程。在白光干涉测量中,电光调制器通常用
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2025-01-20 11:10:27
测量探头的 “温漂” 问题,对于氮化镓衬底厚度测量的实际影响
在半导体制造这一微观且精密的领域里,氮化镓(GaN)衬底作为高端芯片的关键基石,正支撑着光电器件、功率器件等众多前沿应用蓬勃发展。然而,氮化镓衬底厚度测量的准确性却常常受到一个隐匿 “敌手” 的威胁 —— 测量探头的 “温漂” 问题。这一看似细微的现象,实则对氮化镓衬底厚度测量产生着诸多深远且实际的影响,关乎整个半导体制造工艺的成败。 一、“温漂” 现象的内在成因 测量探头的 “温漂”,本质上源于温度变化引发探头自身物理特性的改变,进而导致测量误差。一方面,环境温度波动是 “温漂” 的重要导火索
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2025-01-17 14:56:41
通过声光介质的声光效应,实现白光干涉中的声光调制相移原理
通过声光介质的声光效应,实现白光干涉中的声光调制相移原理,是一个涉及光学和声学交叉领域的技术。以下是对这一原理的详细解释: 一、声光效应与声光调制 声光效应是指超声波在介质中传播时,会引起介质折射率的周期性变化,这种变化可以看作是一个动态的光栅。当光波通过这个动态光栅时,会发生衍射现象,衍射光的强度、频率和方向都会随着超声波场的变化而变化。声光调制则是利用这种声光效应,将信息加载到光波上的一种物理过程。 二、声光调制器与白光干涉 声光调制器是实现声光调制的关键元件,它由声光介质和压电换能器构成。
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2025-01-17 10:24:27
不同的氮化镓衬底的吸附方案,对测量氮化镓衬底 BOW/WARP 的影响
在当今高速发展的半导体产业浪潮中,氮化镓(GaN)衬底宛如一颗耀眼的新星,凭借其卓越的电学与光学性能,在众多高端芯片制造领域,尤其是光电器件、功率器件等方向,开拓出广阔的应用天地。然而,要想充分发挥氮化镓衬底的优势,确保其 BOW(弯曲度)和 WARP(翘曲度)的精准测量至关重要,因为这直接关联到后续芯片制造工艺的良率与性能表现。不同的吸附方案恰似一双双各异的 “巧手”,在测量氮化镓衬底 BOW/WARP 的过程中,施展着截然不同的 “操控魔法”,深刻影响着最终测量结果的精度与可靠性。 一、大面
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2025-01-16 14:55:07
氮化镓衬底的环吸方案相比其他吸附方案,对于测量氮化镓衬底 BOW/WARP 的影响
在半导体领域的璀璨星河中,氮化镓(GaN)衬底正凭借其优异的性能,如高电子迁移率、宽禁带等特性,在光电器件、功率器件等诸多应用场景中崭露头角,成为推动行业发展的关键力量。而对于氮化镓衬底而言,其 BOW(弯曲度)和 WARP(翘曲度)的精确测量是保障后续芯片制造工艺精准实施的重要前提,不同的吸附方案在这一测量环节中扮演着截然不同的角色,其中环吸方案更是以独特优势与其他方案形成鲜明对比,对测量结果产生着深远影响。 一、常见吸附方案解析 传统用于氮化镓衬底的吸附方案主要有大面积平板吸附和多点接触吸附
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2025-01-16 09:50:43
通过改变光的偏振态,从而实现白光干涉中的光学相移原理
通过改变光的偏振态,从而实现白光干涉中的光学相移原理,是一个涉及光学原理和技术的复杂过程。以下是对这一过程的详细解释: 一、光的偏振态与白光干涉 光的偏振是指光波在传播过程中,光矢量的方向和大小有规则变化的现象。白光干涉则是利用光的波动性,使两束或多束相干光波在空间某点相遇并产生明暗相间的干涉条纹。这些干涉条纹的形成取决于光波的相位差,而相位差则与光波经过的光程差和偏振状态有关。 二、偏振态的改变与光学相移 在白光干涉测量中,通过改变光的偏振态,可以实现对光波的相位调制,从而改变干涉条纹的位置和
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2025-01-15 15:30:24
基于光偏振与光学调制实现白光干涉相移
基于光的偏振特性和一些光学元件对光的调制作用,实现白光干涉中的光学相移原理是一个复杂而精细的过程。以下是对这一原理的详细解释: 一、光的偏振特性 光的偏振是指光波在传播过程中,光矢量的方向和大小有规则变化的现象。圆偏振光的电场矢量在平面内沿着一个圆形轨迹振动,可以分为左旋圆偏振光和右旋圆偏振光。而线偏振光则是光波在某一固定方向上的振动占优势的光。光的偏振状态可以通过偏振片进行调节,偏振片是一种具有偏振特性的材料,它可以选择性地透过或抑制特定方向上的光波。 二、光学元件对光的调制作用 在白光干涉测
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2025-01-15 10:03:50
测量探头的 “温漂” 问题,都是怎么产生的,以及对于碳化硅衬底厚度测量的影响
在半导体制造这一高精尖领域,碳化硅衬底作为支撑新一代芯片性能飞跃的关键基础材料,其厚度测量的准确性如同精密机械运转的核心齿轮,容不得丝毫差错。然而,测量探头的 “温漂” 问题却如隐匿在暗处的 “幽灵”,悄然干扰着测量进程,深刻影响着碳化硅衬底厚度测量的精度与可靠性。探究 “温漂” 的产生根源以及剖析其带来的全方位影响,对于半导体产业的稳健发展至关重要。 一、“温漂” 现象的滋生源头 1.环境温度的波动干扰 半导体制造车间宛如一个庞大且复杂的热动力学系统,诸多因素交织促使车间温度处于持续变化状态。
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2025-01-14 15:11:56
测量探头的 “温漂” 问题,对于碳化硅衬底厚度测量的实际影响
在半导体制造的微观世界里,碳化硅衬底作为新一代芯片的关键基石,其厚度测量的精准性如同精密建筑的根基,不容有丝毫偏差。然而,测量探头的 “温漂” 问题却如同一股暗流,悄然冲击着这一精准测量的防线,给碳化硅衬底厚度测量带来诸多实际且棘手的影响。 一、“温漂” 现象的内在根源 测量探头的 “温漂”,本质上是由于温度因素致使探头自身物理特性发生改变,进而引发测量误差的现象。一方面,环境温度的波动是 “温漂” 的重要诱因。半导体制造车间宛如一个复杂的热生态系统,大量设备持续运行散发的热量、通风与空调系统的
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2025-01-14 10:54:07
不同的碳化硅衬底的吸附方案,对测量碳化硅衬底 BOW/WARP 的影响
在当今蓬勃发展的半导体产业中,碳化硅(SiC)衬底作为关键基础材料,正引领着高性能芯片制造迈向新的台阶。对于碳化硅衬底而言,其 BOW(弯曲度)和 WARP(翘曲度)参数犹如精密天平上的砝码,细微的偏差都可能让后续芯片制造工艺失衡,而不同的吸附方案则像是操控这一精密测量天平的无形之手,深刻影响着测量结果的精准度。 一、传统大面积真空吸附方案 大面积真空吸附长期以来在碳化硅衬底测量领域占据一席之地。它依托布满吸盘表面的微小气孔,在抽真空后,如同施展了强大的 “吸力魔法”,让衬底整个底面与吸盘紧密相
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2025-01-13 15:25:26
碳化硅衬底的环吸方案相比其他吸附方案,对于测量碳化硅衬底 BOW/WARP 的影响
在半导体领域,随着碳化硅(SiC)材料因其卓越的电学性能、高热导率等优势逐渐崭露头角,成为新一代功率器件、射频器件等制造的热门衬底选择,对碳化硅衬底质量的精准把控愈发关键。其中,碳化硅衬底的 BOW(弯曲度)和 WARP(翘曲度)测量精度直接影响后续芯片加工工艺的良率与性能,而不同的吸附方案在这一测量过程中扮演着举足轻重的角色,环吸方案更是以其独特性与其他吸附方案形成鲜明对比,对测量结果产生着显著影响。 一、常见吸附方案剖析 传统用于碳化硅衬底的吸附方案包括大面积真空吸附和多点机械夹持吸附。大面
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2025-01-13 10:46:16
测量探头的 “温漂” 问题,都是怎么产生的,以及对于晶圆厚度测量的影响
在半导体芯片制造的微观世界里,精度就是生命线,晶圆厚度测量的精准程度直接关联着最终产品的性能优劣。而测量探头的 “温漂” 问题,宛如精密时钟里的一粒微尘,虽小却能搅乱整个测量体系的精准节奏。深入探究其产生根源以及带来的连锁影响,对于半导体产业的高质量发展至关重要。 一、“温漂” 问题的产生缘由 1.环境温度波动 半导体制造车间是一个复杂的热环境生态。一方面,大量设备持续运行散发可观热量,如光刻机、刻蚀机等核心装备,它们在长时间高强度工作过程中,犹如一个个 “小火炉”,让车间局部温度不断攀升。另一
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2025-01-10 16:12:35
测量探头的 “温漂” 问题,对于晶圆厚度测量的实际影响
一、“温漂” 现象的本质剖析 测量探头的 “温漂”,指的是由于环境温度变化或探头自身在工作过程中的发热,导致探头的物理特性发生改变,进而使其测量精度出现偏差的现象。从原理上看,多数测量探头基于电学或光学原理工作,例如电学探头利用电信号的变化反映测量目标的参数,而温度的波动会影响电子元件的导电性、电容值等关键性能指标;光学探头的光路系统受温度影响,玻璃镜片的折射率、光学元件的热膨胀等因素都会使光线传播路径与预期产生偏差。这些细微变化累积起来,在对精度要求极高的晶圆厚度测量场景中,足以引发显著误差。
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2025-01-10 11:27:27
不同的真空吸附方式,对测量晶圆 BOW 的影响
在半导体产业蓬勃发展的当下,晶圆作为芯片制造的基础材料,其质量把控贯穿整个生产流程。其中,晶圆的 BOW(弯曲度)测量精度对于确保后续工艺的顺利进行以及芯片性能的稳定性起着举足轻重的作用。而不同的真空吸附方式,作为晶圆测量环节中的关键支撑技术,对 BOW 测量结果有着千差万别的影响。 一、全表面真空吸附方式 全表面真空吸附是最为传统且应用广泛的一种方式。其原理是利用均匀分布在吸盘表面的微小气孔,通过抽真空,使晶圆整个底面与吸盘紧密贴合。从稳定性角度来看,这种吸附方式无疑具有显著优势。在测量过程中
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