异动
关注
社群
交易计划
产业库
搜公告
搜互动
产业库
时间轴
AI助手
通知
全部已读
暂无数据
私信
暂无数据
登录注册
我的主页
退出
万智光学
这个人很懒,什么都没有留下
个人资料
万智光学
关灯吃面的老司机
2025-01-13 15:25:26
碳化硅衬底的环吸方案相比其他吸附方案,对于测量碳化硅衬底 BOW/WARP 的影响
在半导体领域,随着碳化硅(SiC)材料因其卓越的电学性能、高热导率等优势逐渐崭露头角,成为新一代功率器件、射频器件等制造的热门衬底选择,对碳化硅衬底质量的精准把控愈发关键。其中,碳化硅衬底的 BOW(弯曲度)和 WARP(翘曲度)测量精度直接影响后续芯片加工工艺的良率与性能,而不同的吸附方案在这一测量过程中扮演着举足轻重的角色,环吸方案更是以其独特性与其他吸附方案形成鲜明对比,对测量结果产生着显著影响。 一、常见吸附方案剖析 传统用于碳化硅衬底的吸附方案包括大面积真空吸附和多点机械夹持吸附。大面
0
0
0
0.05
万智光学
关灯吃面的老司机
2025-01-13 10:46:16
测量探头的 “温漂” 问题,都是怎么产生的,以及对于晶圆厚度测量的影响
在半导体芯片制造的微观世界里,精度就是生命线,晶圆厚度测量的精准程度直接关联着最终产品的性能优劣。而测量探头的 “温漂” 问题,宛如精密时钟里的一粒微尘,虽小却能搅乱整个测量体系的精准节奏。深入探究其产生根源以及带来的连锁影响,对于半导体产业的高质量发展至关重要。 一、“温漂” 问题的产生缘由 1.环境温度波动 半导体制造车间是一个复杂的热环境生态。一方面,大量设备持续运行散发可观热量,如光刻机、刻蚀机等核心装备,它们在长时间高强度工作过程中,犹如一个个 “小火炉”,让车间局部温度不断攀升。另一
0
0
0
0.05
万智光学
关灯吃面的老司机
2025-01-10 16:12:35
测量探头的 “温漂” 问题,对于晶圆厚度测量的实际影响
一、“温漂” 现象的本质剖析 测量探头的 “温漂”,指的是由于环境温度变化或探头自身在工作过程中的发热,导致探头的物理特性发生改变,进而使其测量精度出现偏差的现象。从原理上看,多数测量探头基于电学或光学原理工作,例如电学探头利用电信号的变化反映测量目标的参数,而温度的波动会影响电子元件的导电性、电容值等关键性能指标;光学探头的光路系统受温度影响,玻璃镜片的折射率、光学元件的热膨胀等因素都会使光线传播路径与预期产生偏差。这些细微变化累积起来,在对精度要求极高的晶圆厚度测量场景中,足以引发显著误差。
0
0
0
0.03
万智光学
关灯吃面的老司机
2025-01-10 11:27:27
不同的真空吸附方式,对测量晶圆 BOW 的影响
在半导体产业蓬勃发展的当下,晶圆作为芯片制造的基础材料,其质量把控贯穿整个生产流程。其中,晶圆的 BOW(弯曲度)测量精度对于确保后续工艺的顺利进行以及芯片性能的稳定性起着举足轻重的作用。而不同的真空吸附方式,作为晶圆测量环节中的关键支撑技术,对 BOW 测量结果有着千差万别的影响。 一、全表面真空吸附方式 全表面真空吸附是最为传统且应用广泛的一种方式。其原理是利用均匀分布在吸盘表面的微小气孔,通过抽真空,使晶圆整个底面与吸盘紧密贴合。从稳定性角度来看,这种吸附方式无疑具有显著优势。在测量过程中
0
0
0
0.03
万智光学
关灯吃面的老司机
2025-01-09 17:11:05
晶圆的环吸方案相比其他吸附方案,对于测量晶圆 BOW/WARP 的影响
在半导体制造领域,晶圆的加工精度和质量控制至关重要,其中对晶圆 BOW(弯曲度)和 WARP(翘曲度)的精确测量更是关键环节。不同的吸附方案被应用于晶圆测量过程中,而晶圆的环吸方案因其独特设计,与传统或其他吸附方案相比,对 BOW/WARP 测量有着显著且复杂的影响。 一、常见吸附方案概述 传统的吸附方案包括全表面吸附、边缘点吸附等。全表面吸附利用真空将晶圆整个底面紧密贴合在吸盘上,能提供稳定的吸附力,确保晶圆在测量时位置固定,但这种方式对晶圆施加的压力较为均匀且大面积分布,可能掩盖晶圆自身的微
0
0
0
0.03
万智光学
关灯吃面的老司机
2025-01-09 11:01:13
反射镜的移动,实现白光干涉中的机械相移原理
在白光干涉测量中,通过反射镜的移动来实现机械相移原理是一种常见且有效的方法。以下是对这一原理的详细解释: 一、基本原理 白光干涉测量技术基于光的波动性和相干性原理。当两束相干光波在空间某点相遇时,它们会产生干涉现象,形成明暗相间的干涉条纹。这些干涉条纹的形成取决于两束光的相位差,而相位差则与它们经过的光程差紧密相关。 在白光干涉仪中,光源发出的光经过扩束准直后,通过分光棱镜被分成两束相干光:一束作为参考光,经过固定的光路到达干涉仪的接收屏;另一束作为待测光,经过反射镜后被反射,再与参考光相遇产生
0
0
0
0.03
万智光学
关灯吃面的老司机
2025-01-08 16:51:37
用于半导体外延片生长的CVD石墨托盘结构
一、引言 在半导体制造业中,外延生长技术扮演着至关重要的角色。化学气相沉积(CVD)作为一种主流的外延生长方法,被广泛应用于制备高质量的外延片。而在CVD外延生长过程中,石墨托盘作为承载和支撑半导体衬底的关键组件,其结构和性能对外延片的质量具有决定性影响。本文将详细介绍一种用于半导体外延片生长的CVD石墨托盘结构,探讨其设计特点、工作原理及在半导体制造中的应用优势。 二、结构特点 该CVD石墨托盘结构主要由石墨管、石英管、上层托盘、下层托盘以及电机等部分组成。具体结构特点如下: 石墨管与石英管
0
0
0
0.04
万智光学
关灯吃面的老司机
2025-01-08 11:15:24
通过样品台的移动,实现白光干涉中的机械相移原理
在白光干涉测量技术中,通过样品台的移动来实现机械相移原理是一种常用的且高精度的方法。这种方法基于光的波动性和相干性,通过改变样品台的位置,即改变待测光线与参考光线之间的光程差,来实现相位调制,从而获取待测物体的精确信息。 一、基本原理 在白光干涉仪中,光源发出的光经过扩束准直后,通过分光棱镜被分成两束相干光:一束作为参考光,经过固定的光路到达干涉仪的接收屏;另一束作为待测光,经过样品台后被反射或透射,再与参考光相遇产生干涉现象。干涉条纹的形成取决于两束光的相位差,而相位差则与它们经过的光程差有关
0
0
0
0.04
万智光学
关灯吃面的老司机
2025-01-07 16:40:05
钟罩式热壁碳化硅高温外延片生长装置
高效生长 射频加热器具有加热速度快、温度均匀性好等优点,能够迅速将石墨托盘及其上的SiC衬底加热至所需的生长温度,提高生长效率。射频加热器是提供生长所需高温环境的关键部件。通过射频电流的激励,射频加热器产生强烈的电磁场,使石墨托盘及其上的SiC衬底迅速升温至所需的生长温度。射频加热器具有加热速度快、温度均匀性好等优点。一、引言 随着半导体技术的飞速发展,碳化硅(SiC)作为一种具有优异物理和化学性质的材料,在电力电子、微波器件、高温传感器等领域展现出巨大的应用潜力。高质量、大面积的SiC外延片是
0
0
0
0.04
万智光学
关灯吃面的老司机
2025-01-07 11:19:34
光学元件的插入与移除,实现白光干涉中的机械相移原理
在白光干涉测量中,通过光学元件的插入与移除来实现机械相移原理是一种独特而有效的方法。这种方法的核心在于利用光学元件(如透镜、反射镜、棱镜等)对光路的改变,从而实现对相位差的调制。以下是对这一原理的详细解释: 一、基本原理 白光干涉测量基于光的干涉原理,即当两束相干光波在空间某点相遇时,它们会产生干涉现象,形成明暗相间的干涉条纹。干涉条纹的形成取决于两束光的相位差,而相位差则与它们经过的光程差有关。通过改变光程差,可以实现相位调制,进而获取待测物体的相关信息。 在机械相移的实现中,光学元件的插入与
0
0
1
0.04
万智光学
关灯吃面的老司机
2025-01-06 15:58:26
减少减薄碳化硅纹路的方法
碳化硅(SiC)作为一种高性能半导体材料,因其出色的热稳定性、高硬度和高电子迁移率,在电力电子、微电子、光电子等领域得到了广泛应用。在SiC器件的制造过程中,碳化硅片的减薄是一个重要环节,它可以提高器件的散热性能,并有助于降低制造成本。然而,在减薄过程中,碳化硅表面往往会出现纹路,这些纹路不仅影响器件的外观质量,还可能对器件的电学性能和可靠性产生不利影响。因此,如何减少减薄碳化硅纹路成为了一个亟待解决的问题。 二、现有减薄方法及纹路产生原因 目前,碳化硅片的减薄主要通过机械研磨、化学机械抛光(C
0
0
0
0.04
万智光学
关灯吃面的老司机
2025-01-06 11:12:12
白光干涉中,通过样品台的移动,实现机械相移技术
一、基本原理 在白光干涉仪中,光源发出的光经过扩束准直后,通过分光棱镜被分成两束相干光:一束作为参考光,经过固定的光路到达干涉仪的接收屏;另一束作为待测光,经过样品台后被反射或透射,再与参考光相遇产生干涉现象。干涉条纹的形成取决于两束光的相位差,而相位差则与它们经过的光程差有关。 通过移动样品台,可以改变待测光线经过的路径长度,从而改变光程差和相位差。这种相位调制会导致干涉条纹的移动或变化,通过测量干涉条纹的变化量,可以计算出相位差,进而得到待测物体的相关信息。 二、实现方式 样品台的设计: 样
0
0
0
0.04
万智光学
关灯吃面的老司机
2025-01-03 15:52:12
高温大面积碳化硅外延生长装置及处理方法
关闭密闭工作室的进样门和备用门,打开真空泵进行抽真空作业,使反应腔室达到预定的真空度。这一步骤可以排除反应腔室内的空气和杂质,为后续的外延生长创造有利的条件。 加热 托盘系统 托盘系统用于承载SiC衬底,并可以方便地放入和取出反应腔室。托盘系统包括方形托盘和旋转托盘,方形托盘上设有托盘槽,可以放置多个旋转托盘。旋转托盘上则设有旋转托盘槽,用于放置SiC衬底。这种设计不仅提高了外延生长的均匀性,还方便了样品的取放和更换。 处理方法 高温大面积碳化硅外延生长装置的处理方法主要包括以下几个步骤: 放置
0
0
0
0.04
万智光学
关灯吃面的老司机
2025-01-03 10:02:16
白光干涉的技术演变过程
一、初步应用阶段 在20世纪五六十年代,国内外相继出现了一些应用型白光干涉仪。这些干涉仪主要采用人工操作、读数、计算和测量评定某个参数,效率相对较低。这一时期的白光干涉技术主要应用于简单的表面形貌测量和厚度测量等领域。 二、智能化与自动化发展阶段 随着电子及计算机技术的飞速发展,白光干涉仪开始朝智能化与自动化方向发展。 1980年:基于相移技术测量原理的白光干涉自动表面三维形貌测量系统被提出。这一时期,白光干涉技术开始实现自动化测量,提高了测量效率和精度。 1990年:出现了用Mirau干涉显微
0
0
0
0.04
万智光学
关灯吃面的老司机
2025-01-02 17:18:09
检测碳化硅外延晶片表面痕量金属的方法
溶液收集 使用微移液器将反应后的溶液收集到洁净的样品瓶中,用于后续的ICP-MS检测。注意在收集过程中避免任何可能的金属污染。 碳化硅(SiC)作为新一代半导体材料,因其出色的物理和化学性质,在电力电子、微波器件、高温传感器等领域展现出巨大的应用潜力。然而,SiC外延晶片在生产过程中可能会引入微量的金属杂质,这些杂质对器件的性能和可靠性有着至关重要的影响。因此,开发高效、准确的检测方法以监控SiC外延晶片表面的痕量金属含量,对于保证产品质量和推进SiC技术的进一步发展具有重要意义。 检测原理 检
0
0
0
0.04
编辑交易计划
上一页
1
2
3
4
5
下一页
前往
页
5
关注
1
粉丝
3.42
工分
社区规则
服务协议
隐私政策
沪ICP备20009443号
© 2020 上海韭研信息科技有限公司
关于韭研公社
问题反馈
有问题请联系
@韭菜团子
公社愿景:韭研公社,原韭菜公社,投资干货最多的共享社群,汇聚全网最深度的基本面研究,消弭个人滞后机构的逻辑鸿沟。
风险提示:韭研公社里任何网友的发言,都有其特定立场,均不构成投资建议,请投资者独立审慎决策。
2
3
4
5
6
7