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关灯吃面的老司机
2025-01-09 17:11:05
晶圆的环吸方案相比其他吸附方案,对于测量晶圆 BOW/WARP 的影响
在半导体制造领域,晶圆的加工精度和质量控制至关重要,其中对晶圆 BOW(弯曲度)和 WARP(翘曲度)的精确测量更是关键环节。不同的吸附方案被应用于晶圆测量过程中,而晶圆的环吸方案因其独特设计,与传统或其他吸附方案相比,对 BOW/WARP 测量有着显著且复杂的影响。 一、常见吸附方案概述 传统的吸附方案包括全表面吸附、边缘点吸附等。全表面吸附利用真空将晶圆整个底面紧密贴合在吸盘上,能提供稳定的吸附力,确保晶圆在测量时位置固定,但这种方式对晶圆施加的压力较为均匀且大面积分布,可能掩盖晶圆自身的微
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2025-01-09 11:01:13
反射镜的移动,实现白光干涉中的机械相移原理
在白光干涉测量中,通过反射镜的移动来实现机械相移原理是一种常见且有效的方法。以下是对这一原理的详细解释: 一、基本原理 白光干涉测量技术基于光的波动性和相干性原理。当两束相干光波在空间某点相遇时,它们会产生干涉现象,形成明暗相间的干涉条纹。这些干涉条纹的形成取决于两束光的相位差,而相位差则与它们经过的光程差紧密相关。 在白光干涉仪中,光源发出的光经过扩束准直后,通过分光棱镜被分成两束相干光:一束作为参考光,经过固定的光路到达干涉仪的接收屏;另一束作为待测光,经过反射镜后被反射,再与参考光相遇产生
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2025-01-08 16:51:37
用于半导体外延片生长的CVD石墨托盘结构
一、引言 在半导体制造业中,外延生长技术扮演着至关重要的角色。化学气相沉积(CVD)作为一种主流的外延生长方法,被广泛应用于制备高质量的外延片。而在CVD外延生长过程中,石墨托盘作为承载和支撑半导体衬底的关键组件,其结构和性能对外延片的质量具有决定性影响。本文将详细介绍一种用于半导体外延片生长的CVD石墨托盘结构,探讨其设计特点、工作原理及在半导体制造中的应用优势。 二、结构特点 该CVD石墨托盘结构主要由石墨管、石英管、上层托盘、下层托盘以及电机等部分组成。具体结构特点如下: 石墨管与石英管
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2025-01-08 11:15:24
通过样品台的移动,实现白光干涉中的机械相移原理
在白光干涉测量技术中,通过样品台的移动来实现机械相移原理是一种常用的且高精度的方法。这种方法基于光的波动性和相干性,通过改变样品台的位置,即改变待测光线与参考光线之间的光程差,来实现相位调制,从而获取待测物体的精确信息。 一、基本原理 在白光干涉仪中,光源发出的光经过扩束准直后,通过分光棱镜被分成两束相干光:一束作为参考光,经过固定的光路到达干涉仪的接收屏;另一束作为待测光,经过样品台后被反射或透射,再与参考光相遇产生干涉现象。干涉条纹的形成取决于两束光的相位差,而相位差则与它们经过的光程差有关
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2025-01-07 16:40:05
钟罩式热壁碳化硅高温外延片生长装置
高效生长 射频加热器具有加热速度快、温度均匀性好等优点,能够迅速将石墨托盘及其上的SiC衬底加热至所需的生长温度,提高生长效率。射频加热器是提供生长所需高温环境的关键部件。通过射频电流的激励,射频加热器产生强烈的电磁场,使石墨托盘及其上的SiC衬底迅速升温至所需的生长温度。射频加热器具有加热速度快、温度均匀性好等优点。一、引言 随着半导体技术的飞速发展,碳化硅(SiC)作为一种具有优异物理和化学性质的材料,在电力电子、微波器件、高温传感器等领域展现出巨大的应用潜力。高质量、大面积的SiC外延片是
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2025-01-07 11:19:34
光学元件的插入与移除,实现白光干涉中的机械相移原理
在白光干涉测量中,通过光学元件的插入与移除来实现机械相移原理是一种独特而有效的方法。这种方法的核心在于利用光学元件(如透镜、反射镜、棱镜等)对光路的改变,从而实现对相位差的调制。以下是对这一原理的详细解释: 一、基本原理 白光干涉测量基于光的干涉原理,即当两束相干光波在空间某点相遇时,它们会产生干涉现象,形成明暗相间的干涉条纹。干涉条纹的形成取决于两束光的相位差,而相位差则与它们经过的光程差有关。通过改变光程差,可以实现相位调制,进而获取待测物体的相关信息。 在机械相移的实现中,光学元件的插入与
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2025-01-06 15:58:26
减少减薄碳化硅纹路的方法
碳化硅(SiC)作为一种高性能半导体材料,因其出色的热稳定性、高硬度和高电子迁移率,在电力电子、微电子、光电子等领域得到了广泛应用。在SiC器件的制造过程中,碳化硅片的减薄是一个重要环节,它可以提高器件的散热性能,并有助于降低制造成本。然而,在减薄过程中,碳化硅表面往往会出现纹路,这些纹路不仅影响器件的外观质量,还可能对器件的电学性能和可靠性产生不利影响。因此,如何减少减薄碳化硅纹路成为了一个亟待解决的问题。 二、现有减薄方法及纹路产生原因 目前,碳化硅片的减薄主要通过机械研磨、化学机械抛光(C
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2025-01-06 11:12:12
白光干涉中,通过样品台的移动,实现机械相移技术
一、基本原理 在白光干涉仪中,光源发出的光经过扩束准直后,通过分光棱镜被分成两束相干光:一束作为参考光,经过固定的光路到达干涉仪的接收屏;另一束作为待测光,经过样品台后被反射或透射,再与参考光相遇产生干涉现象。干涉条纹的形成取决于两束光的相位差,而相位差则与它们经过的光程差有关。 通过移动样品台,可以改变待测光线经过的路径长度,从而改变光程差和相位差。这种相位调制会导致干涉条纹的移动或变化,通过测量干涉条纹的变化量,可以计算出相位差,进而得到待测物体的相关信息。 二、实现方式 样品台的设计: 样
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2025-01-03 15:52:12
高温大面积碳化硅外延生长装置及处理方法
关闭密闭工作室的进样门和备用门,打开真空泵进行抽真空作业,使反应腔室达到预定的真空度。这一步骤可以排除反应腔室内的空气和杂质,为后续的外延生长创造有利的条件。 加热 托盘系统 托盘系统用于承载SiC衬底,并可以方便地放入和取出反应腔室。托盘系统包括方形托盘和旋转托盘,方形托盘上设有托盘槽,可以放置多个旋转托盘。旋转托盘上则设有旋转托盘槽,用于放置SiC衬底。这种设计不仅提高了外延生长的均匀性,还方便了样品的取放和更换。 处理方法 高温大面积碳化硅外延生长装置的处理方法主要包括以下几个步骤: 放置
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2025-01-03 10:02:16
白光干涉的技术演变过程
一、初步应用阶段 在20世纪五六十年代,国内外相继出现了一些应用型白光干涉仪。这些干涉仪主要采用人工操作、读数、计算和测量评定某个参数,效率相对较低。这一时期的白光干涉技术主要应用于简单的表面形貌测量和厚度测量等领域。 二、智能化与自动化发展阶段 随着电子及计算机技术的飞速发展,白光干涉仪开始朝智能化与自动化方向发展。 1980年:基于相移技术测量原理的白光干涉自动表面三维形貌测量系统被提出。这一时期,白光干涉技术开始实现自动化测量,提高了测量效率和精度。 1990年:出现了用Mirau干涉显微
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2025-01-02 17:18:09
检测碳化硅外延晶片表面痕量金属的方法
溶液收集 使用微移液器将反应后的溶液收集到洁净的样品瓶中,用于后续的ICP-MS检测。注意在收集过程中避免任何可能的金属污染。 碳化硅(SiC)作为新一代半导体材料,因其出色的物理和化学性质,在电力电子、微波器件、高温传感器等领域展现出巨大的应用潜力。然而,SiC外延晶片在生产过程中可能会引入微量的金属杂质,这些杂质对器件的性能和可靠性有着至关重要的影响。因此,开发高效、准确的检测方法以监控SiC外延晶片表面的痕量金属含量,对于保证产品质量和推进SiC技术的进一步发展具有重要意义。 检测原理 检
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2025-01-02 12:30:14
白光干涉中的机械相移,对于反射镜移动的技术难点
一、反射镜移动精度要求高 白光干涉测量对光程差的改变非常敏感,即使是微小的移动也会导致显著的相位变化。因此,反射镜的移动必须非常精确,通常要达到纳米级别。这种高精度的移动要求机械系统具有极高的稳定性和分辨率。 二、机械系统稳定性挑战 反射镜的移动通常依赖于机械系统,如压电陶瓷、精密丝杠等。然而,这些机械系统容易受到温度、振动等外部因素的影响,导致移动不稳定。为了提高稳定性,需要采取一系列措施,如温度控制、减震设计等。 三、非线性误差的校正 机械系统在移动过程中可能会产生非线性误差,即移动量与预期
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2024-12-31 15:48:03
8英寸单片高温碳化硅外延生长室结构
高通量晶圆测厚系统以光学相干层析成像原理,可解决晶圆/晶片厚度TTV(Total Thickness Variation,总厚度偏差)、BOW(弯曲度)、WARP(翘曲度),TIR(Total Indicated Reading 总指示读数,STIR(Site Total Indicated Reading 局部总指示读数),LTV(Local Thickness Variation 局部厚度偏差)等这类技术指标。 随着碳化硅(SiC)材料在电力电子、航空航天、新能源汽车等领域的广泛应用,高质量
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2024-12-31 11:04:22
白光干涉中的光学相移原理
一、基本原理 在白光干涉仪中,光源发出的光经过扩束准直后,通过分光棱镜被分成两束相干光:一束作为参考光,另一束作为待测光。这两束光在空间某点相遇时,会产生干涉现象,形成明暗相间的干涉条纹。干涉条纹的形态和位置取决于两束光的相位差,而相位差则与它们经过的光程差有关。 光学相移原理是通过多次等距改变参考光和待测光之间的光程差,实现干涉信号的相位调制。这种相位调制会导致干涉条纹的移动或变化,通过测量干涉条纹的变化量,可以计算出相位差,进而得到待测物体的相关信息。 二、相移算法 相移算法是实现光学相移原
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沟槽结构碳化硅的外延填充方法
一、引言 沟槽结构碳化硅的外延填充方法是指通过在碳化硅衬底上形成的沟槽内填充高质量的外延层,以实现器件的电学和热学性能要求。这一过程中,不仅要保证外延层的填充率,还要避免空洞和缺陷的产生,从而确保器件的稳定性和可靠性。 二、外延填充方法 1. 实验准备 在进行外延填充之前,首先需要通过实验确定外延生长和刻蚀的工艺参数。这通常包括使用与待填充的碳化硅正式片具有相同沟槽结构的生长实验片和刻蚀实验片进行试验。 生长实验片:用于确定外延生长工艺参数,包括氢气流量、反应室生长压力、生长温度、硅氢比和碳硅比
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晶圆的环吸方案相比其他吸附方案,对于测量晶圆 BOW/WARP 的影响
在半导体制造领域,晶圆的加工精度和质量控制至关重要,其中对晶圆 BOW(弯曲度)和 WARP(翘曲度)的精确测量更是关键环节。不同的吸附方案被应用于晶圆测量过程中,而晶圆的环吸方案因其独特设计,与传统或其他吸附方案相比,对 BOW/WARP 测量有着显著且复杂的影响。 一、常见吸附方案概述 传统的吸附方案包括全表面吸附、边缘点吸附等。全表面吸附利用真空将晶圆整个底面紧密贴合在吸盘上,能提供稳定的吸附力,确保晶圆在测量时位置固定,但这种方式对晶圆施加的压力较为均匀且大面积分布,可能掩盖晶圆自身的微
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2025-01-09 11:01:13
反射镜的移动,实现白光干涉中的机械相移原理
在白光干涉测量中,通过反射镜的移动来实现机械相移原理是一种常见且有效的方法。以下是对这一原理的详细解释: 一、基本原理 白光干涉测量技术基于光的波动性和相干性原理。当两束相干光波在空间某点相遇时,它们会产生干涉现象,形成明暗相间的干涉条纹。这些干涉条纹的形成取决于两束光的相位差,而相位差则与它们经过的光程差紧密相关。 在白光干涉仪中,光源发出的光经过扩束准直后,通过分光棱镜被分成两束相干光:一束作为参考光,经过固定的光路到达干涉仪的接收屏;另一束作为待测光,经过反射镜后被反射,再与参考光相遇产生
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用于半导体外延片生长的CVD石墨托盘结构
一、引言 在半导体制造业中,外延生长技术扮演着至关重要的角色。化学气相沉积(CVD)作为一种主流的外延生长方法,被广泛应用于制备高质量的外延片。而在CVD外延生长过程中,石墨托盘作为承载和支撑半导体衬底的关键组件,其结构和性能对外延片的质量具有决定性影响。本文将详细介绍一种用于半导体外延片生长的CVD石墨托盘结构,探讨其设计特点、工作原理及在半导体制造中的应用优势。 二、结构特点 该CVD石墨托盘结构主要由石墨管、石英管、上层托盘、下层托盘以及电机等部分组成。具体结构特点如下: 石墨管与石英管
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通过样品台的移动,实现白光干涉中的机械相移原理
在白光干涉测量技术中,通过样品台的移动来实现机械相移原理是一种常用的且高精度的方法。这种方法基于光的波动性和相干性,通过改变样品台的位置,即改变待测光线与参考光线之间的光程差,来实现相位调制,从而获取待测物体的精确信息。 一、基本原理 在白光干涉仪中,光源发出的光经过扩束准直后,通过分光棱镜被分成两束相干光:一束作为参考光,经过固定的光路到达干涉仪的接收屏;另一束作为待测光,经过样品台后被反射或透射,再与参考光相遇产生干涉现象。干涉条纹的形成取决于两束光的相位差,而相位差则与它们经过的光程差有关
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钟罩式热壁碳化硅高温外延片生长装置
高效生长 射频加热器具有加热速度快、温度均匀性好等优点,能够迅速将石墨托盘及其上的SiC衬底加热至所需的生长温度,提高生长效率。射频加热器是提供生长所需高温环境的关键部件。通过射频电流的激励,射频加热器产生强烈的电磁场,使石墨托盘及其上的SiC衬底迅速升温至所需的生长温度。射频加热器具有加热速度快、温度均匀性好等优点。一、引言 随着半导体技术的飞速发展,碳化硅(SiC)作为一种具有优异物理和化学性质的材料,在电力电子、微波器件、高温传感器等领域展现出巨大的应用潜力。高质量、大面积的SiC外延片是
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光学元件的插入与移除,实现白光干涉中的机械相移原理
在白光干涉测量中,通过光学元件的插入与移除来实现机械相移原理是一种独特而有效的方法。这种方法的核心在于利用光学元件(如透镜、反射镜、棱镜等)对光路的改变,从而实现对相位差的调制。以下是对这一原理的详细解释: 一、基本原理 白光干涉测量基于光的干涉原理,即当两束相干光波在空间某点相遇时,它们会产生干涉现象,形成明暗相间的干涉条纹。干涉条纹的形成取决于两束光的相位差,而相位差则与它们经过的光程差有关。通过改变光程差,可以实现相位调制,进而获取待测物体的相关信息。 在机械相移的实现中,光学元件的插入与
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减少减薄碳化硅纹路的方法
碳化硅(SiC)作为一种高性能半导体材料,因其出色的热稳定性、高硬度和高电子迁移率,在电力电子、微电子、光电子等领域得到了广泛应用。在SiC器件的制造过程中,碳化硅片的减薄是一个重要环节,它可以提高器件的散热性能,并有助于降低制造成本。然而,在减薄过程中,碳化硅表面往往会出现纹路,这些纹路不仅影响器件的外观质量,还可能对器件的电学性能和可靠性产生不利影响。因此,如何减少减薄碳化硅纹路成为了一个亟待解决的问题。 二、现有减薄方法及纹路产生原因 目前,碳化硅片的减薄主要通过机械研磨、化学机械抛光(C
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白光干涉中,通过样品台的移动,实现机械相移技术
一、基本原理 在白光干涉仪中,光源发出的光经过扩束准直后,通过分光棱镜被分成两束相干光:一束作为参考光,经过固定的光路到达干涉仪的接收屏;另一束作为待测光,经过样品台后被反射或透射,再与参考光相遇产生干涉现象。干涉条纹的形成取决于两束光的相位差,而相位差则与它们经过的光程差有关。 通过移动样品台,可以改变待测光线经过的路径长度,从而改变光程差和相位差。这种相位调制会导致干涉条纹的移动或变化,通过测量干涉条纹的变化量,可以计算出相位差,进而得到待测物体的相关信息。 二、实现方式 样品台的设计: 样
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高温大面积碳化硅外延生长装置及处理方法
关闭密闭工作室的进样门和备用门,打开真空泵进行抽真空作业,使反应腔室达到预定的真空度。这一步骤可以排除反应腔室内的空气和杂质,为后续的外延生长创造有利的条件。 加热 托盘系统 托盘系统用于承载SiC衬底,并可以方便地放入和取出反应腔室。托盘系统包括方形托盘和旋转托盘,方形托盘上设有托盘槽,可以放置多个旋转托盘。旋转托盘上则设有旋转托盘槽,用于放置SiC衬底。这种设计不仅提高了外延生长的均匀性,还方便了样品的取放和更换。 处理方法 高温大面积碳化硅外延生长装置的处理方法主要包括以下几个步骤: 放置
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白光干涉的技术演变过程
一、初步应用阶段 在20世纪五六十年代,国内外相继出现了一些应用型白光干涉仪。这些干涉仪主要采用人工操作、读数、计算和测量评定某个参数,效率相对较低。这一时期的白光干涉技术主要应用于简单的表面形貌测量和厚度测量等领域。 二、智能化与自动化发展阶段 随着电子及计算机技术的飞速发展,白光干涉仪开始朝智能化与自动化方向发展。 1980年:基于相移技术测量原理的白光干涉自动表面三维形貌测量系统被提出。这一时期,白光干涉技术开始实现自动化测量,提高了测量效率和精度。 1990年:出现了用Mirau干涉显微
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检测碳化硅外延晶片表面痕量金属的方法
溶液收集 使用微移液器将反应后的溶液收集到洁净的样品瓶中,用于后续的ICP-MS检测。注意在收集过程中避免任何可能的金属污染。 碳化硅(SiC)作为新一代半导体材料,因其出色的物理和化学性质,在电力电子、微波器件、高温传感器等领域展现出巨大的应用潜力。然而,SiC外延晶片在生产过程中可能会引入微量的金属杂质,这些杂质对器件的性能和可靠性有着至关重要的影响。因此,开发高效、准确的检测方法以监控SiC外延晶片表面的痕量金属含量,对于保证产品质量和推进SiC技术的进一步发展具有重要意义。 检测原理 检
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白光干涉中的机械相移,对于反射镜移动的技术难点
一、反射镜移动精度要求高 白光干涉测量对光程差的改变非常敏感,即使是微小的移动也会导致显著的相位变化。因此,反射镜的移动必须非常精确,通常要达到纳米级别。这种高精度的移动要求机械系统具有极高的稳定性和分辨率。 二、机械系统稳定性挑战 反射镜的移动通常依赖于机械系统,如压电陶瓷、精密丝杠等。然而,这些机械系统容易受到温度、振动等外部因素的影响,导致移动不稳定。为了提高稳定性,需要采取一系列措施,如温度控制、减震设计等。 三、非线性误差的校正 机械系统在移动过程中可能会产生非线性误差,即移动量与预期
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8英寸单片高温碳化硅外延生长室结构
高通量晶圆测厚系统以光学相干层析成像原理,可解决晶圆/晶片厚度TTV(Total Thickness Variation,总厚度偏差)、BOW(弯曲度)、WARP(翘曲度),TIR(Total Indicated Reading 总指示读数,STIR(Site Total Indicated Reading 局部总指示读数),LTV(Local Thickness Variation 局部厚度偏差)等这类技术指标。 随着碳化硅(SiC)材料在电力电子、航空航天、新能源汽车等领域的广泛应用,高质量
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白光干涉中的光学相移原理
一、基本原理 在白光干涉仪中,光源发出的光经过扩束准直后,通过分光棱镜被分成两束相干光:一束作为参考光,另一束作为待测光。这两束光在空间某点相遇时,会产生干涉现象,形成明暗相间的干涉条纹。干涉条纹的形态和位置取决于两束光的相位差,而相位差则与它们经过的光程差有关。 光学相移原理是通过多次等距改变参考光和待测光之间的光程差,实现干涉信号的相位调制。这种相位调制会导致干涉条纹的移动或变化,通过测量干涉条纹的变化量,可以计算出相位差,进而得到待测物体的相关信息。 二、相移算法 相移算法是实现光学相移原
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沟槽结构碳化硅的外延填充方法
一、引言 沟槽结构碳化硅的外延填充方法是指通过在碳化硅衬底上形成的沟槽内填充高质量的外延层,以实现器件的电学和热学性能要求。这一过程中,不仅要保证外延层的填充率,还要避免空洞和缺陷的产生,从而确保器件的稳定性和可靠性。 二、外延填充方法 1. 实验准备 在进行外延填充之前,首先需要通过实验确定外延生长和刻蚀的工艺参数。这通常包括使用与待填充的碳化硅正式片具有相同沟槽结构的生长实验片和刻蚀实验片进行试验。 生长实验片:用于确定外延生长工艺参数,包括氢气流量、反应室生长压力、生长温度、硅氢比和碳硅比
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晶圆的环吸方案相比其他吸附方案,对于测量晶圆 BOW/WARP 的影响
在半导体制造领域,晶圆的加工精度和质量控制至关重要,其中对晶圆 BOW(弯曲度)和 WARP(翘曲度)的精确测量更是关键环节。不同的吸附方案被应用于晶圆测量过程中,而晶圆的环吸方案因其独特设计,与传统或其他吸附方案相比,对 BOW/WARP 测量有着显著且复杂的影响。 一、常见吸附方案概述 传统的吸附方案包括全表面吸附、边缘点吸附等。全表面吸附利用真空将晶圆整个底面紧密贴合在吸盘上,能提供稳定的吸附力,确保晶圆在测量时位置固定,但这种方式对晶圆施加的压力较为均匀且大面积分布,可能掩盖晶圆自身的微
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反射镜的移动,实现白光干涉中的机械相移原理
在白光干涉测量中,通过反射镜的移动来实现机械相移原理是一种常见且有效的方法。以下是对这一原理的详细解释: 一、基本原理 白光干涉测量技术基于光的波动性和相干性原理。当两束相干光波在空间某点相遇时,它们会产生干涉现象,形成明暗相间的干涉条纹。这些干涉条纹的形成取决于两束光的相位差,而相位差则与它们经过的光程差紧密相关。 在白光干涉仪中,光源发出的光经过扩束准直后,通过分光棱镜被分成两束相干光:一束作为参考光,经过固定的光路到达干涉仪的接收屏;另一束作为待测光,经过反射镜后被反射,再与参考光相遇产生
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用于半导体外延片生长的CVD石墨托盘结构
一、引言 在半导体制造业中,外延生长技术扮演着至关重要的角色。化学气相沉积(CVD)作为一种主流的外延生长方法,被广泛应用于制备高质量的外延片。而在CVD外延生长过程中,石墨托盘作为承载和支撑半导体衬底的关键组件,其结构和性能对外延片的质量具有决定性影响。本文将详细介绍一种用于半导体外延片生长的CVD石墨托盘结构,探讨其设计特点、工作原理及在半导体制造中的应用优势。 二、结构特点 该CVD石墨托盘结构主要由石墨管、石英管、上层托盘、下层托盘以及电机等部分组成。具体结构特点如下: 石墨管与石英管
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2025-01-08 11:15:24
通过样品台的移动,实现白光干涉中的机械相移原理
在白光干涉测量技术中,通过样品台的移动来实现机械相移原理是一种常用的且高精度的方法。这种方法基于光的波动性和相干性,通过改变样品台的位置,即改变待测光线与参考光线之间的光程差,来实现相位调制,从而获取待测物体的精确信息。 一、基本原理 在白光干涉仪中,光源发出的光经过扩束准直后,通过分光棱镜被分成两束相干光:一束作为参考光,经过固定的光路到达干涉仪的接收屏;另一束作为待测光,经过样品台后被反射或透射,再与参考光相遇产生干涉现象。干涉条纹的形成取决于两束光的相位差,而相位差则与它们经过的光程差有关
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2025-01-07 16:40:05
钟罩式热壁碳化硅高温外延片生长装置
高效生长 射频加热器具有加热速度快、温度均匀性好等优点,能够迅速将石墨托盘及其上的SiC衬底加热至所需的生长温度,提高生长效率。射频加热器是提供生长所需高温环境的关键部件。通过射频电流的激励,射频加热器产生强烈的电磁场,使石墨托盘及其上的SiC衬底迅速升温至所需的生长温度。射频加热器具有加热速度快、温度均匀性好等优点。一、引言 随着半导体技术的飞速发展,碳化硅(SiC)作为一种具有优异物理和化学性质的材料,在电力电子、微波器件、高温传感器等领域展现出巨大的应用潜力。高质量、大面积的SiC外延片是
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2025-01-07 11:19:34
光学元件的插入与移除,实现白光干涉中的机械相移原理
在白光干涉测量中,通过光学元件的插入与移除来实现机械相移原理是一种独特而有效的方法。这种方法的核心在于利用光学元件(如透镜、反射镜、棱镜等)对光路的改变,从而实现对相位差的调制。以下是对这一原理的详细解释: 一、基本原理 白光干涉测量基于光的干涉原理,即当两束相干光波在空间某点相遇时,它们会产生干涉现象,形成明暗相间的干涉条纹。干涉条纹的形成取决于两束光的相位差,而相位差则与它们经过的光程差有关。通过改变光程差,可以实现相位调制,进而获取待测物体的相关信息。 在机械相移的实现中,光学元件的插入与
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2025-01-06 15:58:26
减少减薄碳化硅纹路的方法
碳化硅(SiC)作为一种高性能半导体材料,因其出色的热稳定性、高硬度和高电子迁移率,在电力电子、微电子、光电子等领域得到了广泛应用。在SiC器件的制造过程中,碳化硅片的减薄是一个重要环节,它可以提高器件的散热性能,并有助于降低制造成本。然而,在减薄过程中,碳化硅表面往往会出现纹路,这些纹路不仅影响器件的外观质量,还可能对器件的电学性能和可靠性产生不利影响。因此,如何减少减薄碳化硅纹路成为了一个亟待解决的问题。 二、现有减薄方法及纹路产生原因 目前,碳化硅片的减薄主要通过机械研磨、化学机械抛光(C
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白光干涉中,通过样品台的移动,实现机械相移技术
一、基本原理 在白光干涉仪中,光源发出的光经过扩束准直后,通过分光棱镜被分成两束相干光:一束作为参考光,经过固定的光路到达干涉仪的接收屏;另一束作为待测光,经过样品台后被反射或透射,再与参考光相遇产生干涉现象。干涉条纹的形成取决于两束光的相位差,而相位差则与它们经过的光程差有关。 通过移动样品台,可以改变待测光线经过的路径长度,从而改变光程差和相位差。这种相位调制会导致干涉条纹的移动或变化,通过测量干涉条纹的变化量,可以计算出相位差,进而得到待测物体的相关信息。 二、实现方式 样品台的设计: 样
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2025-01-03 15:52:12
高温大面积碳化硅外延生长装置及处理方法
关闭密闭工作室的进样门和备用门,打开真空泵进行抽真空作业,使反应腔室达到预定的真空度。这一步骤可以排除反应腔室内的空气和杂质,为后续的外延生长创造有利的条件。 加热 托盘系统 托盘系统用于承载SiC衬底,并可以方便地放入和取出反应腔室。托盘系统包括方形托盘和旋转托盘,方形托盘上设有托盘槽,可以放置多个旋转托盘。旋转托盘上则设有旋转托盘槽,用于放置SiC衬底。这种设计不仅提高了外延生长的均匀性,还方便了样品的取放和更换。 处理方法 高温大面积碳化硅外延生长装置的处理方法主要包括以下几个步骤: 放置
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2025-01-03 10:02:16
白光干涉的技术演变过程
一、初步应用阶段 在20世纪五六十年代,国内外相继出现了一些应用型白光干涉仪。这些干涉仪主要采用人工操作、读数、计算和测量评定某个参数,效率相对较低。这一时期的白光干涉技术主要应用于简单的表面形貌测量和厚度测量等领域。 二、智能化与自动化发展阶段 随着电子及计算机技术的飞速发展,白光干涉仪开始朝智能化与自动化方向发展。 1980年:基于相移技术测量原理的白光干涉自动表面三维形貌测量系统被提出。这一时期,白光干涉技术开始实现自动化测量,提高了测量效率和精度。 1990年:出现了用Mirau干涉显微
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检测碳化硅外延晶片表面痕量金属的方法
溶液收集 使用微移液器将反应后的溶液收集到洁净的样品瓶中,用于后续的ICP-MS检测。注意在收集过程中避免任何可能的金属污染。 碳化硅(SiC)作为新一代半导体材料,因其出色的物理和化学性质,在电力电子、微波器件、高温传感器等领域展现出巨大的应用潜力。然而,SiC外延晶片在生产过程中可能会引入微量的金属杂质,这些杂质对器件的性能和可靠性有着至关重要的影响。因此,开发高效、准确的检测方法以监控SiC外延晶片表面的痕量金属含量,对于保证产品质量和推进SiC技术的进一步发展具有重要意义。 检测原理 检
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白光干涉中的机械相移,对于反射镜移动的技术难点
一、反射镜移动精度要求高 白光干涉测量对光程差的改变非常敏感,即使是微小的移动也会导致显著的相位变化。因此,反射镜的移动必须非常精确,通常要达到纳米级别。这种高精度的移动要求机械系统具有极高的稳定性和分辨率。 二、机械系统稳定性挑战 反射镜的移动通常依赖于机械系统,如压电陶瓷、精密丝杠等。然而,这些机械系统容易受到温度、振动等外部因素的影响,导致移动不稳定。为了提高稳定性,需要采取一系列措施,如温度控制、减震设计等。 三、非线性误差的校正 机械系统在移动过程中可能会产生非线性误差,即移动量与预期
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2024-12-31 15:48:03
8英寸单片高温碳化硅外延生长室结构
高通量晶圆测厚系统以光学相干层析成像原理,可解决晶圆/晶片厚度TTV(Total Thickness Variation,总厚度偏差)、BOW(弯曲度)、WARP(翘曲度),TIR(Total Indicated Reading 总指示读数,STIR(Site Total Indicated Reading 局部总指示读数),LTV(Local Thickness Variation 局部厚度偏差)等这类技术指标。 随着碳化硅(SiC)材料在电力电子、航空航天、新能源汽车等领域的广泛应用,高质量
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白光干涉中的光学相移原理
一、基本原理 在白光干涉仪中,光源发出的光经过扩束准直后,通过分光棱镜被分成两束相干光:一束作为参考光,另一束作为待测光。这两束光在空间某点相遇时,会产生干涉现象,形成明暗相间的干涉条纹。干涉条纹的形态和位置取决于两束光的相位差,而相位差则与它们经过的光程差有关。 光学相移原理是通过多次等距改变参考光和待测光之间的光程差,实现干涉信号的相位调制。这种相位调制会导致干涉条纹的移动或变化,通过测量干涉条纹的变化量,可以计算出相位差,进而得到待测物体的相关信息。 二、相移算法 相移算法是实现光学相移原
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沟槽结构碳化硅的外延填充方法
一、引言 沟槽结构碳化硅的外延填充方法是指通过在碳化硅衬底上形成的沟槽内填充高质量的外延层,以实现器件的电学和热学性能要求。这一过程中,不仅要保证外延层的填充率,还要避免空洞和缺陷的产生,从而确保器件的稳定性和可靠性。 二、外延填充方法 1. 实验准备 在进行外延填充之前,首先需要通过实验确定外延生长和刻蚀的工艺参数。这通常包括使用与待填充的碳化硅正式片具有相同沟槽结构的生长实验片和刻蚀实验片进行试验。 生长实验片:用于确定外延生长工艺参数,包括氢气流量、反应室生长压力、生长温度、硅氢比和碳硅比
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2025-01-09 17:11:05
晶圆的环吸方案相比其他吸附方案,对于测量晶圆 BOW/WARP 的影响
在半导体制造领域,晶圆的加工精度和质量控制至关重要,其中对晶圆 BOW(弯曲度)和 WARP(翘曲度)的精确测量更是关键环节。不同的吸附方案被应用于晶圆测量过程中,而晶圆的环吸方案因其独特设计,与传统或其他吸附方案相比,对 BOW/WARP 测量有着显著且复杂的影响。 一、常见吸附方案概述 传统的吸附方案包括全表面吸附、边缘点吸附等。全表面吸附利用真空将晶圆整个底面紧密贴合在吸盘上,能提供稳定的吸附力,确保晶圆在测量时位置固定,但这种方式对晶圆施加的压力较为均匀且大面积分布,可能掩盖晶圆自身的微
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反射镜的移动,实现白光干涉中的机械相移原理
在白光干涉测量中,通过反射镜的移动来实现机械相移原理是一种常见且有效的方法。以下是对这一原理的详细解释: 一、基本原理 白光干涉测量技术基于光的波动性和相干性原理。当两束相干光波在空间某点相遇时,它们会产生干涉现象,形成明暗相间的干涉条纹。这些干涉条纹的形成取决于两束光的相位差,而相位差则与它们经过的光程差紧密相关。 在白光干涉仪中,光源发出的光经过扩束准直后,通过分光棱镜被分成两束相干光:一束作为参考光,经过固定的光路到达干涉仪的接收屏;另一束作为待测光,经过反射镜后被反射,再与参考光相遇产生
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用于半导体外延片生长的CVD石墨托盘结构
一、引言 在半导体制造业中,外延生长技术扮演着至关重要的角色。化学气相沉积(CVD)作为一种主流的外延生长方法,被广泛应用于制备高质量的外延片。而在CVD外延生长过程中,石墨托盘作为承载和支撑半导体衬底的关键组件,其结构和性能对外延片的质量具有决定性影响。本文将详细介绍一种用于半导体外延片生长的CVD石墨托盘结构,探讨其设计特点、工作原理及在半导体制造中的应用优势。 二、结构特点 该CVD石墨托盘结构主要由石墨管、石英管、上层托盘、下层托盘以及电机等部分组成。具体结构特点如下: 石墨管与石英管
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通过样品台的移动,实现白光干涉中的机械相移原理
在白光干涉测量技术中,通过样品台的移动来实现机械相移原理是一种常用的且高精度的方法。这种方法基于光的波动性和相干性,通过改变样品台的位置,即改变待测光线与参考光线之间的光程差,来实现相位调制,从而获取待测物体的精确信息。 一、基本原理 在白光干涉仪中,光源发出的光经过扩束准直后,通过分光棱镜被分成两束相干光:一束作为参考光,经过固定的光路到达干涉仪的接收屏;另一束作为待测光,经过样品台后被反射或透射,再与参考光相遇产生干涉现象。干涉条纹的形成取决于两束光的相位差,而相位差则与它们经过的光程差有关
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钟罩式热壁碳化硅高温外延片生长装置
高效生长 射频加热器具有加热速度快、温度均匀性好等优点,能够迅速将石墨托盘及其上的SiC衬底加热至所需的生长温度,提高生长效率。射频加热器是提供生长所需高温环境的关键部件。通过射频电流的激励,射频加热器产生强烈的电磁场,使石墨托盘及其上的SiC衬底迅速升温至所需的生长温度。射频加热器具有加热速度快、温度均匀性好等优点。一、引言 随着半导体技术的飞速发展,碳化硅(SiC)作为一种具有优异物理和化学性质的材料,在电力电子、微波器件、高温传感器等领域展现出巨大的应用潜力。高质量、大面积的SiC外延片是
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光学元件的插入与移除,实现白光干涉中的机械相移原理
在白光干涉测量中,通过光学元件的插入与移除来实现机械相移原理是一种独特而有效的方法。这种方法的核心在于利用光学元件(如透镜、反射镜、棱镜等)对光路的改变,从而实现对相位差的调制。以下是对这一原理的详细解释: 一、基本原理 白光干涉测量基于光的干涉原理,即当两束相干光波在空间某点相遇时,它们会产生干涉现象,形成明暗相间的干涉条纹。干涉条纹的形成取决于两束光的相位差,而相位差则与它们经过的光程差有关。通过改变光程差,可以实现相位调制,进而获取待测物体的相关信息。 在机械相移的实现中,光学元件的插入与
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减少减薄碳化硅纹路的方法
碳化硅(SiC)作为一种高性能半导体材料,因其出色的热稳定性、高硬度和高电子迁移率,在电力电子、微电子、光电子等领域得到了广泛应用。在SiC器件的制造过程中,碳化硅片的减薄是一个重要环节,它可以提高器件的散热性能,并有助于降低制造成本。然而,在减薄过程中,碳化硅表面往往会出现纹路,这些纹路不仅影响器件的外观质量,还可能对器件的电学性能和可靠性产生不利影响。因此,如何减少减薄碳化硅纹路成为了一个亟待解决的问题。 二、现有减薄方法及纹路产生原因 目前,碳化硅片的减薄主要通过机械研磨、化学机械抛光(C
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白光干涉中,通过样品台的移动,实现机械相移技术
一、基本原理 在白光干涉仪中,光源发出的光经过扩束准直后,通过分光棱镜被分成两束相干光:一束作为参考光,经过固定的光路到达干涉仪的接收屏;另一束作为待测光,经过样品台后被反射或透射,再与参考光相遇产生干涉现象。干涉条纹的形成取决于两束光的相位差,而相位差则与它们经过的光程差有关。 通过移动样品台,可以改变待测光线经过的路径长度,从而改变光程差和相位差。这种相位调制会导致干涉条纹的移动或变化,通过测量干涉条纹的变化量,可以计算出相位差,进而得到待测物体的相关信息。 二、实现方式 样品台的设计: 样
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高温大面积碳化硅外延生长装置及处理方法
关闭密闭工作室的进样门和备用门,打开真空泵进行抽真空作业,使反应腔室达到预定的真空度。这一步骤可以排除反应腔室内的空气和杂质,为后续的外延生长创造有利的条件。 加热 托盘系统 托盘系统用于承载SiC衬底,并可以方便地放入和取出反应腔室。托盘系统包括方形托盘和旋转托盘,方形托盘上设有托盘槽,可以放置多个旋转托盘。旋转托盘上则设有旋转托盘槽,用于放置SiC衬底。这种设计不仅提高了外延生长的均匀性,还方便了样品的取放和更换。 处理方法 高温大面积碳化硅外延生长装置的处理方法主要包括以下几个步骤: 放置
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白光干涉的技术演变过程
一、初步应用阶段 在20世纪五六十年代,国内外相继出现了一些应用型白光干涉仪。这些干涉仪主要采用人工操作、读数、计算和测量评定某个参数,效率相对较低。这一时期的白光干涉技术主要应用于简单的表面形貌测量和厚度测量等领域。 二、智能化与自动化发展阶段 随着电子及计算机技术的飞速发展,白光干涉仪开始朝智能化与自动化方向发展。 1980年:基于相移技术测量原理的白光干涉自动表面三维形貌测量系统被提出。这一时期,白光干涉技术开始实现自动化测量,提高了测量效率和精度。 1990年:出现了用Mirau干涉显微
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检测碳化硅外延晶片表面痕量金属的方法
溶液收集 使用微移液器将反应后的溶液收集到洁净的样品瓶中,用于后续的ICP-MS检测。注意在收集过程中避免任何可能的金属污染。 碳化硅(SiC)作为新一代半导体材料,因其出色的物理和化学性质,在电力电子、微波器件、高温传感器等领域展现出巨大的应用潜力。然而,SiC外延晶片在生产过程中可能会引入微量的金属杂质,这些杂质对器件的性能和可靠性有着至关重要的影响。因此,开发高效、准确的检测方法以监控SiC外延晶片表面的痕量金属含量,对于保证产品质量和推进SiC技术的进一步发展具有重要意义。 检测原理 检
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白光干涉中的机械相移,对于反射镜移动的技术难点
一、反射镜移动精度要求高 白光干涉测量对光程差的改变非常敏感,即使是微小的移动也会导致显著的相位变化。因此,反射镜的移动必须非常精确,通常要达到纳米级别。这种高精度的移动要求机械系统具有极高的稳定性和分辨率。 二、机械系统稳定性挑战 反射镜的移动通常依赖于机械系统,如压电陶瓷、精密丝杠等。然而,这些机械系统容易受到温度、振动等外部因素的影响,导致移动不稳定。为了提高稳定性,需要采取一系列措施,如温度控制、减震设计等。 三、非线性误差的校正 机械系统在移动过程中可能会产生非线性误差,即移动量与预期
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8英寸单片高温碳化硅外延生长室结构
高通量晶圆测厚系统以光学相干层析成像原理,可解决晶圆/晶片厚度TTV(Total Thickness Variation,总厚度偏差)、BOW(弯曲度)、WARP(翘曲度),TIR(Total Indicated Reading 总指示读数,STIR(Site Total Indicated Reading 局部总指示读数),LTV(Local Thickness Variation 局部厚度偏差)等这类技术指标。 随着碳化硅(SiC)材料在电力电子、航空航天、新能源汽车等领域的广泛应用,高质量
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白光干涉中的光学相移原理
一、基本原理 在白光干涉仪中,光源发出的光经过扩束准直后,通过分光棱镜被分成两束相干光:一束作为参考光,另一束作为待测光。这两束光在空间某点相遇时,会产生干涉现象,形成明暗相间的干涉条纹。干涉条纹的形态和位置取决于两束光的相位差,而相位差则与它们经过的光程差有关。 光学相移原理是通过多次等距改变参考光和待测光之间的光程差,实现干涉信号的相位调制。这种相位调制会导致干涉条纹的移动或变化,通过测量干涉条纹的变化量,可以计算出相位差,进而得到待测物体的相关信息。 二、相移算法 相移算法是实现光学相移原
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沟槽结构碳化硅的外延填充方法
一、引言 沟槽结构碳化硅的外延填充方法是指通过在碳化硅衬底上形成的沟槽内填充高质量的外延层,以实现器件的电学和热学性能要求。这一过程中,不仅要保证外延层的填充率,还要避免空洞和缺陷的产生,从而确保器件的稳定性和可靠性。 二、外延填充方法 1. 实验准备 在进行外延填充之前,首先需要通过实验确定外延生长和刻蚀的工艺参数。这通常包括使用与待填充的碳化硅正式片具有相同沟槽结构的生长实验片和刻蚀实验片进行试验。 生长实验片:用于确定外延生长工艺参数,包括氢气流量、反应室生长压力、生长温度、硅氢比和碳硅比
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晶圆的环吸方案相比其他吸附方案,对于测量晶圆 BOW/WARP 的影响
在半导体制造领域,晶圆的加工精度和质量控制至关重要,其中对晶圆 BOW(弯曲度)和 WARP(翘曲度)的精确测量更是关键环节。不同的吸附方案被应用于晶圆测量过程中,而晶圆的环吸方案因其独特设计,与传统或其他吸附方案相比,对 BOW/WARP 测量有着显著且复杂的影响。 一、常见吸附方案概述 传统的吸附方案包括全表面吸附、边缘点吸附等。全表面吸附利用真空将晶圆整个底面紧密贴合在吸盘上,能提供稳定的吸附力,确保晶圆在测量时位置固定,但这种方式对晶圆施加的压力较为均匀且大面积分布,可能掩盖晶圆自身的微
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反射镜的移动,实现白光干涉中的机械相移原理
在白光干涉测量中,通过反射镜的移动来实现机械相移原理是一种常见且有效的方法。以下是对这一原理的详细解释: 一、基本原理 白光干涉测量技术基于光的波动性和相干性原理。当两束相干光波在空间某点相遇时,它们会产生干涉现象,形成明暗相间的干涉条纹。这些干涉条纹的形成取决于两束光的相位差,而相位差则与它们经过的光程差紧密相关。 在白光干涉仪中,光源发出的光经过扩束准直后,通过分光棱镜被分成两束相干光:一束作为参考光,经过固定的光路到达干涉仪的接收屏;另一束作为待测光,经过反射镜后被反射,再与参考光相遇产生
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用于半导体外延片生长的CVD石墨托盘结构
一、引言 在半导体制造业中,外延生长技术扮演着至关重要的角色。化学气相沉积(CVD)作为一种主流的外延生长方法,被广泛应用于制备高质量的外延片。而在CVD外延生长过程中,石墨托盘作为承载和支撑半导体衬底的关键组件,其结构和性能对外延片的质量具有决定性影响。本文将详细介绍一种用于半导体外延片生长的CVD石墨托盘结构,探讨其设计特点、工作原理及在半导体制造中的应用优势。 二、结构特点 该CVD石墨托盘结构主要由石墨管、石英管、上层托盘、下层托盘以及电机等部分组成。具体结构特点如下: 石墨管与石英管
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通过样品台的移动,实现白光干涉中的机械相移原理
在白光干涉测量技术中,通过样品台的移动来实现机械相移原理是一种常用的且高精度的方法。这种方法基于光的波动性和相干性,通过改变样品台的位置,即改变待测光线与参考光线之间的光程差,来实现相位调制,从而获取待测物体的精确信息。 一、基本原理 在白光干涉仪中,光源发出的光经过扩束准直后,通过分光棱镜被分成两束相干光:一束作为参考光,经过固定的光路到达干涉仪的接收屏;另一束作为待测光,经过样品台后被反射或透射,再与参考光相遇产生干涉现象。干涉条纹的形成取决于两束光的相位差,而相位差则与它们经过的光程差有关
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2025-01-07 16:40:05
钟罩式热壁碳化硅高温外延片生长装置
高效生长 射频加热器具有加热速度快、温度均匀性好等优点,能够迅速将石墨托盘及其上的SiC衬底加热至所需的生长温度,提高生长效率。射频加热器是提供生长所需高温环境的关键部件。通过射频电流的激励,射频加热器产生强烈的电磁场,使石墨托盘及其上的SiC衬底迅速升温至所需的生长温度。射频加热器具有加热速度快、温度均匀性好等优点。一、引言 随着半导体技术的飞速发展,碳化硅(SiC)作为一种具有优异物理和化学性质的材料,在电力电子、微波器件、高温传感器等领域展现出巨大的应用潜力。高质量、大面积的SiC外延片是
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2025-01-07 11:19:34
光学元件的插入与移除,实现白光干涉中的机械相移原理
在白光干涉测量中,通过光学元件的插入与移除来实现机械相移原理是一种独特而有效的方法。这种方法的核心在于利用光学元件(如透镜、反射镜、棱镜等)对光路的改变,从而实现对相位差的调制。以下是对这一原理的详细解释: 一、基本原理 白光干涉测量基于光的干涉原理,即当两束相干光波在空间某点相遇时,它们会产生干涉现象,形成明暗相间的干涉条纹。干涉条纹的形成取决于两束光的相位差,而相位差则与它们经过的光程差有关。通过改变光程差,可以实现相位调制,进而获取待测物体的相关信息。 在机械相移的实现中,光学元件的插入与
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2025-01-06 15:58:26
减少减薄碳化硅纹路的方法
碳化硅(SiC)作为一种高性能半导体材料,因其出色的热稳定性、高硬度和高电子迁移率,在电力电子、微电子、光电子等领域得到了广泛应用。在SiC器件的制造过程中,碳化硅片的减薄是一个重要环节,它可以提高器件的散热性能,并有助于降低制造成本。然而,在减薄过程中,碳化硅表面往往会出现纹路,这些纹路不仅影响器件的外观质量,还可能对器件的电学性能和可靠性产生不利影响。因此,如何减少减薄碳化硅纹路成为了一个亟待解决的问题。 二、现有减薄方法及纹路产生原因 目前,碳化硅片的减薄主要通过机械研磨、化学机械抛光(C
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2025-01-06 11:12:12
白光干涉中,通过样品台的移动,实现机械相移技术
一、基本原理 在白光干涉仪中,光源发出的光经过扩束准直后,通过分光棱镜被分成两束相干光:一束作为参考光,经过固定的光路到达干涉仪的接收屏;另一束作为待测光,经过样品台后被反射或透射,再与参考光相遇产生干涉现象。干涉条纹的形成取决于两束光的相位差,而相位差则与它们经过的光程差有关。 通过移动样品台,可以改变待测光线经过的路径长度,从而改变光程差和相位差。这种相位调制会导致干涉条纹的移动或变化,通过测量干涉条纹的变化量,可以计算出相位差,进而得到待测物体的相关信息。 二、实现方式 样品台的设计: 样
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2025-01-03 15:52:12
高温大面积碳化硅外延生长装置及处理方法
关闭密闭工作室的进样门和备用门,打开真空泵进行抽真空作业,使反应腔室达到预定的真空度。这一步骤可以排除反应腔室内的空气和杂质,为后续的外延生长创造有利的条件。 加热 托盘系统 托盘系统用于承载SiC衬底,并可以方便地放入和取出反应腔室。托盘系统包括方形托盘和旋转托盘,方形托盘上设有托盘槽,可以放置多个旋转托盘。旋转托盘上则设有旋转托盘槽,用于放置SiC衬底。这种设计不仅提高了外延生长的均匀性,还方便了样品的取放和更换。 处理方法 高温大面积碳化硅外延生长装置的处理方法主要包括以下几个步骤: 放置
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2025-01-03 10:02:16
白光干涉的技术演变过程
一、初步应用阶段 在20世纪五六十年代,国内外相继出现了一些应用型白光干涉仪。这些干涉仪主要采用人工操作、读数、计算和测量评定某个参数,效率相对较低。这一时期的白光干涉技术主要应用于简单的表面形貌测量和厚度测量等领域。 二、智能化与自动化发展阶段 随着电子及计算机技术的飞速发展,白光干涉仪开始朝智能化与自动化方向发展。 1980年:基于相移技术测量原理的白光干涉自动表面三维形貌测量系统被提出。这一时期,白光干涉技术开始实现自动化测量,提高了测量效率和精度。 1990年:出现了用Mirau干涉显微
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2025-01-02 17:18:09
检测碳化硅外延晶片表面痕量金属的方法
溶液收集 使用微移液器将反应后的溶液收集到洁净的样品瓶中,用于后续的ICP-MS检测。注意在收集过程中避免任何可能的金属污染。 碳化硅(SiC)作为新一代半导体材料,因其出色的物理和化学性质,在电力电子、微波器件、高温传感器等领域展现出巨大的应用潜力。然而,SiC外延晶片在生产过程中可能会引入微量的金属杂质,这些杂质对器件的性能和可靠性有着至关重要的影响。因此,开发高效、准确的检测方法以监控SiC外延晶片表面的痕量金属含量,对于保证产品质量和推进SiC技术的进一步发展具有重要意义。 检测原理 检
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2025-01-02 12:30:14
白光干涉中的机械相移,对于反射镜移动的技术难点
一、反射镜移动精度要求高 白光干涉测量对光程差的改变非常敏感,即使是微小的移动也会导致显著的相位变化。因此,反射镜的移动必须非常精确,通常要达到纳米级别。这种高精度的移动要求机械系统具有极高的稳定性和分辨率。 二、机械系统稳定性挑战 反射镜的移动通常依赖于机械系统,如压电陶瓷、精密丝杠等。然而,这些机械系统容易受到温度、振动等外部因素的影响,导致移动不稳定。为了提高稳定性,需要采取一系列措施,如温度控制、减震设计等。 三、非线性误差的校正 机械系统在移动过程中可能会产生非线性误差,即移动量与预期
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2024-12-31 15:48:03
8英寸单片高温碳化硅外延生长室结构
高通量晶圆测厚系统以光学相干层析成像原理,可解决晶圆/晶片厚度TTV(Total Thickness Variation,总厚度偏差)、BOW(弯曲度)、WARP(翘曲度),TIR(Total Indicated Reading 总指示读数,STIR(Site Total Indicated Reading 局部总指示读数),LTV(Local Thickness Variation 局部厚度偏差)等这类技术指标。 随着碳化硅(SiC)材料在电力电子、航空航天、新能源汽车等领域的广泛应用,高质量
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2024-12-31 11:04:22
白光干涉中的光学相移原理
一、基本原理 在白光干涉仪中,光源发出的光经过扩束准直后,通过分光棱镜被分成两束相干光:一束作为参考光,另一束作为待测光。这两束光在空间某点相遇时,会产生干涉现象,形成明暗相间的干涉条纹。干涉条纹的形态和位置取决于两束光的相位差,而相位差则与它们经过的光程差有关。 光学相移原理是通过多次等距改变参考光和待测光之间的光程差,实现干涉信号的相位调制。这种相位调制会导致干涉条纹的移动或变化,通过测量干涉条纹的变化量,可以计算出相位差,进而得到待测物体的相关信息。 二、相移算法 相移算法是实现光学相移原
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2024-12-30 16:01:37
沟槽结构碳化硅的外延填充方法
一、引言 沟槽结构碳化硅的外延填充方法是指通过在碳化硅衬底上形成的沟槽内填充高质量的外延层,以实现器件的电学和热学性能要求。这一过程中,不仅要保证外延层的填充率,还要避免空洞和缺陷的产生,从而确保器件的稳定性和可靠性。 二、外延填充方法 1. 实验准备 在进行外延填充之前,首先需要通过实验确定外延生长和刻蚀的工艺参数。这通常包括使用与待填充的碳化硅正式片具有相同沟槽结构的生长实验片和刻蚀实验片进行试验。 生长实验片:用于确定外延生长工艺参数,包括氢气流量、反应室生长压力、生长温度、硅氢比和碳硅比
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