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关灯吃面的老司机
2024-12-30 09:56:50
白光干涉仪中的相位产生机制
一、基于光程差的相位产生 基本原理: 当两束相干光波(如从同一光源发出的光波,经过不同路径后相遇)在空间某点相遇时,它们会产生干涉现象。 干涉条纹的形成是由于两束光波的相位差引起的,而相位差则取决于两束光波经过的光程差。 光程差的计算: 光程是指光在介质中传播的距离与介质折射率的乘积。 在白光干涉仪中,一束白光经过分束器被分成两束光线(参考光线和待测光线),这两束光线经过不同的路径后再次汇合,产生干涉条纹。 通过测量干涉条纹的移动量,可以确定光程差的变化,进而得到待测物体的相关信息。 二、基于反
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2024-12-27 14:30:05
1um以下的光刻深度,凹槽深度和宽度测量
一、白光干涉仪测量原理 白光干涉仪利用白光干涉原理,通过测量反射光与参考光之间的光程差来精确获取待测表面的高度信息。其测量精度可达到纳米级别,非常适合用于测量1um以下的光刻深度、凹槽深度和宽度。 二、测量步骤与注意事项 样品准备: 确保待测样品表面干净无尘,无油污或其他污染物,因为这些会影响干涉图样的清晰度和测量精度。 对于光刻和凹槽结构,需要特别注意保持其完整性,避免在测量过程中造成损伤。 仪器设置与校准: 根据待测样品的特性,选择合适的测量模式(如成像式或非成像式)和干涉仪头。 对白光干涉
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2024-12-27 10:31:47
优化湿法腐蚀后碳化硅衬底TTV管控
一、湿法腐蚀在碳化硅衬底加工中的作用与挑战 湿法腐蚀是碳化硅衬底加工中不可或缺的一步,主要用于去除表面损伤层、调整表面形貌、提高表面光洁度等。然而,湿法腐蚀过程中,由于腐蚀液的选择、腐蚀时间的控制、腐蚀均匀性等因素,往往会导致衬底表面TTV的增加,进而影响后续加工工序和最终产品的性能。 二、影响湿法腐蚀后TTV的关键因素 腐蚀液成分:腐蚀液的选择直接影响腐蚀速率和均匀性。不同的腐蚀液对碳化硅的腐蚀行为不同,选择合适的腐蚀液对于控制TTV至关重要。 腐蚀条件:包括温度、浓度、搅拌速度等。这些因素直
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2024-12-26 10:45:56
用于切割碳化硅衬底TTV控制的硅棒安装机构
一、碳化硅衬底TTV控制的重要性 碳化硅衬底的TTV是指衬底表面各点厚度最高点与最低点之间的差值。TTV的大小直接影响后续研磨、抛光工序的效率和成本,以及最终产品的质量和性能。因此,在碳化硅衬底的加工过程中,TTV控制是至关重要的一环。 二、硅棒安装机构的设计原理 为了有效控制碳化硅衬底的TTV,我们设计了一种新型的硅棒安装机构。该机构通过精确控制硅棒的定位和固定方式,确保在切割过程中硅棒能够稳定、均匀地转动,从而减少切割误差,提高TTV的控制精度。 精密定位:硅棒安装机构采用高精度的定位装置,
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2024-12-25 11:17:38
降低碳化硅衬底TTV的磨片加工方法
一、碳化硅衬底的加工流程 碳化硅衬底的加工主要包括切割、粗磨、精磨、粗抛和精抛(CMP)等几个关键工序。每一步都对最终产品的TTV有着重要影响。 切割:将SiC晶棒沿特定方向切割成薄片。多线砂浆切割是目前常用的切割方式,关键在于确保切割后的晶片厚度均匀、翘曲度小。 粗磨:去除切割过程中产生的表面损伤和刀纹,修复变形。此过程需使用高硬度磨料,如碳化硼或金刚石粉,以达到稳定的去除速率。 精磨:进一步降低表面粗糙度,为后续抛光做准备。精磨工艺包括聚氨酯发泡Pad+多晶金刚石研磨液双面研磨,但划伤问题一
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2024-12-24 10:18:52
激光退火后,碳化硅衬底TTV变化管控
一、激光退火在碳化硅衬底加工中的作用与挑战 激光退火是一种先进的热处理技术,通过局部高温作用,能够修复碳化硅衬底中的晶格缺陷,提高晶体质量,优化掺杂元素的分布,从而改善材料的导电性能和表面结构。然而,激光退火过程中,由于激光能量分布的不均匀性、退火参数的精确控制难度以及衬底材料的初始状态等因素,往往会导致衬底表面TTV的变化,进而影响后续加工工序和最终产品的性能。 二、影响激光退火后TTV变化的关键因素 激光能量分布:激光退火过程中,激光能量的分布直接影响退火区域的温度和热应力分布。不均匀的能量
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2024-12-23 17:17:19
碳化硅衬底修边处理后,碳化硅衬底TTV变化管控
一、碳化硅衬底修边处理的作用与挑战 修边处理是碳化硅衬底加工中的一个关键步骤,主要用于去除衬底边缘的毛刺、裂纹和不规则部分,以提高衬底的尺寸精度和边缘质量。然而,修边过程中由于机械应力、热应力以及工艺参数的精确控制难度,往往会导致衬底表面TTV的变化,进而影响后续加工工序和最终产品的性能。 二、影响修边处理后TTV变化的关键因素 修边工艺:修边工艺的选择直接影响TTV的变化。不同的修边工艺,如机械磨削、激光切割、水切割等,对碳化硅衬底的加工精度和表面质量有不同的影响。 工艺参数:包括修边速度、进
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2024-12-20 15:49:14
怎么制备半导体晶圆片切割刃料?
半导体晶圆片切割刃料的制备是一个复杂而精细的过程,以下是一种典型的制备方法: 一、原料准备 首先,需要准备高纯度的原料,如绿碳化硅和黑碳化硅。这些原料具有高硬度、高耐磨性和高化学稳定性,是制备切割刃料的理想选择。 二、破碎与筛分 颚式破碎:将原料放入颚式破碎机中进行初步破碎,得到一定粒度的颗粒。 筛分:通过筛分设备将破碎后的颗粒进行分级,筛选出符合要求的粒度范围。 三、湿法球磨分级 将筛分后的颗粒放入湿法球磨机中进行进一步粉碎和分级。湿法球磨机采用湿式研磨方式,通过研磨介质(如球磨珠)和研磨液的
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2024-12-20 09:05:05
磨料形貌及分散介质对4H碳化硅晶片研磨质量有哪些影响
高通量晶圆测厚系统,全新采用的第三代可调谐扫频激光技术,相比传统上下双探头对射扫描方式;可一次性测量所有平面度及厚度参数。 1,灵活适用更复杂的材料,从轻掺到重掺 P 型硅 (P++),碳化硅,蓝宝石,玻璃,铌酸锂等晶圆材料。 重掺型硅(强吸收晶圆的前后表面探测) 粗糙的晶圆表面,(点扫描的第三代扫频激光,相比靠光谱探测方案,不易受到光谱中相邻单位的串扰噪声影响,因而对测量粗糙表面晶圆) 低反射的碳化硅(SiC)和铌酸锂(LiNbO3);(通过对偏振效应的补偿,加强对低反射晶圆表面测量的信噪比)
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白光干涉仪中的相位产生机制
一、基于光程差的相位产生 基本原理: 当两束相干光波(如从同一光源发出的光波,经过不同路径后相遇)在空间某点相遇时,它们会产生干涉现象。 干涉条纹的形成是由于两束光波的相位差引起的,而相位差则取决于两束光波经过的光程差。 光程差的计算: 光程是指光在介质中传播的距离与介质折射率的乘积。 在白光干涉仪中,一束白光经过分束器被分成两束光线(参考光线和待测光线),这两束光线经过不同的路径后再次汇合,产生干涉条纹。 通过测量干涉条纹的移动量,可以确定光程差的变化,进而得到待测物体的相关信息。 二、基于反
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2024-12-27 14:30:05
1um以下的光刻深度,凹槽深度和宽度测量
一、白光干涉仪测量原理 白光干涉仪利用白光干涉原理,通过测量反射光与参考光之间的光程差来精确获取待测表面的高度信息。其测量精度可达到纳米级别,非常适合用于测量1um以下的光刻深度、凹槽深度和宽度。 二、测量步骤与注意事项 样品准备: 确保待测样品表面干净无尘,无油污或其他污染物,因为这些会影响干涉图样的清晰度和测量精度。 对于光刻和凹槽结构,需要特别注意保持其完整性,避免在测量过程中造成损伤。 仪器设置与校准: 根据待测样品的特性,选择合适的测量模式(如成像式或非成像式)和干涉仪头。 对白光干涉
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优化湿法腐蚀后碳化硅衬底TTV管控
一、湿法腐蚀在碳化硅衬底加工中的作用与挑战 湿法腐蚀是碳化硅衬底加工中不可或缺的一步,主要用于去除表面损伤层、调整表面形貌、提高表面光洁度等。然而,湿法腐蚀过程中,由于腐蚀液的选择、腐蚀时间的控制、腐蚀均匀性等因素,往往会导致衬底表面TTV的增加,进而影响后续加工工序和最终产品的性能。 二、影响湿法腐蚀后TTV的关键因素 腐蚀液成分:腐蚀液的选择直接影响腐蚀速率和均匀性。不同的腐蚀液对碳化硅的腐蚀行为不同,选择合适的腐蚀液对于控制TTV至关重要。 腐蚀条件:包括温度、浓度、搅拌速度等。这些因素直
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用于切割碳化硅衬底TTV控制的硅棒安装机构
一、碳化硅衬底TTV控制的重要性 碳化硅衬底的TTV是指衬底表面各点厚度最高点与最低点之间的差值。TTV的大小直接影响后续研磨、抛光工序的效率和成本,以及最终产品的质量和性能。因此,在碳化硅衬底的加工过程中,TTV控制是至关重要的一环。 二、硅棒安装机构的设计原理 为了有效控制碳化硅衬底的TTV,我们设计了一种新型的硅棒安装机构。该机构通过精确控制硅棒的定位和固定方式,确保在切割过程中硅棒能够稳定、均匀地转动,从而减少切割误差,提高TTV的控制精度。 精密定位:硅棒安装机构采用高精度的定位装置,
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降低碳化硅衬底TTV的磨片加工方法
一、碳化硅衬底的加工流程 碳化硅衬底的加工主要包括切割、粗磨、精磨、粗抛和精抛(CMP)等几个关键工序。每一步都对最终产品的TTV有着重要影响。 切割:将SiC晶棒沿特定方向切割成薄片。多线砂浆切割是目前常用的切割方式,关键在于确保切割后的晶片厚度均匀、翘曲度小。 粗磨:去除切割过程中产生的表面损伤和刀纹,修复变形。此过程需使用高硬度磨料,如碳化硼或金刚石粉,以达到稳定的去除速率。 精磨:进一步降低表面粗糙度,为后续抛光做准备。精磨工艺包括聚氨酯发泡Pad+多晶金刚石研磨液双面研磨,但划伤问题一
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激光退火后,碳化硅衬底TTV变化管控
一、激光退火在碳化硅衬底加工中的作用与挑战 激光退火是一种先进的热处理技术,通过局部高温作用,能够修复碳化硅衬底中的晶格缺陷,提高晶体质量,优化掺杂元素的分布,从而改善材料的导电性能和表面结构。然而,激光退火过程中,由于激光能量分布的不均匀性、退火参数的精确控制难度以及衬底材料的初始状态等因素,往往会导致衬底表面TTV的变化,进而影响后续加工工序和最终产品的性能。 二、影响激光退火后TTV变化的关键因素 激光能量分布:激光退火过程中,激光能量的分布直接影响退火区域的温度和热应力分布。不均匀的能量
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碳化硅衬底修边处理后,碳化硅衬底TTV变化管控
一、碳化硅衬底修边处理的作用与挑战 修边处理是碳化硅衬底加工中的一个关键步骤,主要用于去除衬底边缘的毛刺、裂纹和不规则部分,以提高衬底的尺寸精度和边缘质量。然而,修边过程中由于机械应力、热应力以及工艺参数的精确控制难度,往往会导致衬底表面TTV的变化,进而影响后续加工工序和最终产品的性能。 二、影响修边处理后TTV变化的关键因素 修边工艺:修边工艺的选择直接影响TTV的变化。不同的修边工艺,如机械磨削、激光切割、水切割等,对碳化硅衬底的加工精度和表面质量有不同的影响。 工艺参数:包括修边速度、进
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怎么制备半导体晶圆片切割刃料?
半导体晶圆片切割刃料的制备是一个复杂而精细的过程,以下是一种典型的制备方法: 一、原料准备 首先,需要准备高纯度的原料,如绿碳化硅和黑碳化硅。这些原料具有高硬度、高耐磨性和高化学稳定性,是制备切割刃料的理想选择。 二、破碎与筛分 颚式破碎:将原料放入颚式破碎机中进行初步破碎,得到一定粒度的颗粒。 筛分:通过筛分设备将破碎后的颗粒进行分级,筛选出符合要求的粒度范围。 三、湿法球磨分级 将筛分后的颗粒放入湿法球磨机中进行进一步粉碎和分级。湿法球磨机采用湿式研磨方式,通过研磨介质(如球磨珠)和研磨液的
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磨料形貌及分散介质对4H碳化硅晶片研磨质量有哪些影响
高通量晶圆测厚系统,全新采用的第三代可调谐扫频激光技术,相比传统上下双探头对射扫描方式;可一次性测量所有平面度及厚度参数。 1,灵活适用更复杂的材料,从轻掺到重掺 P 型硅 (P++),碳化硅,蓝宝石,玻璃,铌酸锂等晶圆材料。 重掺型硅(强吸收晶圆的前后表面探测) 粗糙的晶圆表面,(点扫描的第三代扫频激光,相比靠光谱探测方案,不易受到光谱中相邻单位的串扰噪声影响,因而对测量粗糙表面晶圆) 低反射的碳化硅(SiC)和铌酸锂(LiNbO3);(通过对偏振效应的补偿,加强对低反射晶圆表面测量的信噪比)
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白光干涉仪中的相位产生机制
一、基于光程差的相位产生 基本原理: 当两束相干光波(如从同一光源发出的光波,经过不同路径后相遇)在空间某点相遇时,它们会产生干涉现象。 干涉条纹的形成是由于两束光波的相位差引起的,而相位差则取决于两束光波经过的光程差。 光程差的计算: 光程是指光在介质中传播的距离与介质折射率的乘积。 在白光干涉仪中,一束白光经过分束器被分成两束光线(参考光线和待测光线),这两束光线经过不同的路径后再次汇合,产生干涉条纹。 通过测量干涉条纹的移动量,可以确定光程差的变化,进而得到待测物体的相关信息。 二、基于反
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1um以下的光刻深度,凹槽深度和宽度测量
一、白光干涉仪测量原理 白光干涉仪利用白光干涉原理,通过测量反射光与参考光之间的光程差来精确获取待测表面的高度信息。其测量精度可达到纳米级别,非常适合用于测量1um以下的光刻深度、凹槽深度和宽度。 二、测量步骤与注意事项 样品准备: 确保待测样品表面干净无尘,无油污或其他污染物,因为这些会影响干涉图样的清晰度和测量精度。 对于光刻和凹槽结构,需要特别注意保持其完整性,避免在测量过程中造成损伤。 仪器设置与校准: 根据待测样品的特性,选择合适的测量模式(如成像式或非成像式)和干涉仪头。 对白光干涉
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优化湿法腐蚀后碳化硅衬底TTV管控
一、湿法腐蚀在碳化硅衬底加工中的作用与挑战 湿法腐蚀是碳化硅衬底加工中不可或缺的一步,主要用于去除表面损伤层、调整表面形貌、提高表面光洁度等。然而,湿法腐蚀过程中,由于腐蚀液的选择、腐蚀时间的控制、腐蚀均匀性等因素,往往会导致衬底表面TTV的增加,进而影响后续加工工序和最终产品的性能。 二、影响湿法腐蚀后TTV的关键因素 腐蚀液成分:腐蚀液的选择直接影响腐蚀速率和均匀性。不同的腐蚀液对碳化硅的腐蚀行为不同,选择合适的腐蚀液对于控制TTV至关重要。 腐蚀条件:包括温度、浓度、搅拌速度等。这些因素直
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用于切割碳化硅衬底TTV控制的硅棒安装机构
一、碳化硅衬底TTV控制的重要性 碳化硅衬底的TTV是指衬底表面各点厚度最高点与最低点之间的差值。TTV的大小直接影响后续研磨、抛光工序的效率和成本,以及最终产品的质量和性能。因此,在碳化硅衬底的加工过程中,TTV控制是至关重要的一环。 二、硅棒安装机构的设计原理 为了有效控制碳化硅衬底的TTV,我们设计了一种新型的硅棒安装机构。该机构通过精确控制硅棒的定位和固定方式,确保在切割过程中硅棒能够稳定、均匀地转动,从而减少切割误差,提高TTV的控制精度。 精密定位:硅棒安装机构采用高精度的定位装置,
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降低碳化硅衬底TTV的磨片加工方法
一、碳化硅衬底的加工流程 碳化硅衬底的加工主要包括切割、粗磨、精磨、粗抛和精抛(CMP)等几个关键工序。每一步都对最终产品的TTV有着重要影响。 切割:将SiC晶棒沿特定方向切割成薄片。多线砂浆切割是目前常用的切割方式,关键在于确保切割后的晶片厚度均匀、翘曲度小。 粗磨:去除切割过程中产生的表面损伤和刀纹,修复变形。此过程需使用高硬度磨料,如碳化硼或金刚石粉,以达到稳定的去除速率。 精磨:进一步降低表面粗糙度,为后续抛光做准备。精磨工艺包括聚氨酯发泡Pad+多晶金刚石研磨液双面研磨,但划伤问题一
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激光退火后,碳化硅衬底TTV变化管控
一、激光退火在碳化硅衬底加工中的作用与挑战 激光退火是一种先进的热处理技术,通过局部高温作用,能够修复碳化硅衬底中的晶格缺陷,提高晶体质量,优化掺杂元素的分布,从而改善材料的导电性能和表面结构。然而,激光退火过程中,由于激光能量分布的不均匀性、退火参数的精确控制难度以及衬底材料的初始状态等因素,往往会导致衬底表面TTV的变化,进而影响后续加工工序和最终产品的性能。 二、影响激光退火后TTV变化的关键因素 激光能量分布:激光退火过程中,激光能量的分布直接影响退火区域的温度和热应力分布。不均匀的能量
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碳化硅衬底修边处理后,碳化硅衬底TTV变化管控
一、碳化硅衬底修边处理的作用与挑战 修边处理是碳化硅衬底加工中的一个关键步骤,主要用于去除衬底边缘的毛刺、裂纹和不规则部分,以提高衬底的尺寸精度和边缘质量。然而,修边过程中由于机械应力、热应力以及工艺参数的精确控制难度,往往会导致衬底表面TTV的变化,进而影响后续加工工序和最终产品的性能。 二、影响修边处理后TTV变化的关键因素 修边工艺:修边工艺的选择直接影响TTV的变化。不同的修边工艺,如机械磨削、激光切割、水切割等,对碳化硅衬底的加工精度和表面质量有不同的影响。 工艺参数:包括修边速度、进
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怎么制备半导体晶圆片切割刃料?
半导体晶圆片切割刃料的制备是一个复杂而精细的过程,以下是一种典型的制备方法: 一、原料准备 首先,需要准备高纯度的原料,如绿碳化硅和黑碳化硅。这些原料具有高硬度、高耐磨性和高化学稳定性,是制备切割刃料的理想选择。 二、破碎与筛分 颚式破碎:将原料放入颚式破碎机中进行初步破碎,得到一定粒度的颗粒。 筛分:通过筛分设备将破碎后的颗粒进行分级,筛选出符合要求的粒度范围。 三、湿法球磨分级 将筛分后的颗粒放入湿法球磨机中进行进一步粉碎和分级。湿法球磨机采用湿式研磨方式,通过研磨介质(如球磨珠)和研磨液的
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磨料形貌及分散介质对4H碳化硅晶片研磨质量有哪些影响
高通量晶圆测厚系统,全新采用的第三代可调谐扫频激光技术,相比传统上下双探头对射扫描方式;可一次性测量所有平面度及厚度参数。 1,灵活适用更复杂的材料,从轻掺到重掺 P 型硅 (P++),碳化硅,蓝宝石,玻璃,铌酸锂等晶圆材料。 重掺型硅(强吸收晶圆的前后表面探测) 粗糙的晶圆表面,(点扫描的第三代扫频激光,相比靠光谱探测方案,不易受到光谱中相邻单位的串扰噪声影响,因而对测量粗糙表面晶圆) 低反射的碳化硅(SiC)和铌酸锂(LiNbO3);(通过对偏振效应的补偿,加强对低反射晶圆表面测量的信噪比)
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白光干涉仪中的相位产生机制
一、基于光程差的相位产生 基本原理: 当两束相干光波(如从同一光源发出的光波,经过不同路径后相遇)在空间某点相遇时,它们会产生干涉现象。 干涉条纹的形成是由于两束光波的相位差引起的,而相位差则取决于两束光波经过的光程差。 光程差的计算: 光程是指光在介质中传播的距离与介质折射率的乘积。 在白光干涉仪中,一束白光经过分束器被分成两束光线(参考光线和待测光线),这两束光线经过不同的路径后再次汇合,产生干涉条纹。 通过测量干涉条纹的移动量,可以确定光程差的变化,进而得到待测物体的相关信息。 二、基于反
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1um以下的光刻深度,凹槽深度和宽度测量
一、白光干涉仪测量原理 白光干涉仪利用白光干涉原理,通过测量反射光与参考光之间的光程差来精确获取待测表面的高度信息。其测量精度可达到纳米级别,非常适合用于测量1um以下的光刻深度、凹槽深度和宽度。 二、测量步骤与注意事项 样品准备: 确保待测样品表面干净无尘,无油污或其他污染物,因为这些会影响干涉图样的清晰度和测量精度。 对于光刻和凹槽结构,需要特别注意保持其完整性,避免在测量过程中造成损伤。 仪器设置与校准: 根据待测样品的特性,选择合适的测量模式(如成像式或非成像式)和干涉仪头。 对白光干涉
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优化湿法腐蚀后碳化硅衬底TTV管控
一、湿法腐蚀在碳化硅衬底加工中的作用与挑战 湿法腐蚀是碳化硅衬底加工中不可或缺的一步,主要用于去除表面损伤层、调整表面形貌、提高表面光洁度等。然而,湿法腐蚀过程中,由于腐蚀液的选择、腐蚀时间的控制、腐蚀均匀性等因素,往往会导致衬底表面TTV的增加,进而影响后续加工工序和最终产品的性能。 二、影响湿法腐蚀后TTV的关键因素 腐蚀液成分:腐蚀液的选择直接影响腐蚀速率和均匀性。不同的腐蚀液对碳化硅的腐蚀行为不同,选择合适的腐蚀液对于控制TTV至关重要。 腐蚀条件:包括温度、浓度、搅拌速度等。这些因素直
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用于切割碳化硅衬底TTV控制的硅棒安装机构
一、碳化硅衬底TTV控制的重要性 碳化硅衬底的TTV是指衬底表面各点厚度最高点与最低点之间的差值。TTV的大小直接影响后续研磨、抛光工序的效率和成本,以及最终产品的质量和性能。因此,在碳化硅衬底的加工过程中,TTV控制是至关重要的一环。 二、硅棒安装机构的设计原理 为了有效控制碳化硅衬底的TTV,我们设计了一种新型的硅棒安装机构。该机构通过精确控制硅棒的定位和固定方式,确保在切割过程中硅棒能够稳定、均匀地转动,从而减少切割误差,提高TTV的控制精度。 精密定位:硅棒安装机构采用高精度的定位装置,
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2024-12-25 11:17:38
降低碳化硅衬底TTV的磨片加工方法
一、碳化硅衬底的加工流程 碳化硅衬底的加工主要包括切割、粗磨、精磨、粗抛和精抛(CMP)等几个关键工序。每一步都对最终产品的TTV有着重要影响。 切割:将SiC晶棒沿特定方向切割成薄片。多线砂浆切割是目前常用的切割方式,关键在于确保切割后的晶片厚度均匀、翘曲度小。 粗磨:去除切割过程中产生的表面损伤和刀纹,修复变形。此过程需使用高硬度磨料,如碳化硼或金刚石粉,以达到稳定的去除速率。 精磨:进一步降低表面粗糙度,为后续抛光做准备。精磨工艺包括聚氨酯发泡Pad+多晶金刚石研磨液双面研磨,但划伤问题一
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2024-12-24 10:18:52
激光退火后,碳化硅衬底TTV变化管控
一、激光退火在碳化硅衬底加工中的作用与挑战 激光退火是一种先进的热处理技术,通过局部高温作用,能够修复碳化硅衬底中的晶格缺陷,提高晶体质量,优化掺杂元素的分布,从而改善材料的导电性能和表面结构。然而,激光退火过程中,由于激光能量分布的不均匀性、退火参数的精确控制难度以及衬底材料的初始状态等因素,往往会导致衬底表面TTV的变化,进而影响后续加工工序和最终产品的性能。 二、影响激光退火后TTV变化的关键因素 激光能量分布:激光退火过程中,激光能量的分布直接影响退火区域的温度和热应力分布。不均匀的能量
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2024-12-23 17:17:19
碳化硅衬底修边处理后,碳化硅衬底TTV变化管控
一、碳化硅衬底修边处理的作用与挑战 修边处理是碳化硅衬底加工中的一个关键步骤,主要用于去除衬底边缘的毛刺、裂纹和不规则部分,以提高衬底的尺寸精度和边缘质量。然而,修边过程中由于机械应力、热应力以及工艺参数的精确控制难度,往往会导致衬底表面TTV的变化,进而影响后续加工工序和最终产品的性能。 二、影响修边处理后TTV变化的关键因素 修边工艺:修边工艺的选择直接影响TTV的变化。不同的修边工艺,如机械磨削、激光切割、水切割等,对碳化硅衬底的加工精度和表面质量有不同的影响。 工艺参数:包括修边速度、进
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2024-12-20 15:49:14
怎么制备半导体晶圆片切割刃料?
半导体晶圆片切割刃料的制备是一个复杂而精细的过程,以下是一种典型的制备方法: 一、原料准备 首先,需要准备高纯度的原料,如绿碳化硅和黑碳化硅。这些原料具有高硬度、高耐磨性和高化学稳定性,是制备切割刃料的理想选择。 二、破碎与筛分 颚式破碎:将原料放入颚式破碎机中进行初步破碎,得到一定粒度的颗粒。 筛分:通过筛分设备将破碎后的颗粒进行分级,筛选出符合要求的粒度范围。 三、湿法球磨分级 将筛分后的颗粒放入湿法球磨机中进行进一步粉碎和分级。湿法球磨机采用湿式研磨方式,通过研磨介质(如球磨珠)和研磨液的
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2024-12-20 09:05:05
磨料形貌及分散介质对4H碳化硅晶片研磨质量有哪些影响
高通量晶圆测厚系统,全新采用的第三代可调谐扫频激光技术,相比传统上下双探头对射扫描方式;可一次性测量所有平面度及厚度参数。 1,灵活适用更复杂的材料,从轻掺到重掺 P 型硅 (P++),碳化硅,蓝宝石,玻璃,铌酸锂等晶圆材料。 重掺型硅(强吸收晶圆的前后表面探测) 粗糙的晶圆表面,(点扫描的第三代扫频激光,相比靠光谱探测方案,不易受到光谱中相邻单位的串扰噪声影响,因而对测量粗糙表面晶圆) 低反射的碳化硅(SiC)和铌酸锂(LiNbO3);(通过对偏振效应的补偿,加强对低反射晶圆表面测量的信噪比)
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2024-12-30 09:56:50
白光干涉仪中的相位产生机制
一、基于光程差的相位产生 基本原理: 当两束相干光波(如从同一光源发出的光波,经过不同路径后相遇)在空间某点相遇时,它们会产生干涉现象。 干涉条纹的形成是由于两束光波的相位差引起的,而相位差则取决于两束光波经过的光程差。 光程差的计算: 光程是指光在介质中传播的距离与介质折射率的乘积。 在白光干涉仪中,一束白光经过分束器被分成两束光线(参考光线和待测光线),这两束光线经过不同的路径后再次汇合,产生干涉条纹。 通过测量干涉条纹的移动量,可以确定光程差的变化,进而得到待测物体的相关信息。 二、基于反
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2024-12-27 14:30:05
1um以下的光刻深度,凹槽深度和宽度测量
一、白光干涉仪测量原理 白光干涉仪利用白光干涉原理,通过测量反射光与参考光之间的光程差来精确获取待测表面的高度信息。其测量精度可达到纳米级别,非常适合用于测量1um以下的光刻深度、凹槽深度和宽度。 二、测量步骤与注意事项 样品准备: 确保待测样品表面干净无尘,无油污或其他污染物,因为这些会影响干涉图样的清晰度和测量精度。 对于光刻和凹槽结构,需要特别注意保持其完整性,避免在测量过程中造成损伤。 仪器设置与校准: 根据待测样品的特性,选择合适的测量模式(如成像式或非成像式)和干涉仪头。 对白光干涉
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2024-12-27 10:31:47
优化湿法腐蚀后碳化硅衬底TTV管控
一、湿法腐蚀在碳化硅衬底加工中的作用与挑战 湿法腐蚀是碳化硅衬底加工中不可或缺的一步,主要用于去除表面损伤层、调整表面形貌、提高表面光洁度等。然而,湿法腐蚀过程中,由于腐蚀液的选择、腐蚀时间的控制、腐蚀均匀性等因素,往往会导致衬底表面TTV的增加,进而影响后续加工工序和最终产品的性能。 二、影响湿法腐蚀后TTV的关键因素 腐蚀液成分:腐蚀液的选择直接影响腐蚀速率和均匀性。不同的腐蚀液对碳化硅的腐蚀行为不同,选择合适的腐蚀液对于控制TTV至关重要。 腐蚀条件:包括温度、浓度、搅拌速度等。这些因素直
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2024-12-26 10:45:56
用于切割碳化硅衬底TTV控制的硅棒安装机构
一、碳化硅衬底TTV控制的重要性 碳化硅衬底的TTV是指衬底表面各点厚度最高点与最低点之间的差值。TTV的大小直接影响后续研磨、抛光工序的效率和成本,以及最终产品的质量和性能。因此,在碳化硅衬底的加工过程中,TTV控制是至关重要的一环。 二、硅棒安装机构的设计原理 为了有效控制碳化硅衬底的TTV,我们设计了一种新型的硅棒安装机构。该机构通过精确控制硅棒的定位和固定方式,确保在切割过程中硅棒能够稳定、均匀地转动,从而减少切割误差,提高TTV的控制精度。 精密定位:硅棒安装机构采用高精度的定位装置,
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2024-12-25 11:17:38
降低碳化硅衬底TTV的磨片加工方法
一、碳化硅衬底的加工流程 碳化硅衬底的加工主要包括切割、粗磨、精磨、粗抛和精抛(CMP)等几个关键工序。每一步都对最终产品的TTV有着重要影响。 切割:将SiC晶棒沿特定方向切割成薄片。多线砂浆切割是目前常用的切割方式,关键在于确保切割后的晶片厚度均匀、翘曲度小。 粗磨:去除切割过程中产生的表面损伤和刀纹,修复变形。此过程需使用高硬度磨料,如碳化硼或金刚石粉,以达到稳定的去除速率。 精磨:进一步降低表面粗糙度,为后续抛光做准备。精磨工艺包括聚氨酯发泡Pad+多晶金刚石研磨液双面研磨,但划伤问题一
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2024-12-24 10:18:52
激光退火后,碳化硅衬底TTV变化管控
一、激光退火在碳化硅衬底加工中的作用与挑战 激光退火是一种先进的热处理技术,通过局部高温作用,能够修复碳化硅衬底中的晶格缺陷,提高晶体质量,优化掺杂元素的分布,从而改善材料的导电性能和表面结构。然而,激光退火过程中,由于激光能量分布的不均匀性、退火参数的精确控制难度以及衬底材料的初始状态等因素,往往会导致衬底表面TTV的变化,进而影响后续加工工序和最终产品的性能。 二、影响激光退火后TTV变化的关键因素 激光能量分布:激光退火过程中,激光能量的分布直接影响退火区域的温度和热应力分布。不均匀的能量
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2024-12-23 17:17:19
碳化硅衬底修边处理后,碳化硅衬底TTV变化管控
一、碳化硅衬底修边处理的作用与挑战 修边处理是碳化硅衬底加工中的一个关键步骤,主要用于去除衬底边缘的毛刺、裂纹和不规则部分,以提高衬底的尺寸精度和边缘质量。然而,修边过程中由于机械应力、热应力以及工艺参数的精确控制难度,往往会导致衬底表面TTV的变化,进而影响后续加工工序和最终产品的性能。 二、影响修边处理后TTV变化的关键因素 修边工艺:修边工艺的选择直接影响TTV的变化。不同的修边工艺,如机械磨削、激光切割、水切割等,对碳化硅衬底的加工精度和表面质量有不同的影响。 工艺参数:包括修边速度、进
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怎么制备半导体晶圆片切割刃料?
半导体晶圆片切割刃料的制备是一个复杂而精细的过程,以下是一种典型的制备方法: 一、原料准备 首先,需要准备高纯度的原料,如绿碳化硅和黑碳化硅。这些原料具有高硬度、高耐磨性和高化学稳定性,是制备切割刃料的理想选择。 二、破碎与筛分 颚式破碎:将原料放入颚式破碎机中进行初步破碎,得到一定粒度的颗粒。 筛分:通过筛分设备将破碎后的颗粒进行分级,筛选出符合要求的粒度范围。 三、湿法球磨分级 将筛分后的颗粒放入湿法球磨机中进行进一步粉碎和分级。湿法球磨机采用湿式研磨方式,通过研磨介质(如球磨珠)和研磨液的
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2024-12-20 09:05:05
磨料形貌及分散介质对4H碳化硅晶片研磨质量有哪些影响
高通量晶圆测厚系统,全新采用的第三代可调谐扫频激光技术,相比传统上下双探头对射扫描方式;可一次性测量所有平面度及厚度参数。 1,灵活适用更复杂的材料,从轻掺到重掺 P 型硅 (P++),碳化硅,蓝宝石,玻璃,铌酸锂等晶圆材料。 重掺型硅(强吸收晶圆的前后表面探测) 粗糙的晶圆表面,(点扫描的第三代扫频激光,相比靠光谱探测方案,不易受到光谱中相邻单位的串扰噪声影响,因而对测量粗糙表面晶圆) 低反射的碳化硅(SiC)和铌酸锂(LiNbO3);(通过对偏振效应的补偿,加强对低反射晶圆表面测量的信噪比)
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