核心观点

存储：大厂减产态度坚决，DRAM、NANDFlash四季度继续保持涨势。据TrendForce集邦咨询最新研究显示，第四季Mobile DRAM合约价季涨幅预估将扩大至13~18%。NANDFlash方面，eMMC、UFS第四季合约价涨幅约10~15%；季涨幅扩大包括几个原因，供应方面：三星扩大减产、美光祭出逾20%的涨幅等，持续奠定同业涨价信心的基础。需求方面：2023下半年Mobile DRAM及NANDFlash（eMMC、UFS）除了受传统旺季带动，华为Mate 60系列等也刺激其他中国智能手机品牌扩大生产目标，短时间内涌入的需求也成为推动第四季的合约价涨势的原因之一。我们认为，当前存储行业下游需求复苏仍然缓慢，短期的急单并不足以支撑存储合约价格持续上涨，涨价的核心动力来自原厂端为修复供求关系而减产的决心。

HBM：HBM需求持续火热，头部厂商2024年产能已被提前锁定。10月27日，据半导体行业观察消息，SK海力士最近表示，已售罄其计划从2024年开始生产的所有HBM3E，此外，SK海力士预计，即使HBM3E的需求扩大，也不会拉低现有产品HBM3的平均售价（ASP）。这是因为DRAM的需求预计从2024年开始将真正复苏，并且HBM3的需求仍然强劲。同时，TrendForce集邦咨询也在日前表示，随着AI服务器建置热潮，带动了AI加速芯片需求。2023年以来HBM3的需求比重亦随着NVIDIAH100/H800以及AMDMI300系列的量产而提升。HBM相比其他DRAM产品的平均单位售价高出数倍，预期2024年将对存储器原厂的营收有明显助力，预估2024年HBM营收年增长率将达172%。我们认为，未来随着AI加速向相关领域渗透，算力需求进一步提升，HBM的需求紧张状况有望持续至2025年，先进封装产能仍然是未来的关键点。

半导体材料：2023年全球硅晶圆出货量预计下降14%，2024年有望迎来反弹。10月26日，国际半导体产业协会SEMI表示，受半导体需求的持续疲软和宏观经济状况影响，2023年全球硅晶圆出货量预计将下降14%，预计将降至125.12亿平方英寸。机构预测，随着人工智能（AI）、高性能计算（HPC）、5G、汽车和工业等应用带动硅芯片需求的增长，预计2024年全球硅晶圆出货量将反弹8.5%，达到135.78亿平方英寸。这一反弹势头将延续至2026年，预计出货量将超过162亿平方英寸。
投资建议

维持电子行业“增持”评级，我们认为2023年电子半导体产业会持续博弈复苏；目前电子半导体行业市盈率处于2018年以来历史较低位置，风险也有望逐步释放。

我们当前重点看好：半导体设计领域部分超跌标的并且具备真实业绩和较低PE/PEG的个股机会，AIOTSoC芯片建议关注中科蓝讯和炬芯科技；模拟芯片建议关注力芯微；建议重点关注驱动芯片领域峰岹科技和新相微；半导体设备材料建议重点关注华海诚科、新莱应材、华兴源创和精测电子；XR产业链建议关注兆威机电；折叠机产业链重点关注东睦股份；建议关注军工电子紫光国微和复旦微电；建议关注华为供货商汇创达。

风险提示
中美贸易摩擦加剧、终端需求不及预期、国产替代不及预期。