瑞联新材:两市稀缺的euv光刻胶标的按曝光光源波长划分,光刻胶可分为 g 线光刻胶(436nm)、 i 线光刻胶(365nm)、KrF 光刻胶(248nm)、ArF 光刻胶(193nm)和 EUV 光刻胶(13.5nm)。 根据中国电子材料行业协会的数据, 2021 年度 g/i 线光刻胶的国产化率约为 20%,仍处于较低水平,KrF 光刻胶整体国产化率不足 2%,ArF 光刻胶整体国产化率不足 1%。【高端 EUV 光刻胶仍处于空白】,在国外断供风险持续增大的背景下,急需提升国产化水平。调研实锤euv光刻胶瑞联新材半导体光刻胶多数是ArF级别,也有KrF级别,目前有一款用于EUV级别的产品中试批次已经通过客户验证,并且有百公斤级的销售,客户将进一步生产为光刻胶进行性能验证。积淀深厚,募资投向光刻胶项目8月24日,瑞联新材公告表示拟投资建设大荔海泰光刻胶及高端新材料产业化项目。在电子化学品板块,瑞联新材从2015年开始研发半导体光刻胶单体和膜材料中间体等光刻胶材料,以高端光刻胶材料为重点方向,目前主要产品包括半导体光刻胶单体、TFT平坦层光刻胶、膜材料中间体和聚酰亚胺单体,其中,膜材料中间体主要为显示面板用光学膜材料,光刻胶材料包括显示用光刻胶和半导体光刻胶单体。半导体光刻胶单体以ArF光刻胶单体、KrF光刻胶单体和EUV光刻胶单体为主;显示用光刻胶主要为TFT平坦层光刻胶。
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