【国盛电子】事件点评：武汉新芯发布HBM封装技术研发和产线建设招标，全面利好集成电路制造国产链，坚定看好 [礼物]事件：根据企查查披露的湖北武汉新芯集成电路制造有限公司发布的《高带宽存储芯粒先进封装技术研发和产线建设》招标项目。将利用三维集成多晶圆堆叠技术，打造更高容量、更大带宽、更小功耗和更高生产效率的国产高带宽存储器（HBM）产品，拟实现月产出能力≥3000片（12英寸）。 我们的观点：武汉新芯是湖北武汉的一家专业晶圆代工厂，系长江存储控股子公司（持股比例高达68.2%），武汉新芯发布该轮招标，预示着长江存储或其他潜在客户拥有DRAM产品制造能力，大幅提振了国产化信心。 [庆祝]长江存储是国内领先的3D NAND IDM企业，具备强大的电路设计、工艺和产品开发能力，目前已量产全球领先的X-tracking架构的232层闪存产品。目前，我们尚未知晓长江存储是否正在进行DRAM的开发和制造，但映射全球领先的存储IDM企业，均既生产NAND、又生产DRAM，该策略在设计、工艺、产品、销售等方面均可实现协同，强化厂商的市场竞争力，我们有理由相信，长江存储未来有较强动机进行DRAM产品的开发和量产。 目前DRAM行业面临大量技术变革，HKMG工艺、4F² Cell架构、PBA 架构、无电容架构、3D DRAM架构、HBM产品等的陆续创新，有部分路径甚至可以适当绕过EUV以实现晶圆存储密度的增长，为市场新进入者提供了追平甚至弯道超车的可能性。 [福]我们认为，存储厂商的国产化设备基本验证完成，未来中长期时间里，以两长一晋的国内先进存储厂商都有望持续扩产，甚至交叉拓展闪存和内存业务，显著支撑国产设备厂商业绩放量；同时伴随着Hybrid Bonding技术的大量使用，有望进一步利好具有先进封装设备制造能力的企业。 潜在受益标的：【芯源微】：临时键合、解键合、涂胶显影设备【中微公司】：高深宽比刻蚀、TSV刻蚀、ICP刻蚀、金属薄膜沉积设备【拓荆科技】：永久键和、PECVD设备【华海清科】：减薄抛光、CMP设备【北方华创】：刻蚀、薄膜、炉管、清洗设备等【广立微】：良率提升软件及服务、WAT测试设备