国BIS于10月17号晚间公布涉及半导体设备出口的最新限制措施，主要被限制情况如下：

1， 曝光设备：单台设备对齐精度在1.5-2.4nm之间，或精度小于1.5nm的光学设备被纳入出口管制，且美国零件比例（De Minimis Rule）为0%。部分老式光刻机可能落入此限制范围。

不过也有适用范围：用于先进集成电路生产（包括先进NAND、DRAM）；出口国未对此类设备采取限制措施。如果出口国（日、荷）已对此类设备采取出口管制，则不在美国的管辖范围内。（但如果产地国已经发布文件限制出口，但发布了出口许可证，法律上如何界定未知）。目前该条规则的字面表述，与美国官员“与荷兰保持一致”的说法，及ASML公司“绝大多数业务不受影响”（ASML NXT 1970i或更老型号设备已基本停产）有一定冲突，实际执行方式有待观察。

2， 制造硅，锗硅（SiGE），碳掺杂硅的外延（EPI）设备
3， 离子注入设备，限定范围为“用于半导体制造”，管控范围略微收窄
4， 刻蚀设备，细化了对各向异性刻蚀，各向同性，高SI/SiGe选择比刻蚀，侧面刻蚀设备
5， SI/SIGE高选择比（1:100或更高）湿法设备
6， 各种用于制造先进制程的设备，管制条件细化（PECVD、钴金属、钨金属、ALD、温度、气压）
7， 制作用于EUV镜片的离子束沉积或物理气相沉积设备
8， 用于制造EUV光罩/保护膜的设备
9， 各类用于先进制程，在沉积前对晶圆进行清洁的设备（或腔体）

利空暂时落地，我们仍看好国产FINFET产业链（可用于手机SOC，先进AI芯片）、3D NAND（存储器）。同时，曝光设备是本次受限的卡点，半导体光学产业链有望加速发力

设备企业：中微公司、拓荆科技、华海清科、芯源微、盛美上海、北方华创、
零部件：正帆科技、富创精密、美埃科技
半导体光学：精测电子、中科飞测、张江高科、茂莱光学、波长光电、福晶科技