1、武汉新芯是湖北武汉的一家专业晶圆代工厂，系长江存储控股子公司（持股比例高达68.2%），武汉新芯发布该轮招标，预示着长江存储或其他潜在客户拥有DRAM产品制造能力，大幅提振了国产化信心。2、长江存储是国内领先的3D NAND IDM企业，具备强大的电路设计、工艺和产品开发能力，目前已量产全球领先的X-tracking架构的232层闪存产品。目前，我们尚未知晓长江存储是否正在进行DRAM的开发和制造，但映射全球领先的存储IDM企业，均既生产NAND、又生产DRAM，该策略在设计、工艺、产品、销售等方面均可实现协同，强化厂商的市场竞争力，我们有理由相信，长江存储未来有较强动机进行DRAM产品的开发和量产。
3、目前DRAM行业面临大量技术变革，HKMG工艺、4F² Cell架构、PBA 架构、无电容架构、3D DRAM架构、HBM产品等的陆续创新，有部分路径甚至可以适当绕过EUV以实现晶圆存储密度的增长，为市场新进入者提供了追平甚至弯道超车的可能性。4、机构认为，存储厂商的国产化设备基本验证完成，未来中长期时间里，以两长一晋的国内先进存储厂商都有望持续扩产，甚至交叉拓展闪存和内存业务，显著支撑国产设备厂商业绩放量；同时伴随着Hybrid Bonding技术的大量使用，有望进一步利好具有先进封装设备制造能力的企业。
AI技术创新，拉动存储器新技术产品化放量，亦将持续拉动HBM产业链的投资与变革，前瞻受益的即是设备和材料升级；
建议关注：
封测：通富、长电；
设备：拓荆（PECVD+ALD+键合）、华海清科（减薄+CMP）、华卓（拟上市，键合）、芯源微（临时键合与解键合）；
材料：华海诚科（环氧塑封）、天承（RDL+TSV电镀添加剂）、艾森（先进封装电镀）
①HBM加速迭代，市场空间足：突破“内存墙”，实现高带宽高容量，成AI芯最强辅助，HBM将持续迭代，I/O口数量及单I/O口速率将逐提升，HBM3以及HBM3e渐成AI服务器主配，产品周期相对较长，单颗容量及配置颗数逐增，预HBM4于26年发布。24年全球HBM市场有望超百亿美元，空间足，国产供应链加速配套
②HBM3海力士率先引入MR-MUF，HBM4剑指混合键合；当前HBM采用“TSV+Bumping”+TCB键合方式堆叠（TSV晶圆厂完成，封测厂堆叠配套），但随堆叠层数增加散热效率很差，TCB不再满足，海力士率先引入MR-MUF回归大规模回流焊工艺，芯片间用液态环氧模塑料作填充材料，导热率比TC-NCF中的非导电薄膜高很多，但海力士也预计HBM4会引入混合键合Hybrid Bonding，取消互连凸块；我们预判，当前HBM主流依是TCB压合，MR-MUF为过渡，未来混合键合是大趋势。液态塑封料LMC依然是晶圆级封装至关重要的半导材料之一
③混合键合与TSV是3D封装核心，HBM“连接”与“堆叠”带来设备材料端发展新机遇：混合键合分为晶圆对晶圆W2W和芯片对晶圆D2W，3D NAND使用W2W，典型案例为长鑫存储Xstacking，CMOS层+存储层采用W2W混合键合，预计HBM未来亦会采用W2W方案，W2W与D2W方案相比一般应用于良率非常高的晶圆，避免损失；
根据产业链研究，混合键合将充分带动永久键合设备与减薄+CMP需求，BESI数据，预存储领域未来贡献混合键合设备明显增量，保守预计26年需求超200台，减薄+CMP亦成重要一环；当前HBM方案主要带动固晶机、临时键合与解键合、塑封装备及TSV所需的PECVD、电镀、CMP等设备；材料则是TSV电镀液、塑封料等。（来自韭研公社APP）
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