核心观点

1.公司本季度将NAND Flash芯片报价调涨10%至20%之后，已决定明年一季度与二季度逐季调涨报价20%。

2.另有存储模组厂认为，明年起将进入为期二年的存储多头格局，未来二年市场供给将吃紧并出现缺货状况。

《科创板日报》11月2日讯（编辑 郑远方）存储巨头再一次加大涨价力度。

据台湾经济日报援引半导体业内多位消息人士消息称，三星本季度将NAND Flash芯片报价调涨10%至20%之后，已决定明年一季度与二季度逐季调涨报价20%，此举远超业界预期。

值得注意的是，信达证券此前援引行业消息称，近日三星向客户公布Q4官价，MobileDRAM合约价环比涨幅预估将扩大至11%-25%；NAND Flash方面，UFS4.0涨幅约2%左右，eMCP、uMCP涨幅不等，平均涨幅20%以上，最高涨幅高达66%。

为何三星有底气强势涨价？减产或许是原因之一。在10月31日的财报会议上，三星执行副总裁Kim Jae-joon直言，“三星接下来的减产行动，将比目前DRAM缩减产出的规模更大。”

业内人士指出，目前NAND芯片市场转趋热络，客户陆续回笼。三星作为全球存储芯片龙头，其领头调涨价格，将有助整体市场报价正向发展。

与此同时，多家存储厂商也已给出颇为乐观的预期。

例如群联指出，过去6-9个月OEM客户调整库存已近尾声，公司已获得更多设计导入（design-in）的订单。

存储模组厂威刚则表示，随着大厂大幅减产效益浮现，看好存储价格从今年四季度到明年上半年一路上涨，明年起更会进入为期二年的存储多头格局，未来二年市场供给将吃紧并出现缺货状况。

TrendForce此前指出，NAND芯片价格自8月起涨，看好在供应商议价态度转趋强硬情况下，四季度企业级固态硬盘合约价格可望上涨约5%-10%；用户端固态硬盘方面，随着供应商议价能力提高，高低阶用户端固态硬盘产品可望同步上涨，预计四季度合约价将扬升8%至13%。

此外，其认为存储器整体涨势有望延续，预计明年一季度Mobile DRAM及NAND Flash（eMMC、UFS）合约价仍将续涨，涨幅则视后续原厂是否维持保守的投产策略，以及终端是否有实质买气支撑而定。

随着主要厂商控产持续进行，以及原厂、终端与渠道库存去化，叠加终端市场需求复苏，国金证券11月1日报告指出，存储芯片有望在今年四季度开始价格反弹，开启新一轮上涨周期。而作为存储芯片的生产者，以及存储市场最为重要的环节，存储芯片厂商有望最为受益。