大厂业绩： FY2024Q2 美光业绩远超预期， HBM3E 成功导入英伟达

美光科技发布最新财报， FY2024Q2 实现营收 58.24 亿美元（此前指引 51~55 亿美 元 ） ， 同 比+58%， 环 比+23%； 毛 利 率 20%（Non-GAAP， 此 前 指 引11.5%~14.5%），同比+51.4pcts，环比+19.2pcts；净利润（Non-GAAP） 4.76 亿美元，同比+20.57 亿美元，环比+15.24 亿美元，表现远超预期，实现强劲复苏。 指引方面， FY2024Q3 公司预计实现营收 64~68 亿美元，中值同比+73.68%，环比+13.32%；毛利率 25%~28%，中值同比+42.5pcts，环比+6.5pcts，指引持续乐观。 HBM 方面， 美光 HBM3E 将供应 Nvidia H200 GPU，目前已实现量产，后续有望拉动公司毛利率水平，于 2024 年贡献数亿美元营收。目前来看，美光 2024年 HBM 已经售罄， 2025 年产能也已近乎分配完毕，产品供不应求。

DRAM： 2024 年订单量持续攀升， HBM 供不应求

总产能方面， 据集邦咨询，截至 2024 年底，整体 DRAM 产业规划生产 HBMTSV 的产能约为 250K/m，占总 DRAM 产能（约 1,800K/m）约 14%，原厂持续加大投入，供给位元年增长率有望高达 260%。 占比方面， HBM 需求持续旺盛，2024 年订单已基本被买家锁定，占 DRAM 总产值比重有望从 2023 年的 8.4%提升至 2024 年的 20.1%，成长迅速。 分厂商来看， 三星、 SK 海力士至 2024 年年底的产能规划最积极，三星 HBM 总产能至年底将达约 130K/m（含 TSV）； SK 海力士约 120K/m。以现阶段主流产品 HBM3 产品来看，目前 SK 海力士市占率超90%，而三星将随着 AMD MI300 逐季放量来实现追赶。

NAND：稼动率逐步提升， Q2 有望涨价 15-20%

稼动率方面， 据闪德资讯报道，随着库存调整和智能手机市场需求转好，三星西安 NAND 闪存厂稼动率正持续提升，目前已达 70%；与此同时，铠侠计划在 3月内将 NAND 稼动率提升至 90%，大厂近期稼动率调升动作频繁，反应需求正逐步向好。 价格方面，近期部分厂商透露涨价意愿，慧荣科技表示 2024Q2NAND 价格预计上涨 20%，三星电子计划在 2024 年 3-4 月与主要手机、 PC 和服务器客户重新谈价，预计将推动 NAND 闪存价格上涨 15%-20%。随着板块持续复苏，以及 HBM 和 DDR5 等产品的需求增长，相关公司有望充分受益，受益标的：

（1）存储芯片： 兆易创新、普冉股份、东芯股份、北京君正等；

（2）存储模组： 江波龙、德明利、协创数据、佰维存储等；

（3）存储接口： 澜起科技、聚辰股份等；

（4）存储封测及 HBM 产业链： 长电科技、通富微电、华天科技、香农芯创等

风险提示： 需求复苏不及预期，行业竞争加剧，公司新品研发进度不及预期