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伏白的交易笔记
工号就是这个铭
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伏白的交易笔记
买买买的机构
2026-06-28 20:36:35
需求推动 价格上涨:半导体级氢氟酸供应格局梳理
一. 驱动逻辑 截至2026年6月下旬,半导体级氢氟酸(G5级)市场价格较年初累计上涨 20%~30%,核心驱动来自两方面: (1)上游萤石、硫磺(硫酸原料)价格上涨,无水氢氟酸(AHF)原料成本大幅上涨。 (2)韩国三星电子、SK海力士为产能扩张提前备货,韩国本土产能缺口较大,大幅增加中国高纯氢氟酸及AHF采购量。 二. 氢氟酸概览 氢氟酸是氟化氢(HF)的水溶液,属于氟化工基础原料,下游应用广泛,包括制冷剂、含氟聚合物、氟盐、电子化学品等领域。 2.1 原材料及制备工艺 (1)原材料:基础原
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多氟多
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巨化股份
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伏白的交易笔记
买买买的机构
2026-06-28 11:04:14
国产替代加速:光刻胶产业链全景梳理
一. 光刻胶概览 光刻胶是由光引发剂、树脂、溶剂及添加剂组成的光敏混合液体,是光刻工艺中用于图形转移的介质材料。 (1)作用:通过曝光发生光化学反应,将掩模版上的电路图形精确转移到晶圆表面。 (2)原理:曝光区域的光刻胶吸收光子后,光引发剂产生活性基团,引发树脂发生聚合、交联或分解反应,使曝光与未曝光区域的溶解速率产生显著差异。 (3)工艺流程:涂覆(涂覆在晶圆表面)→曝光(曝光或未曝光区域溶解)→显影(去除溶解部分,形成图形)→坚膜烘焙(高温固化残留光刻胶)。 1.1 按显示效果分类 (1)正
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南大光电
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鼎龙股份
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伏白的交易笔记
买买买的机构
2026-06-27 13:22:27
新一轮涨价周期启动:半导体硅片产业格局梳理
前言:6月26日工商时报报道,硅晶圆行业经过近两年库存调整,景气回升趋势明显,台三大晶圆厂合晶、台胜科、环球晶圆相继释出涨价讯号。 一. 硅片分类 硅是地壳含量第二的元素,具备优异的半导体特性、热稳定性与机械加工性能,是制造集成电路、光伏电池的主要材料: (1)半导体硅片:纯度9N-11N,作为芯片制造基底材料,支撑后续光刻、蚀刻等工艺,形成晶体管和电路结构。 (2)光伏硅片:纯度5N-6N,作为电池片基材,晶体缺陷容忍度、表面精度等性能指标要求略低。 二. 半导体硅片分类 2.1 按尺寸分类
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沪硅产业
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2026-06-25 21:11:50
铝电解电容上游材料:电极箔供应格局梳理
前言:全球铝电容市场正迎来一轮涨价行情,尼吉康将全系列产品涨价10%至15%,佳美工NCC紧随其后同步调价。 一. 电容分类 根据是否需要电源,电子元件可分为主动元件(集成电路、分立器件)、被动元件(电阻、电容、电感等)两大类。 电容是储存电荷的被动元件,由两个金属电极和中间的绝缘介质构成,是电子电路中用量最大的基础元件。 其主要功能包括:滤波去耦(滤除杂波、稳定电压 )、隔直通交(阻隔直流、传递交流)、储能缓冲(在负载突变时提供瞬时电流)。 按介质,可分为陶瓷电容(应用最广,主流为MLCC)、
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海星股份
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江海股份
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伏白的交易笔记
买买买的机构
2026-06-25 19:32:17
晶圆厂扩产大年:半导体洁净室产业全景梳理
一. 洁净室概览 随着全球AI算力需求爆发,上游半导体产业迎来扩产周期,而洁净室则是晶圆制造、封装测试等环节的刚需基建。 洁净室是通过各类技术手段,将空间内悬浮微粒、分子污染物(AMC)、温湿度、微振动、静电、压差等参数进行精准管控的密闭受控环境。 1.1 核心目标 为半导体制造提供零污染、高精度、高稳定性的生产环境,确保芯片良率和性能: (1)污染物控制:防止尘埃、金属离子、微生物等污染晶圆表面,影响芯片电路性能。 (2)环境参数稳定:精确控制温度、湿度、气压、微振动、静电等参数,满足光刻、刻
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太极实业
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买买买的机构
2026-06-23 20:38:28
成熟制程产能挤压:晶圆代工(Foundry)模式及厂商梳理
前言:据《工商时报》报道,受先进制程产能挤压,台积电28nm生产基地自2026年以来已将28nm产量削减超25%,正逐步转型为4nm; 同时,台积电正将更多成熟制程产能分配给中介层,促使部分客户转向联电、世界先进等代工厂,以承接溢出需求。 一. 半导体产业模式 半导体行业围绕芯片设计、晶圆制造、封装测试三大环节,可分为垂直整合(IDM)、专业化分工(Fabless+Foundry+OSAT)两大类。 1.1 IDM(垂直整合制造) (1)定义:传统全产业链模式,覆盖设计、制造、封测、销售全环节,
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华虹宏力
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中芯国际
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买买买的机构
2026-06-22 22:44:11
出口或再迎收缩:铟资源供应格局梳理
一. 驱动逻辑 1.1 铟全链条管控加码 25年2月4日,商务部、海关总署对铟相关物项实施出口管制。 26年2月24日,商务部将20家日本实体列入出口管制名单,定向收紧对日铟相关物项供给。 26年6月19日,路透社报道,cn海关正加强对铟出口的审查力度;尽管铟尚未被正式列入出口管制清单,但已有多位欧洲买家表示担忧。 1.2 对产业的影响 我国原生铟产量占全球73%,原生铟95%以上为锌、锡冶炼副产,海外若要配套产线,周期达18-36个月,短期供给刚性强。 海外再生铟多来自ITO废靶材回收,仅能满
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锡业股份
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中金岭南
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2026-06-22 21:09:25
光芯片衬底材料:磷化铟(InP)产业格局梳理
一. 磷化铟概览 半导体材料按代际划分为三代:第一代硅(Si)、锗(Ge);第二代砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP);第三代碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)。 磷化铟是由铟和磷组成的IIIA-V族化合物半导体,其物理特性完美匹配光通信的低损耗与毫米波通信的高频需求。 1.1 核心优势 (1)光电性能优异:直接带隙结构,带隙宽度完美匹配光纤通信低损耗传输,用于高速光模块器件(EML/DFB激光器、PIN/APD光电探测器)。 (2)高频特性突出:高电子迁移率、高饱和漂移速度:支持超高频信号处理
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云南锗业
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2026-06-21 19:53:51
上游氧化钇出口受限:氧化锆粉体供应格局梳理
一. 驱动逻辑 钇稳定氧化锆是氧化锆的主流品类,氧化钇是其刚需稳定剂,全球93%以上的氧化钇产能集中在我国; 我国对氧化钇实施出口管制后,日本东曹、DKKK等氧化锆厂商原料库存紧缺,6月东曹暂停高端氧化锆粉体供货。 二. 氧化钇作用 氧化钇(Y₂O₃)是中重稀土元素钇的工业氧化物形态,其耐高温、化学惰性强,微量添加即可显著改性基体材料,可作为稳定剂使用。 纯氧化锆在温度变化时会发生单斜相↔四方相的晶型转变,伴随体积突变,会导致材料开裂粉化; 氧化钇在氧化锆制备阶段按比例掺杂,可解决相变开裂问题,
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国瓷材料
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爱迪特
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2026-06-20 12:12:17
AI电源需求推动涨价:功率半导体产业格局梳理
一. 驱动逻辑 (1)需求端:AI场景带来非线性增量 据安森美测算,AI单机柜功率从传统120kW跃升至1000kW+,驱动功率半导体用量非线性增长,价值量大幅跃升;核心来自两重叠加: VRM相数从传统服务器的6-8相提升至32相以上,器件数量成倍增长;单颗器件承载电流提升,芯片面积扩大3-5倍,晶圆消耗显著增加。 (2)供给端:扩产周期长,高端产能挤占 功率半导体厂商多为IDM模式,全新晶圆厂扩产周期长达3-4年,短期产能弹性极低。 当前英飞凌、安森美等大厂产能接近满载,且优先将产能向高毛利的
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士兰微
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2026-06-19 20:24:27
CP测试(晶圆中测)耗材紧缺:探针卡供应格局梳理
前言:6月18日,台湾头部探针卡厂商旺矽科技宣布,因AI芯片订单激增导致供应紧张,正考虑推行客户预付款协议以锁定产能。 一. 半导体制造工序 1.1 前道工艺(晶圆制造) (1)目的:在空白晶圆上完成晶体管、金属互连线路构建,生成具备电路功能的裸芯片(Die)。 (2)主要步骤:薄膜沉积→光刻显影→刻蚀→离子注入→CMP抛光,需重复上百次循环来完成芯片结构的层层构建。 1.2 后道工艺(封装测试) (1)目的:将前道产出的合格裸芯片封装为标准化成品,并完成功能、可靠性测试,确保符合出厂要求。 (
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精智达
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2026-06-17 20:23:47
CoWoS先进封装导入:玻璃基板及TGV设备厂商梳理
前言:台积电发布CoWoS玻璃基板开发计划,携手ABF载板厂商Ibiden、面板厂商群创,共同验证玻璃基板导入CoWoS先进封装的可行性。 一. IC载板概览 IC载板即封装基板,本质是一种高密度多层互连板;在芯片封装环节中,用于连接裸芯片与PCB板,实现电气连接、机械支撑、散热防护功能。 1.1 存在原因 裸芯片I/O引脚间距远小于PCB的布线精度,无法直接互联,需IC载板作为两者的精度桥梁: (1)芯片侧连接:通过引线键合、倒装焊等工艺连接芯片的微凸点(Bump)。 (2)载板内部工作原理:
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京东方A
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2026-06-16 20:30:05
MLCC介质层掺杂剂:高纯氧化镝供应格局梳理
一. 稀土氧化物在MLCC的应用 MLCC主要使用钛酸钡(BaTiO₃)作为介质材料,钛酸钡存在温漂大、介损高、耐压差等先天缺陷,必须掺杂微量稀土氧化物进行晶格改性: 稀土元素通过原子级晶格替换进入钛酸钡结构,精准调控材料的微观结构和电学性能。 稀土掺杂体系按产品档次分层,低端MLCC以轻稀土为主,工业级/电子级产品以中重稀土为主。 1.1 主流添加品种 (1)氧化钇(Y₂O₃):用量最大的基础掺杂剂,核心作用是稳定晶格、提升绝缘电阻。 (2)氧化镝(Dy₂O₃):平抑温漂效果最优,主要用于高容
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盛和资源
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2026-06-15 20:44:36
CPO/硅光场景受益环节:MPO(光纤连接器)供应格局梳理
一. 光纤连接器概览 光纤连接器是实现光纤与光纤之间可拆卸连接的无源光器件,其核心功能是将两根光纤的纤芯精密对准,保证光信号低损耗、高精度传输。 1.1 按芯数分类 (1)单芯连接器:包括LC、SC、FC等类型,采用陶瓷插芯,单次仅支持1根光纤连接,用于电信、FTTH场景 (2)多芯连接器:包括MPO、MTP等类型;采用MT插芯,支持多根光纤并行连接,用于高密度互联场景。 二. MPO概览 MPO是一种高密度多芯光纤连接器,可实现多根光纤并行连接,包括12、24、48、72、144芯等类型。 (
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太辰光
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2026-06-14 11:15:32
半导体后道材料(封装测试):五大环节国产化率及厂商梳理
一. 半导体制造工序 1.1 前道工艺(晶圆制造) (1)目的:在空白晶圆上完成晶体管、金属互连线路构建,生成具备电路功能的裸芯片(Die)。 (2)主要步骤:薄膜沉积→光刻显影→刻蚀→离子注入→CMP抛光,需重复上百次循环来完成芯片结构的层层构建。 1.2 后道工艺(封装测试) (1)目的:将前道产出的合格裸芯片封装为标准化成品,并完成功能、可靠性测试,确保符合出厂要求。 (2)主要步骤:晶圆中测(CP)→晶圆减薄→晶圆切割→固晶贴装→引线键合→塑封成型→成品终测(FT)。 二. 后道环节材料
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鼎龙股份
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