国内AI（HBM）的胜负手，远期5倍空间
1、AI GPU用到大量HBM（高带宽DR­AM），通常是4层、6层、8层DR­AM叠在一起，用TSV封装工艺。目前海力士占80%份额，市场15亿美金，预计到27年市场达到70亿美金，CA­GR+40%甚至更高。在AI GPU趋势下，HBM增速会进一步放大，且近期hy­n­ix HBM价格涨了5倍，是最缺的存储器。
2、目前国内龙头都是买hy­n­ix的，制裁背景和底线思维下，后续必然要靠长鑫来供应HBM，长鑫的封装全部外包，深科技（沛顿科技）是主要供应商（占长鑫60%）。深科技的合肥工厂主要配套长鑫，大基金和合肥市政府也参投，深科技（沛顿科技）的技术底子是金士顿的封装厂，有TSV、多层堆叠技术储备，且是国内唯一一家有in­t­el CPU架构存储认证的企业。
3、公司股权激励目标23年10亿、24年11亿利润，对应PE 20x左右。作为中国HBM的胜负手，远期长鑫40万片产能规划，长存30-40万片产能规划，需要500亿的封装配套，假设长鑫配套50%，对应250亿存储封装产值（主业EMS 150亿），400亿收入空间，40亿利润空间，给25x PE，看到1000亿市值空间

000021深科技】存储封测龙头，手握光模块新锐利剑，AI新时代涅槃重生
1、【存储芯片周期反转，封测环节景气度恢复】存储芯片行业预计Q2触底，Q3受到手机、PC和数据中心需求回升带动存储需求复苏，深科技重点发力的存储封测业务受益于行业景气度恢复。相较于存储芯片价格大幅波动，存储芯片封测价格波动较小，行业下行周期抗风险能力较强，一旦行业景气度恢复公司稼动率提升后盈利能力业有较大改善空间。
2、【AI时代算力需求井喷，配套GPU的HBM存储需求爆发】AI­GC不仅带来算力底座GPU需求井喷，而且配套的HBM（高带宽存储芯片）需求旺盛，与传统DR­AM不同，HBM是3D结构，它使用TSV硅通孔技术将数个DR­AM裸片堆叠起来与数据中心GP­G­PU配合工作，因此封装环节的价值得到了大幅提升。深科技具备8层和16层DR­AM堆叠工艺。旗下合肥沛顿为深科技与大基金二期和地方政府共同投资建设集成电路先进封测和模组制造项目，是国内唯一一家有能力进行高端内存封装的企业，该项目总投资100亿元，主要为国内自主存储半导体龙头提供封装和测试业务，亦能生产HBM内存。其中一期项目投资30.67亿元，公司已通过非公开发行募资资金与国家集成电路大基金二期、合肥经开创投等共同投资完成，包括新建月均产能4800万颗DR­AM存储芯片封装测试的项目、月均246万条存储模组项目和月均产能320万颗NA­ND Fl­a­sh存储芯片项目。
3、【国内存储芯片封测委外比例提升，存储封测唯一标的受益】深科技目前存储封测产能分布在深圳和合肥两地，目前封测总产能为8.2万片/月，深圳厂稼动率处于满载，合肥工厂稼动率80%，由于国内存储芯片大厂长鑫和长存短期受到美国限制，更先进代际产线扩产受阻，所以将募集资金聚焦前道制造工艺，后段封测采取更多委外，深科技在国内封测工艺领先，具有产能优势，预计是国内存储芯片大厂后段委外最大受益方。
4、【持股17.78%昂纳科技，最快速跻身全球第一梯队的光模块厂商】
昂纳科技为世界上最大的光通信器件，模块和子系统供应商之一，有100G/200G/400G/800G光模块，在光芯片、硅光、光学镀膜及光电封装多个高科技领域领跑，还涉足了云计算等业务，正在启动科创板IPO。深科技持有昂纳科技17.78%股权，为公司第二大股东，有望受益于光模块全面爆发。
预计2022-2024年公司归母净利润为8.3亿，10.3亿，13.8亿，同比增速分别为7%，24%和34%。再次强ca­ll！！！