1.解决里程焦虑，碳化硅是新能源汽车 800V 高压快充标配

SiC 属于第三代半导体，性能参数优异。

以碳化硅为代表的第三代半导体材料具有禁带宽度大、饱和电子漂移速率高、热导率高、击穿电场强度高等优势。

碳化硅器件旨在为应用系统“增效+降本”，新能源汽车贡献主要市场。

2022 年碳化硅功率器件市场规模为 18 亿美元，2028 年有望达到 89 亿美元，22-28 年 CAGR 高达 31%。

碳化硅功率器件可应用于汽车、能源、交通、工业等多个领域，其中汽车占据主导地位，市场规模占比超过七成，2022 年市场规模为 13 亿美元，2028年有望达到 66 亿美元，22-28 年 CAGR 高达 32%。

2.主流车企加速推出搭载碳化硅的车型。

典型代表就是华为智界 S7，此外还有待上市的华为问界 M9、小米SU7。

3.SiC 器件的耐高压、高频特性适配直流快充桩需求。

要满足新能源汽车快充需求，直流快充桩电压需要提升到 800-1000V，所用功率器件耐压必须提高到 1200V 以上，适合应用碳化硅。

同时，使用碳化硅器件还可降低拓扑复杂度，减少驱动配套电路数量与功率器件用量，从而降低充电桩体积及系统成本。此外，对于运营商而言，应用 SiC 器件还可以减少开关损耗，提升转换效率，提高营业利润。

充电模块功率提升，国内外桩端厂商积极布局搭载碳化硅的产品。

南方电网、巨湾技研、FreeWire、Rhombus 等国内外多厂商均已发布碳化硅技术为核心的充电桩项目，据中关村天河宽禁带半导体技术创新联盟介绍，采用碳化硅充电模块的功率可以达到60kW 以上，而采用 IGBT 单管的设计仅达到 15-30kW 水平。未来伴随直流充电桩功率提高，碳化硅渗透率有望快速提升。

4.接着来看碳化硅产业链。

碳化硅产业链自上而下包括衬底、外延、器件设计、晶圆制造、模块封装等环节，其中，衬底端为当前的有效产能瓶颈、降本瓶颈环节，器件端国产化、IDM 是大趋势，技术、产能、客户关系为决定各环节竞争格局的关键要素。

SiC 衬底位于产业链上游，根据电学性能不同可分为半绝缘型、导电型衬底。

SiC 价格较高限制应用放量，衬底是产业链的核心降本环节。

碳化硅材料具有高熔点、高硬度属性，制造所需的工艺难度远高于硅基材料，且由于碳化硅晶体生长速率慢、产品良率低，碳化硅衬底的生产周期远大于传统硅基。根据芯八哥数据，2021 年碳化硅器件制造成本结构中，衬底成本占比约 46%，未来，衬底逐步降本有望打开碳化硅市场天花板。

供给端，海外厂商在 SiC 衬底赛道具备先发优势，国产厂商加速释放产能。

2022 年全球碳化硅衬底市场中，美国 Wolfspeed、美国Ⅱ-Ⅵ和日本 Rohm（收购德国 SICrystal）三家企业合计占据全球约 72%的市场份额。

中国公司天科合达、天岳先进努力追赶，22 年导电型衬底合计实现营收 1.04 亿美元，合计占比 15%，同比+5pct。

其中天富能源2023年半年度报告披露：2020 年参与北京天科合达半导体股份有限公司增资扩股，并在2021年持续加大投资力度，目前公司已持有北京天科合达半导体股份有限公司9.09%的股份，成为该公司第二大股东。

5.其他个股：

民德电子：在功率半导体硅基器件和碳化硅器件领域均是基于供应链自主可控的战略进行布局。公司在碳化硅领域已投资布局包括外延生产、晶圆代工、超薄背道代工、芯片设计等关键环节，完成了供应链核心环节布局。

宇环数控：2023年8月7日回复称，碳化硅设备可参与到碳化硅材料加工的晶锭端面磨削，晶锭外圆磨削等工序，已有部分样机推出，正在打样测试中。