根据《韩国经济日报》，三星近期与小米、OPPO及谷歌等用户签订新的内存芯片供应协议，DRAM及NANDFlash合同价格将上调10%-20％。三星电子宣布9月起扩大NandFlash减产幅度至50%，Q4起存储芯片市场或将供不应求。

DRAM：继Q2出货量强劲增长后，Q3主要存储价格已趋于稳定或上升。价格较高的HBM、DDR5和LPDDR5X组合增加，ASP可能增长5-10%。其中DDR5（16Gb，2G×8）最新成交均价为4.02美元，较8月低点涨幅达3.5%，预计Q4 DDR5价格将持续上涨，最高可达5%。DDR4等产品随减产规模扩大，至Q4库存有望回归至正常水位。

NAND：NAND Flash Wafer价格持续拉涨。根据TrendForce，8月下旬NAND Flash原厂与部分中国模组厂签订新Wafer订单中，512Gb wafer合约价格显著抬升，涨幅约达10%，其他原厂亦跟进将同级产品价格提升，当前已不愿再低价成交，带动Wafer现货市场跟涨。根据闪德资讯，近期512GB颗粒最低价已从1.4美元上扬至1.85美元，现货价甚至高达2美元，一个月时间急涨近40%。

原厂减产效应初现。22Q4起铠侠及美光率先启动减产，海力士近期草根跟踪下来减产亦超预期！三星电子23Q2跟进，减产幅度将从起初的25%扩大至Q4的50%，一线NAND Flash原厂持续加大减产控制供给，涨价预期下模组厂低价库存急速减少，后续价格将持续上升。预计随着23Q4减产效应的进一步显现，企业级SSD NAND有望持续领涨！

投资建议：
HBM产业链：雅克科技，香农芯创，深科技，兆易创新；
通用存储国产化及模组价格拐点：深科技，兆易创新，新存科技（古鳌科技）、德明利，江波龙等；
配套供应链：雅克科技，兴森科技，正帆科技，鼎龙股份，安集科技等；
利基型存储拐点：兆易创新，北京君正，东芯股份，普冉股份。

风险提示：下游需求不及预期