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HBM迭代，3D混合键合成设备材料发力点
夜长梦山
2024-03-05 09:04:38
【hj电子】HBM迭代，3D混合键合成设备材料发力点 AI技术创新，拉动存储器新技术产品化放量，亦将持续拉动HBM产业链的投资与变革，前瞻受益的即是设备和材料升级；建议关注：封测：通富、长电；设备：拓荆（PECVD+ALD+键合）、华海清科（减薄+CMP）、华卓（拟上市，键合）、芯源微（临时键合与解键合）；材料：华海诚科（环氧塑封）、天承（RDL+TSV电镀添加剂）、艾森（先进封装电镀） ①HBM加速迭代，市场空间足：突破“内存墙”，实现高带宽高容量，成AI芯最强辅助，HBM将持续迭代，I/O口数量及单I/O口速率将逐提升，HBM3以及HBM3e渐成AI服务器主配，产品周期相对较长，单颗容量及配置颗数逐增，预HBM4于26年发布。24年全球HBM市场有望超百亿美元，空间足，国产供应链加速配套 ②HBM3海力士率先引入MR-MUF，HBM4剑指混合键合；当前HBM采用“TSV+Bumping”+TCB键合方式堆叠（TSV晶圆厂完成，封测厂堆叠配套），但随堆叠层数增加散热效率很差，TCB不再满足，海力士率先引入MR-MUF回归大规模回流焊工艺，芯片间用液态环氧模塑料作填充材料，导热率比TC-NCF中的非导电薄膜高很多，但海力士也预计HBM4会引入混合键合Hybrid Bonding，取消互连凸块；我们预判，当前HBM主流依是TCB压合，MR-MUF为过渡，未来混合键合是大趋势。液态塑封料LMC依然是晶圆级封装至关重要的半导材料之一 ③混合键合与TSV是3D封装核心，HBM“连接”与“堆叠”带来设备材料端发展新机遇：混合键合分为晶圆对晶圆W2W和芯片对晶圆D2W，3D NAND使用W2W，典型案例为长鑫存储Xstacking，CMOS层+存储层采用W2W混合键合，预计HBM未来亦会采用W2W方案，W2W与D2W方案相比一般应用于良率非常高的晶圆，避免损失；根据我们产业链研究，混合键合将充分带动永久键合设备与减薄+CMP需求，BESI数据，预存储领域未来贡献混合键合设备明显增量，保守预计26年需求超200台，减薄+CMP亦成重要一环；当前HBM方案主要带动固晶机、临时键合与解键合、塑封装备及TSV所需的PECVD、电镀、CMP等设备；材料则是TSV电镀液、塑封料等 风险提示：新技术工艺、新品无法如期产业化，产能扩张进度不及预期风险
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声明：文章观点来自网友，仅为作者个人研究意见，不代表韭研公社观点及立场，站内所有文章均不构成投资建议，请投资者注意风险，独立审慎决策。
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  • 无名小韭98111102
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    03-05 09:05
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  • 君子好逑
    一卖就涨的老韭菜
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    03-05 23:12
    辛苦了
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  • 韭菜根999
    只看TA
    03-05 23:04
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  • 加油奥利给
    下海干活的韭菜种子
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    03-05 22:11
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  • 韭久为功
    蜜汁自信的老韭菜
    只看TA
    03-05 09:12
    谢谢分享！
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