半导体工艺实现关键突破，未来芯片成本有望节省一半
tony2001
中线波段
2021-07-20 23:42:17
该技术可能会用于未来的CPU和GPU上。据中国证券报报道，Institute of Microeletronics（IME）的研究人员近日实现了一项技术突破，完成了多达四个半导体层的堆叠。与传统的二维制造技术相比，可以节省50%的成本，该技术可能会用于未来的CPU和GPU上，或许真正的新一代3D芯片堆叠就在眼前。相比此前台积电和AMD的SRAM堆叠技术，IME的这项新技术更进一步，通过TSV（硅通孔技术）成功粘合了四个独立的硅层，允许不同模具之间通信。这样的技术带来的好处是显而易见的，可以允许芯片由不同工艺的组件在不同晶圆中制造。相关公司方面，据半导体 板块显示，赛微电子：公司掌握了硅通孔（TSV）等多项在业内具备国际领先竞争力的工艺技术和工艺模块，拥有目前业界最先进的硅通孔绝缘层工艺平台（TSI）。晶方科技：公司为全球WLCSP封装技术的引领者，拥有领先的硅通孔（TSV）技术。
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