【兴证电子】Q4存储合约价格有望继续上涨，行业周期持续向上
1.NA­ND：三星预计Q4将NA­ND芯片合约价格调涨10％以上，且最快自10月开始涨价。由于NA­ND芯片利润比DR­AM芯片低，因此三星近期积极推动价格上涨，目标要在24Q2达成NA­ND芯片事业收支平衡。
2.DR­AM：存储市场近期因三大DR­AM持续减产，使DR­AM价格开始出现涨势。由于Q4 DR­AM市场供给量较Q3再度减少20%，预计DR­AM合约价有望调涨12～15％。此外，由于DDR4库存水位虽偏高，三大原厂重点减产DDR4，并扩产DDR5，预计至2023年底，DDR5销售比重将可达30％～40％.
3.存储模组：目前第四季模组厂对客户涨价已成市场共识，合约价也有望随现货价回升，模组厂获利将率先反应。
4.投资建议：随着各大原厂商主动减产去库存，供需关系持续改善，存储芯片价格已迎来拐点，有望进入新一轮存储上行周期。建议关注：存储芯片 --兆易创新、北京君正、普冉股份、东芯股份；内存接口芯片及配套芯片--澜起科技、聚辰股份；存储模组及主控--江波龙、佰维存储、德明利等。