MLCC，电子布，钽电容再创新高！预期差梳理~
醉酒小麻雀
自学成才的游资
2026-06-15 12:08:40 江苏
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- 英伟达800V 技术架构下的技术参数发生变化，薄膜电容与MLCC共享高成长！
薄膜电容价值量稳步提升 下一代材料核心： 中仑新材
高压段（800V 母线、机架储能、SST）：薄膜电容价值量提升、逐步主导，替代高压 MLCC / 铝电解。低压段（GPU/CPU、主板、去耦）：MLCC 用量继续爆发、不可替代。看清技术演变的趋势：
高压侧（800V 母线、IBC、SST、机架储能）
要求：耐压≥1000V、长寿命、高纹波、自愈、低损耗。薄膜电容：完美匹配，PP 膜耐 800V+、寿命 10 万小时、可自愈、适合大功率滤波 / 储能。MLCC：高压可用但容量掉得厉害（X7R 在高压下容量可掉 80%+），要并联很多颗，体积 / 成本不划算；1000V 以上 MLCC 价格很贵、容值做不大。→ 结论：高压母线 / 大功率段，薄膜电容价值量提升、逐步主导，这里会替代一部分高压 MLCC / 铝电解。00打赏回复投诉
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